GaN材料中间带的电学性质分析

分析了掺Cr的GaN半导体材料作为太阳能电池材料增加转换效率的可行性. 采用局部旋转密度近似的计算方法研究GaN材料中间带的电学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子质量分数为1.56%. 从电学性质的计算可以发现,这种材料具有对某个旋转态成分形成部分填充的独特性质,可用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳能电池的候选材料. 对中间带的轨道成分进行分析,表明中间带主要是由跃迁金属的t群轨道构成. 吸收系数的理论计算结果得出,由于VB-IB和IB-CB之间对少数旋转态成分的跃迁而产生了次带吸收. 半导体的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加.     

不同电化学条件下氧化后碳纤维表面基团的XPS分析

在不同的电流密度,电解质浓度和处理时间上对粘胶基碳纤维进行电化学氧化,然后用Ｘ－射线光电子能谱分析了氧化后碳纤维的表面基团,讨论了表面基团随着这些电化学条件的变化规律。     

GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量

提出了一种利用X射线双晶衍射测量GaN厚度的新方法. 该方法采用GaN积分强度和衬底积分强度的比值与样品厚度的关系来测量GaN外延膜厚度, 此比值与GaN样品厚度在t <2 μm为线性关系. 该方法消除了因GaN吸收造成的影响, 比单纯用GaN积分强度与样品厚度的关系推算GaN外延膜厚度精度更高, 更方便可靠.     

基于XPS对不同密度级炼焦煤表面碳氧结构的分析

密度是煤的本征特性,碳是煤最主要的组成元素,氧是煤中最丰富的杂原子,采用XPS测试技术,基于不同密度解析煤中碳、氧两种元素赋存形态,对准确表征炼焦煤表面结构具有重要意义。以山西孝义煤为研究对象,XPS结果表明:C-C和C-O是煤中主要存在的碳氧结构,且煤样中存在较多的烷基侧链。随着密度的增大,煤中不同碳、氧官能团含量略有变化,C-C、C=O和O=C-O的相对含量减少,C-O的相对含量增加。     

自悬浮定向流法制备纳米铝粉的DSC-TG和XPS分析

采用自悬浮定向流法制备金属纳米Al粉.用差示扫描量热-热重法(DSC-TG)和X射线光电子能谱(XPS)分析对其热性能进行研究.研究结果表明:在Ar气流中,新纳米铝粉的熔点为649.7℃,熔化焓为3.7kJ/mol,分别比粗晶铝的熔点(660℃)和熔化焓(10.79kJ/mol)低10.3℃和7.09 kJ/mol;在N2气流中,从20℃升温到800℃时,新纳米铝粉增重约为33%,熔点为648.8℃.在704℃开始有一个放热效应,终点为747.7℃,放热过程的焓为36.4 kJ/mol:在Ar气流中进行热分析前后的新纳米铝粉中未发现Ar元素存在;而在N2气流中进行热分析后的新纳米铝粉残余物中发现有N元素存在,样品表面Al,N和O原子的摩尔比为32.78:11.98:55.24.     

MOCVD GaN/InN/GaN量子阱的应变表征

采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实际厚度.从(102)非对称衍射面与(002)对称衍射面的倒异空间图,确认了InN阱层处于与GaN共格生长的完全应变状态,获得了GaN缓冲层的晶体质量信息及其c轴与a轴晶格常数,确认外延层因受衬底热失配的影响处于压应变状态.     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

TPD/Alq3发光特性及其界面状态的XPS分析

对结构为ITO/TPD/Alq3/A1的有机电致发光器件电致发光光谱分析,发现与Alq3的荧光峰相比发生了约5 nm红移,从而推断是由于TPD/Alq3界面处形成的激基复合物发光所致.通过x射线光电子能谱(XPS)分析,发现了器件的激基复合物起源于Alq3分子和TPD分子的相互作用.     

超声处理后Ca~(++)在黄铁矿表面作用的XPS分析

介绍光电子能谱（ＸＰＳ）的基本原理和应用，分析煤系黄铁矿添加ＣａＯ并经超声处理后 ，Ｃａ＋＋在黄铁矿表面的吸附特性，证明Ｃａ＋＋在黄铁矿表面是主要抑制因素，超声处理可以强化ＣａＯ对煤系黄铁矿的抑制。     

GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现

针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统.采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长.同时采用WinCC组态软件设计上位监控系统.经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行.     

磷酸钛－磷钨酸铵的合成及XPS研究

在合成了复合无机离子交换材料磷酸钛－磷钨酸铵（ＴｉＰ－ＡＷＰ）的基础上，为进一步研究复合材料中各种元素的化学状态，对复合材料进行了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究。通过分析复合材料ＴｉＰ－ＡＷＰ中各元素的结合能谱，对交换材料中各元素的结合状态及复合机理进行了探讨。     

X射线和Se75检测的对比与分析

Se75+AGFA-D4型胶片和X射线源+AGFA-C7型胶片采用相同的透照条件,拍摄同样的试件所得到底片,灵敏度和清晰度的区别.     

XPS和^29Si MAS NMR在不同分子筛的化学组成及电子结构中？…

采用光电子能谱和Ｓｉ核磁共振及化学分析方法研究了五种不同分子筛纳型和钾型的化学组成。结果发现，分子筛的Ａｌ／（Ｓｉ＋Ａｌ）比和骨架Ａｌ／（Ｓｉ＋Ａｌ）比与其体相Ａｌ（Ｓｉ＋Ａｌ）比具有一致性，其电子结构与其组成及阳离子有关。分子筛表面晶格氧碱强度与其铝含量成正比，与阳离子的电负性成反比。     

二代像增强器 MCP 的 XPS 分析

为降低微通道板（ＭＣＰ）的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子（Ａｒ＋）溅射３ｍｉｎ后，在近贴管的ＭＣＰ电极表面检测不到碱金属元素钾（Ｋ）、钠（Ｎａ），而在倒像管ＭＣＰ电极表面Ｋ的含量为２．１６％，Ｎａ的含量为５．６４％，且在ＭＣＰ电极表面发现铅（Ｐｂ）原子谱峰。实验分析认为，ＭＣＰ电极表面吸附的碱金属Ｋ，Ｎａ与从ＭＣＰ体内偏析于表面的Ｐｂ是二代像增强器背景噪声的主要来源之一。     

GaN掺杂Er~(3+)纳米颗粒的电子结构及光学性能分析

采用Material Studio软件模拟GaN掺杂稀土元素Er⁽³⁺⁾浓度在6.25%下的晶格结构,分析了掺杂GaN的光学特性,结论表明,掺杂后的GaN具有较好的发光性能.同时,实验上用氨还原法制备了3组掺杂GaN∶Er(3+)浓度在6.25%下的晶格结构,分析了掺杂GaN的光学特性,结论表明,掺杂后的GaN具有较好的发光性能.同时,实验上用氨还原法制备了3组掺杂GaN∶Er⁽³⁺⁾纳米颗粒.3组样品的X射线衍射结果均显示样品结构为六方纤锌矿结构,利用Scherrer公式,计算得到3组样品GaN∶Er(3+)纳米颗粒.3组样品的X射线衍射结果均显示样品结构为六方纤锌矿结构,利用Scherrer公式,计算得到3组样品GaN∶Er⁽³⁺⁾纳米颗粒的平均晶粒大小为25.9nm;测量了3组样品的GaN∶Er(3+)纳米颗粒的平均晶粒大小为25.9nm;测量了3组样品的GaN∶Er⁽³⁺⁾纳米颗粒的室温光致发光谱,获得了样品在可见光区(位于375(3+)纳米颗粒的室温光致发光谱,获得了样品在可见光区(位于375⁶50nm)的3个发光峰并对3组样品进行分析比较,分析了样品520nm的激发光谱.由光致发光谱得到的3条发光峰表明所制备的GaN∶Er650nm)的3个发光峰并对3组样品进行分析比较,分析了样品520nm的激发光谱.由光致发光谱得到的3条发光峰表明所制备的GaN∶Er⁽³⁺⁾具有较好的光学性能.理论和实验上确定了稀土E(3+)具有较好的光学性能.理论和实验上确定了稀土E⁽³⁺⁾离子掺杂GaN纳米颗粒的较合适的掺杂浓度为6.25%.     

两种离子液体处理纤维素的XPS分析

采用两种离子液体1-烯丙基-3-甲基氯化咪唑([Amim]Cl)与1-丁基-3-甲基氯化咪唑([Bmim]Cl)分别与微晶纤维素(MCC)解结晶反应20、40与60min.X射线衍射技术(XRD)的分析结果表明,用[Amim]Cl与[Bmim]Cl处理MCC可使其结晶指数从90.2%分别降至72.4%与66.8%.X射线光电子能谱(XPS)的C1s、O1s能谱峰分析显示,离子液体处理后,纤维素大分子中原有的化学键类型并没有明显改变,但相对含量有很大变化, COH 键和 COHO 键的相对含量变化均与结晶指数的变化高度相关,其相关系数分别为0.9990与0.9846.     

高压绝缘α-Al2O3涂层的XPS和EELS表面分析

用不同配方的Mn，Cr，Ti混合物涂复α-Al     

黄铁矿和毒砂XPS谱图上83eV激发峰的新归因

从原子及离子中电子的行为与结合能之间的关系出发，结合有关的实验事实，指出结合能不仅与氧化态（价态）正相关，而且与颗粒粒径也正相关，并推导出了结合能与粒径之间的关系式。同时笔者由Ａｌｒｅｄ－Ｒｏｃｈｏｗ电负性数据判断认为黄铁矿和毒砂中次显微金不可能呈负氧化数金Ａｕ－形式存在，并因而认为黄铁矿和毒砂ＸＰＳ谱图上出现了８３ｅＶ附近的激发峰是由粒径细小的微包裹体自然金颗粒所引起的。计算得到这些金颗粒的半径约为５００ｎｍ。由此出发笔者还解释了ＸＰＳ实验的一些其他事实。并最终认为次显微金在黄铁矿和毒砂中不可能以类质同象金（Ａｕ１＋、Ａｕ３＋、和Ａｕ－）形式存在。     

磁控溅射类石墨镀层结构的Raman光谱和XPS分析

利用非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅片上沉积了类石墨碳镀层,采用X射线衍射(XRD)、激光Raman光谱和X 射线光电子能谱 (XPS)等分析方法对镀层的微观结构进行了研究.结果表明:不同成份类石墨碳镀层的Raman光谱与宽化的多晶石墨Raman光谱相似,类石墨碳镀层是以sp2键结构为主,且含有多种纳米团簇颗粒的非晶镀层,sp3键含量在12～15%范围;根据高斯解谱计算,镀层中碳团簇线度为1.2 nm以下,并随铬含量增高而减小;镀层主要由单质碳、铬及其铬氧化物组成,并随铬含量增高,逐步有碳铬化合物形成.     

农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析

运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.