一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计

基于单电子晶体管(SET)的I-U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R-S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02 V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性.     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

单电子盒的库伦阻塞效应

文章论述了单电子盒中的库伦阻塞对电子输运性质的影响，主要考虑盒中静电荷与外部电压的关系以及晶体管能量对外部条件变化的响应。     

电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指出了时延参数τ＝C∑Rg，并用Monte-Carlo法对其构成的反相器进行了模拟验证。     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

一种基于自适应非均匀网格的晶体管表格模型

提出一种通过自适应建立非均匀网格来构建晶体管表格近似模型的方法,该方法借助哈希映射和辅助查找表能快速查找表格中的待计算点.自适应的非均匀网格构建方法继承了基于树状模型近似方法自适应划分的优势,克服了树状结构中单元查找速度慢的问题.通过在非均匀网格上进行三次Hermite样条插值来保证表格模型计算的连续性和平滑性,克服了树状结构模型中导数不连续导致收敛困难的问题.实验结果表明该方法可显著加速仿真过程中晶体管模型计算过程,以可接受的内存需求有效缩短电路仿真中瞬态分析的时间并获得较高的精度.     

Multiscale Modeling of Emerging Electronics:from Quantum Mechanical Simulation of Transistors to Spice Modeling of Integrated Circuits

正We have developed a multiscale method to model emerging electronic devices.It features a combination of first-principles calculation,semi-classical semiconductor device simulation,compact model generation and circuit simulation.We have applied the method to model a new type of transistors and their circuits:junctionless fieldeffect transistor.The transfer characteristics of junctionless field-effect transistors are simulated by a recently devel-     

新的次正规模型与二元系相图的理论计算

本文根据热力学理论以及新的次正规模型,导出了二元系相平衡曲线的理论计算公式,并以十三种具有A_2CO_3—AX和A_2SO_4—AX(这里,A=Li,Na,K;X=F,Cl,OH,NO_3)形式的二元系为例,计算了每个二元系的共晶点(T_0,X_(B0))及其相图。结果表明,理论计算得到的相图与实验结果吻合很好。     

π-Conjugated Organic Semiconductors for Field-Effect Transistors

1Results and Discussion Organic semiconductors employed as active layers in field-effect transistors (FETs) are of great current interest because such FETs can potentially be fabricated at low cost, over large areas, and on flexible substrates. Such facile fabrication approaches offer a significant advantage over silicon technology in numerous applications.     

基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...     

OTS修饰的酞菁锌薄膜晶体管

制备并提纯了酞菁锌(ZnPc)有机场效应晶体管,该薄膜器件以具有大π键的ZnPc作为载流子传输有源层,以自制的热生长SiO2膜层作为晶体管的栅绝缘层,经长链两亲分子十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰以后,具有复合双绝缘层的结构.测试结果显示:以此为基础制备的器件具有良好的I-V输出特性,OTS/SiO2复合双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

硅低温双极型晶体管电流增益的分析

从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法,结论如下:电流增益由发射效率决定时,具有正温度系数,且随温度下降而下降,下降程度随工作电流的减小而增强.发射区采用轻掺杂技术以减小禁带变窄量,并考虑载流子冻析效应,可获得适于低温工作的硅双极晶体管.     

基于二叉推荐树的可信评估模型

在网络安全领域,可信被定义为一个实体期望另外一个实体执行某个特定动作的可能性大小。为了加强网络的安全性,允许某个结点去评估其他结点的可信性是非常重要的。本文主要讨论的是对可信事件的推荐评估。首先介绍了可信的相关概念和特性;接着,网络被抽象成一个有向图,在该图中,顶点代表实体或用户,边被看成可信关系,这样,评估过程可以看成是在有向图当中寻找最短路径问题,通过对影响推荐信任的因素分析,得到间接信任计算公式,为每个结点建立一个二叉推荐树,用来存储该结点能够推荐的结点以及这些结点推荐信任值,并在每个周期后动态地调整和整理该二叉推荐树;最后,对该模型的有效性进行了分析。