首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 795 毫秒
1.
提出采用萃取法加收苯乙胺的工艺方案,考察了多种萃取剂的萃取性能,确定了氯仿作萃取剂的操作条件。根据实验和计算表明本方案苯乙胺的萃取收率可达97%以上,苯乙胺的总回收率可达87%以上。  相似文献   

2.
研究了α(pre)一映射的性质,证明了α—紧性(强紧性)是α(pre)—同胚映射下的不变量.  相似文献   

3.
4.
证明了当f∈Lipα(R^n)(0〈α〈1/2)时,f的S函数或处处有限,或处处为∞;如属前者,则S(f)∈Lipα(R^n)(0〈α〉1/2),且‖S(f)‖^α≤C‖f‖^α,其中C是与维数n,α有关的常数。  相似文献   

5.
在(α,β)—导子定义基础上,给出了Jordan(α,α)—导子的定义,证明了2—非挠素环上的Jordan(α,α)—导子是(α,α)—导子。  相似文献   

6.
素馨醛(α—戊基肉桂醛)的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
以庚醛和苯甲醛为原料在碱性介质中缩合合成α—戊基肉桂醛.讨论反应温度、反应时间和投碱量对产率的影响.  相似文献   

7.
利用电子探针微区成分分析测定了Ti-Al-Fe部分的α(α2)/γ相平衡成分,并进行了热力学分析。结果表明,相对于Ti-Al二元系,Fe的加入使α(α2)/(α(α2)+γ)和(α(α2+γ)/γ相界线均向富Ti方向移动;Fe在α(α2)相中的溶解度小于γ相,Fe为γ相稳定化元素。  相似文献   

8.
9.
以庚醛和苯甲醛为原料在碱性介质中缩合合成α-戊基肉桂醛,讨论反应温度、反应时间和投碱量对产率的影响。  相似文献   

10.
与肿瘤坏死因子—α—有关的抑制物(综述)   总被引:3,自引:0,他引:3  
与肿瘤坏死因子-α有关的抑制物(综述)唐海兰(暨南大学医学院组织胚胎学教研室,510632,广州)关键词:肿瘤坏死因子;免疫;抑制中图分类号:R34-2肿瘤坏死因子-α(tumornecrosisfactor-α)是机体免疫系统中产生的最重要的细胞因...  相似文献   

11.
合成了三羰基钴,用^13CNMR、^1HNMR、IR和元素分析等方法表征了该络合物的结构,并对其性质进行了研究。  相似文献   

12.
13.
证明了(α,β)-Pade逼近算子的发散性。  相似文献   

14.
在a-F格和模糊F拓扑空间中,引入α-序同态和保开(闭)度映射概念。证明了α序同态的以下性质:若f:I^X→I^Y是α-序同态,则f保α并,f^-1既保-α并又保α交;给出了保开度映射的若干等价刻来;研究了强保开度映射与同胚映射之间的关系。  相似文献   

15.
4—(α—呋喃甲酰基)—PMP质谱裂解规律研究   总被引:7,自引:2,他引:5  
通过质谱分析法和理论计算,首次对4-(α-呋喃甲酰基)-PMP的质谱特性进行了较系统的研究与报道。  相似文献   

16.
分析了金属间化合物α-(AlMnSi)的空间结构,并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α-(AlMnSi)的理论键距及其各种原子所选取的杂阶,在此基础上计算出α-(AlMnSi)中Mn原子键络的共价键键能。  相似文献   

17.
通过理论分析提出了一种在Si(001)/α-Al2O3(1102)SOS膜上,标定出Si」110「方向的方法,并在实验中得到验证。该法便于精确控制和检测制作薄膜的外延方向,为制作性能优异的SOS膜压力传感器提供了可靠的质量保证。  相似文献   

18.
用NBS为溴化试剂同芳酸酯反应,制备了5种献未见报道的α-溴代芳氧乙酸酯新化合物;通过溴代物同1,2,4-三唑反应,合成了5种新型三氮唑类化合物;经IR、^1HNMR、MS及元素分析确定了化合物的结构。  相似文献   

19.
纳米复合(NdDy)2(FeNb)14B/α—Fe永磁合金   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用单辊急冷法并晶化退火制备了高剩磁,高矫顽力和高磁能积的(NdDy)2(FeNb)14B/α-Fe纳米复合永磁合金,其最佳磁性能分别为Br=1.02T,Hei=702kA/m(BH)max=134kJ/m^3,合金的组织结构由硬磁相(NdDy)2(FeNb)14B和软磁相α-Fe在纳米级范围内复合而成,两相的平均晶粒尺寸为30nm,该咱合金优异的磁性能起源于纳米晶硬磁相和软磁相之间的磁交换耦合作  相似文献   

20.
研究了由ε算子族定义的推广的Littlewood-paley算子在Lipschitz函数类上的性质,得到了与已有文献类似的结果。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号