钯取代Dawson型钨磷杂多酸聚吡咯薄膜修饰电极的制备及其电化学性能

通过缺位填充法合成了分子式为α2-K8[P2W17PdⅡOH2]O61的钯(Ⅱ)取代Dawson型十八钨磷酸盐.在玻碳电极(GC)上,用电化学方法将单取代Dawson型杂多酸盐α2-K8[P2W17PdⅡOH2]O61的阴离子(P2W17Pd)掺杂到聚吡咯(PPy)薄膜中制成P2W17Pd/PPy/GC化学修饰电极,实验观察到一对氧化还原峰,归属于P2W17Pd中的钯原子.P2W17Pd/PPy/GC既保持该杂多酸的电化学活性和电催化性能,又具有良好的稳定性和灵敏度.研究表明,0.10mol·L-1H     

亚硝基聚吡咯修饰离子选择电极的制备及电化学性能

用循环伏安法制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择电极。表征电极的电化学性能。在１．０＊１０＾－１－５．０＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ浓度范围内，电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好从而验证了电极响应是基于要机理。     

硅钼杂多酸-聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性能的研究

用电化学方法将硅钼杂多酸催化剂固定在导电聚吡咯薄膜电极上,制得了具有表面功能的硅钼杂多酸掺杂的聚吡咯薄膜修饰电极,实验发现在0．5mol/L H2SO4或0．5mol/L KCl介质中制得的硅钼杂多酸的聚吡咯薄膜修饰电极具有较好的稳定性和催化性能,用扫描电镜（SEM）,SEM－能谱仪（EDS）和X射线光电子能谱（XPS)等手段对修饰电极进行了表征。     

聚吡咯膜修饰电极的制备与应用

采用电化学方法制得聚吡咯(PPy)膜修饰电极,经不同的化学方法处理,此类电极对溴(Br-)离子具有选择性效应,分别研究了溴(Br-)离子的掺杂效应及电极的电化学行为.     

聚吡咯修饰电极应用的研究

制备了经碱的掺铁氰根聚吡咯修饰电极,发现此电极对多巴胺有较强的选择性富集作用,由此建立了多巴胺新的分析方法,实验表明,过量的抗坏血酸（AH2）不干扰多巴胺的测定,该法用于测定多巴胺,获得了满意的结果。     

亚硝基聚吡咯修饰离子选择性电极的制备及电化学性能

用循环伏安法（CV）制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择性电极。表征了电极的电化学性能。在1．0x10－1～5．0x10－5mol／L浓度范围内，电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好的线性关系，Nernst响应科率为51mv／PNO2－。观察了NO2-在PPy膜中掺杂＝去掺杂过程，从而验证了电极响应是基于掺杂机理。     

聚吡咯修饰电极测定抗坏血酸的研究

对掺铁氰根聚吡咯电极的聚合、伏安行为、电催化效应及其在抗坏血酸测定中的应用进行了研究.该膜电极性能稳定,对抗坏血酸催化效果好,抗坏血酸浓度在5×10-6~6×10-3 mol/l范围内有很好的线性关系,用于测定果汁饮料中抗坏血酸获得满意结果.     

聚核黄素膜修饰电极的制备及催化作用

用循环伏安法聚合制备核黄素膜修饰电极 ,研究该修饰电极的电化学性质及电催化性能。聚核黄素膜在PBS底液中有一对氧化还原峰 ,氧化峰电流与υ1/ 2 在 10 0～70 0mV·s-1范围内成正比。该修饰电极在酸性和碱性溶液中对半胱氨酸均有显著的催化作用 ,且碱性溶液的电催化反应步骤中无H+ 参加     

掺铁氰根聚吡咯膜修饰电极的制备及其电化学性质的研究

本文用循环伏安法研究了掺铁氰根、吡咯在Ｈ＿２ＳＯ＿４水溶液中、玻碳电极上研磨、电化学聚合过程及影响因素、伏安性能和应用。     

电化学方法制备石墨烯修饰电极在亚硝酸根检测中的应用

采用循环伏安法直接制备了石墨烯修饰玻碳电极并对其进行了表征,研究了亚硝酸根在石墨烯修饰玻碳电极上的电化学行为.研究结果表明:石墨烯修饰电极对亚硝酸根的氧化有良好的电催化活性,在0.10 mol·L-1PBS缓冲液(pH值为7.0)中动态安培法检测亚硝酸根的线性范围为2.69×10-6～8.13×10-4 mol·L-1和8.13×10-4～8.56×10-3 mol·L-1,灵敏度分别为42.68和10.91 μA·(mmol·L-1)-1,检出限为8.68×10-7mol·L-1(3sb).利用该方法测定了土壤样中亚硝酸根的含量,结果令人满意.     

聚吡咯掺杂溴酚蓝修饰玻碳电极的制备和电化学性质

将玻碳电极在含吡咯、溴酚蓝(BPB)和KCl的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中进行循环电位扫描,可在玻碳电极表面形成掺杂溴酚蓝的聚吡咯薄膜.制备的修饰电极在PBS中进行循环伏安扫描产生一对可逆性很好的氧化还原峰.电极具有良好的稳定性和电化学活性.对烟酰胺腺嘌呤二核苷酸(NADH)的氧化有催化作用.     

聚合物薄膜修饰电极及其新进展

简介了聚合物薄膜修饰电极的基本类型，讨论了电极修饰的聚合物材料、修饰层结构和在应用方面最近的进展。     

nano-TiO2修饰金电极对NO2-的电化学检测

研制了一种纳米二氧化钛薄膜修饰的金电极(nano-TiO2/Au),用循环伏安法研究了亚硝酸根(NO2)在该电极上的电化学行为,并对实验条件进行了优化.实验结果表明,该电极在酸性介质中(0.1mol/LH2SO4)对NO2的氧化具有高度灵敏性和选择性,且大多数阳离子对NO2的测定无干扰.NO2的氧化峰电流与其浓度在2.0×108~4.0×104mol/L范围内呈良好的线形关系,检测限可达2.0×109mol/L.     

聚吡咯薄膜修饰电极对邻苯二酚和对苯二酚的测定

在0 85V的恒电位、聚合80s的条件下制得的PPy膜电极对邻苯二酚和对苯二酚进行测定,用自编的BASIC程序对其线性范围数据分别进行处理,均为5×10-6g/mL-40×10-6g/mL和2×10-6g/mL-40×10-6g/mL,对苯二酚的平均回收率为100 50%     

碳纳米管化学修饰电极及其在药物分析中的应用

讨论了化学修饰电极、碳纳米管以及碳纳米管化学修饰电极在药物分析方面的应用。     

铁氰化钴/铜复合膜修饰电极的制备及其对肼的电催化

采用循环伏安法制备了铁氰化钴/铜(Cu/CoHCF)复合膜化学修饰电极,研究了该修饰电极的电化学性质及电催化活性。结果表明,复合物不是铁氰化钴(CoHCF)与铁氰化铜(CuHCF)的简单混合物,而是钴、铜共沉积形成的多核铁氰化物。该电极对肼具有良好的电催化活性。在优化条件下,安培法检测肼的线性范围为4.6×10-6～4.4×10-2 mol.L-1,检测限(3Sb,n=11)为8.0×10-7 mol.L-1,灵敏度为143.1"A.(mmol.L-1)-1。该法已用于模拟水样中肼含量测定。     

多壁碳纳米管-石墨烯复合膜修饰电极电化学检测异烟肼

采用水合肼还原法制备了多壁碳纳米管（MWCNT）-石墨烯（GR）纳米复合物（MWCNT-GR）,并采用滴涂法制备了此纳米复合物修饰的玻碳电极（MWCNT-GR/ GCE）,研究了该修饰电极上异烟肼（Isonia-zid,INZ）的电化学行为.结果表明:在 pH 值为4.0的 HAc-NaAc 缓冲溶液中,异烟肼在0.35 V 处产生一灵敏的不可逆氧化峰.线性扫描伏安法测定异烟肼的线性范围为1.0×10-7~1.0×10-4 mol·L -1,检出限为5.0×10-8 mol·L -1（S/ N =3）.用该法测定了异烟肼注射液中异烟肼的含量,结果令人满意.     

壬基酚基于乙炔黑/壳聚糖膜修饰电极的电化学测定

构建了一种基于乙炔黑/壳聚糖膜修饰电极的壬基酚电化学测定方法.分别实验了壬基酚在裸玻碳电极和膜修饰电极上的电化学行为,并对实验条件进行了优化.结果表明,壬基酚在pH 7.0的磷酸盐缓冲体系中,在乙炔黑/壳聚糖膜修饰电极上具有灵敏的电化学响应.相对于裸玻碳电极,壬基酚在膜修饰电极上的氧化峰电流大大提高,峰电位负移50 m...     

三溴苯酚磷酸酯化学修饰电极测定黄嘌呤含量的研究

采用吸附法将三溴苯酚磷酸酯修饰于玻碳电极表面,以微分脉冲伏安法对黄嘌呤含量进行定量测定.在pH=9的氨性底液中,峰电流较裸电极电流提高一倍.在扫描速率为2 mV/s~12 mV/s时,峰电流与黄嘌呤的浓度间呈线性关系,线性范围是5×10-6mol/L~3×10-4mol/L,检出限为1×10-7mol/L.