非均匀加宽激光器的增益系数测量

讨论了非均匀加宽激光器的增益系数测量实验的原理、装置及调试过程。该实验将提高实验操作者的实验技能，同时加深其对增益系数的理解。     

渐变方式对量子阱激光器电流注入效率的影响

通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系.     

温度对1.3μmInGaAsP半导体激光器增益特性的影响

使用计算机控制的测量系统，测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的自发发射光谱，计算了增益谱，同时研究了最大增益与环境温度的依赖关系。利用实验结果对Ｌａｓｈｅｒ和Ｓｔｅｒｎ的简化分析模型作了拟合处理，得到发射复合系数与温度的依赖关系。     

外注入式增益开关激光器最优控制分析

从外注入式单模速率方程出发,附加尾随机噪声项,讨论了增益开关分布反馈式半导体激光器偏置电流,调制电流,调制频率在无外部注入和有外部注入的条件下与输出脉宽,脉冲抖动的关系.从理论上得出了低抖动,窄脉宽输出时的最优外部控制条件.     

BN纳米管载流子注入的库伦效应

以态密度为基础,通过计算系统增加一个电子时,产生的系统能量ΔE变化,以及把BN纳米管看成一个电容入载流子时的库伦效应,得到库伦排斥能,分析库伦排斥对电子输运的影响,研究BN纳米管注入电子的过程.     

InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备

针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．     

增益开关分布反馈半导体激光器输出特性的研究

讨论了采用增益开关技术在分布反馈半导体激光器上产生超短光脉冲的特性。理论分析表明，光脉冲特仅与峰值反转率ｒ有关，峰值功率随ｒ升高而升高，脉宽随ｒ升高而降低。     

测均匀激光器增益的新方法

在变耦合率测激光器增益方法的基础上，通过测定最佳输出耦合率和适当的数字变换，得到确定激光介质小信号增益的新方法。该方法避免了变耦合率方程拟合法所存在的问题，     

PDG对光纤激光器的影响

从偏振相关增益的机理－偏振选择饱和出发，通过对反转粒子数分布进行傅立叶展开，推导了常双折射系数掺饵光纤放大器中与偏振有关的增益（ＰＤＧ），并计算了不同偏振态光场的增益。分析了ＰＤＧ对光纤激光器的影响及在设计过程中的应用。     

增益开关半导体激光器特性的实验研究

本文用分布反馈半导体激光器和增益开关技术，研究了不同工作条件下超短光脉冲的输出特性。     

测均匀激光器增益的新方法

在变耦合率测激光器增益方法的基础上，通过测定最佳输出耦合率和适当的数字变换，得到确定激光介质小信号增益的新方法，该方法避免了变耦合率方程似合法所存在的问题。     

增益开关半导体激光器脉冲啁啾的补偿

通过对增益开关半导体激光器脉冲啁啾以及窄带Ｆ－Ｐ滤波器色散特性的分析，说明Ｆ－Ｐ滤波对增益开关光脉冲起到带通滤波及补偿脉冲啁啾利用，适当设计Ｆ－Ｐ滤波器的结构参数，可以获得符合变换限制关系的增益开关脉冲。     

近红外半导体激光器注入电流和工作温度的精密控制

为获得高稳定的半导体激光器的频率输出研究了其注入电流和工作温度的高精控制方法，讨论了控制电路的原理和实际设计，给出了激光器注入电流，工作温度稳定性的测量结果，用稳定的激光器观察了汽泡铷原Ｄ２吸收谱线。     

氟化氢化学激光器谐波和基波增益器的优化

氟化氢（ＨＦ）化学激光器是ＳＤＩＯ天基激光武器系统的基础，适合这种应用的功率值的地基实验已经做了演示。由于射达远场的激光束亮度与波长的平方成氢比，所以如果要增加靶上激光束的亮度，缩短波长是必要的。在过去的几年里，为应用于天基而发展起来的ＨＦ谐波激光器技术（１．３￣１．４μｍ）在迅速的发展。本文在超音速低温喷管（ＨＹＬＴＥ）的设计参数特征和优化方面对ＨＦ的谐波与基波性能作了评估。实验是用先进的、未经     

激光器中增益随场的变化规律

目的研究激光器中增益随电场的变化规律。方法对多普勒加宽情况下的增益系数进行化简;利用增益系数推导激光系统的动力学方程。结果得出激光系统中增益随电场变化的动力学方程,给出增益随场的变化曲线。结论增益不但随频率变化,而且随电场变化;其随场变化曲线类似于平抛运动曲线。     

腔内非均匀增益对DF化学激光器本征模式特性的影响

通过对氟化氘(DF)化学激光器腔内气动流场的分析,建立了包括小信号增益系数分布和折射率起伏分布的非均匀增益分布模型,进而分析了化学激光器腔内非均匀增益分布对其模式特性的影响。采用增益介质多层分布法和Fox-Li迭代法,计算了具有非均匀增益分布的DF化学激光器有源腔本征模式分布,并利用功率谱密度(PSD)及 Zernike 像差系数对无源腔以及有源腔本征模式的相位特性进行了比较分析。研究结果表明：DF 化学激光器腔内非均匀增益特性会引起其本征模式分布不均匀性和波前相位高频比例的增加,进而导致激光器输出光束的光束质量明显下降。     

PDG对光纤激光器的影响

从偏振相关增益的机理——偏振选择饱和出发,通过对反转粒子数分布进行傅立叶展开,推导了常双折射系数掺铒光纤放大器中与偏振有关的增益（ＰＤＧ）,并计算了不同偏振态光场的增益．分析了ＰＤＧ 对光纤激光器的影响及在设计过程中的应用     

栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子注入的影响

采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。     

非辐射复合对1.3μmInGaAsP/Inp激光器T_0的影响

分别用宽、窄脉冲电流激励1.3μm InGaAsP/InP激光器,测量了其特征温度T_0,得到了窄脉冲下T_0为178.9 K,宽脉冲下T_0为74.7 K,用电光延迟法测量了激光器阈值载流子寿命τ_(th)随温度的变化,讨论了引起高T_0的原因。