论金属价电子不是自由电子

本文认为金属中价电子运动有两种形式：绕核运动和移位运动。其中,绕核运动不受阻力作用;移位运动受到阻力作用,克服运动阻力做功必须消耗能量。文中建立了电子在金属中移位运动的阻力方程和功耗方程,提出并论证了“金属价电子可以移位运动,但不是自由电子”的理论观点。本文的观点,动摇了建立在自由电子论观念之上的各种理论的根基,具有观念变革的意义。     

高核过渡金属簇合物的电子计数规则的研究

文章介绍了高核过渡金属簇合物的各种电子计数规则的研究现状.高核过渡金属簇合物的电子计数规则的公式可表示为NVE=2(4 n_s+9 M_s-L_s+L_i+xM_i+Z)+K.其中,NVE表示簇合物的价电子数.n_s和M_s分别表示整个骨架表面上拥有的主族原子数和过渡金属原子数.Ls表示骨架表面上的边数.Mi项表示填隙过渡金属原子数.Li表示由填隙原子间所形成的边数.x是M_i项的系数,填隙过渡金属原子不与其他填隙过渡金属原子生成化学键时,x=0;填隙过渡金属原子M_i项与其他填隙过渡金属原子生成化学键时,x=1.Z表示用Wade规则或Lauher的EHMO方法计算的NVE值与用稀有气体规则计算的NVE值之差的二分之一.M_(i0)表示被埋藏在Z值大于零的分骨架内部的填隙过渡金属原子,它可看作仅提供价电子的配体.n_s项必须参与形成埋藏M_(i0)项的Z值大于零的分骨架.L_i不能由M_(i0)和其他原子组成.K表示成单的价电子数.     

Fe，Co，Ni的价电子结构分析及物理性能计算

应用《固体与分子经验电子理论》计算了α-Fe,β-Co和Ni的价电子结构,在此基础上,计算了它们的居里温度、磁矩、结合能和熔点．计算结果与实验值相符．根据计算结果：这些元素的磁矩只与磁电子相关;居里温度除与磁电子相关外,还与磁性原子间的距离有关;结合能随共价电子数的增加而增大,随磁电子与哑对电子之和的减小而增大;对熔点起主要作用的是最强键上的共价电子对数,晶格电子项作用微弱,哑对电子起削弱作用,单个磁电子的作用可忽略．这些结果表明：α-Fe,β-Co和Ni的物理性能与其价电子结构密切相关,轨道间价电子的转化将改变这些磁性金属的物理性能．     

铁铝化合物/碳化钛复合材料的界面电子结构

金属间化合物高温性能优异,并可通过裂纹桥连作用改善韧性,它与陶瓷形成的复合材料具有优异的力学性能.文中利用固体与分子经验电子理论,研究了B2结构FeAl金属间化合物与Bl结构TiC陶瓷两相的界面电子结构.经价电子结构计算得到,B2结构FeAl相有26种原子组态,B1结构TiC相有20种原子组态.采用晶面共价电子密度模型,计算了各种原子组态下FeAl相(100),(110)和(200)晶面,以及TiC相(100),(110)和(111)晶面的共价电子密度.结果表明,FeAl的(100),(200)晶面与TiC的三个晶面上的电子密度值差别均较大,而FeAl的(110)晶面与TiC的(100)晶面上电子密度在一级近似范围内是连续的.采用适当的制备工艺使复合材料中存在更多的(110)FeAl∥(100)TiC界面,有可能使这种复合材料具有更为优异的力学性能.     

电热效应机理分析

分析了电热产生的机理,认为,绝缘体材料中的电热是由于外电场作用使价电子能态升高,改变了构成材料的价电子空间位置,使得晶格势场分布发生了变化,价电子系统处于高能状态.价电子系统由高能状态向低能状态转变的过程,对应于导体由热学非平衡态向平衡态——热学最可几状态转变,此时以热的形式放出多余能量,即表现为电热.导体载流时,载流子在作宏观定向运动,当其靠近原子实时,由于在晶格势场中的能态降低,故以热的形式放出多余能量,这就是通常所说的电流热效应.其实,电热与载流子宏观定向运动无关,例如,处于超导载流态的超导体内,虽然有载流子的宏观定向运动,但没有电热产生.电热产生是与价电子能态变化紧密相关的.     

铝的价电子结构参数统计值的计算

基于固体与分子经验电子理论,计算并分析了纯金属晶体Al的价电子结构及同相界面上的键络分布,进而计算了价电子结构参数统计值n′A,E′A,Δρ′。计算结果表明:Al原子处于第4、5杂阶时为原子可能存在的真正状态;结构参数的统计值分别为n′A=0.223 23,E′A=28.580 39 kJ.mol-1,Δρ′=4.513 6%。     

金属Mo的价键结构随温度和压力的变化

根据能形法确定金属Mo的价键结构,并研究金属Mo的价键结构随温度和压力的变化。研究结果表明:室温时,金属Mo的外层价电子数为e c4.910 4(dc2.700 4+sc0.560 0+p1c.650 0)e1f.089 6,单键半径为0.128 08 nm;随着温度升高,金属Mo的共价电子减少,近自由电子增加,但在固相范围内变化不大;随着温度升高,键长增长,键价降低,键能也降低;零压时金属Mo的外层价电子数为e c4.903 2(dc2.703 2+sc0.560 0+p1c.640 0)e1f.096 8,单键半径为0.128 04 nm;随着压力的升高,金属Mo的共价电子增加,近自由电子减少,晶体的共价性增加,金属性减弱,且键长缩短,键价增大,键能降低。     

WC,TiC,Fe3 C及Co2C的价电子结构与性能的分析

运用固体与分子经验电子理论计算了几种过渡族金属碳化物的价电子结构,发现碳化物的主要价电子结构参数主键键能与碳化物的熔点、硬度及生成焓之间存在着很好的相关性.     

固体材料中原子核外价电子能态变化研究

研究了改变材料中价电子能态的方式问题,结果表明,温度、材料体积、外场和掺杂是改变材料内价电子能态的四种方式,指出,材料体积对价电子能态的影响主要表现在0 K时能带的形成;温度和外场对价电子能态的影响,主要体现在对价电子轨道运动能量的影响上;掺杂改变了晶格势场的分布,从而改变了价电子在晶格势场中的电势能,改变了价电子的能态.     

FLN用于金属离子-HEDTA配合物稳定性研究

采用函数连接型神经网络 (FLN)的方法 ,以金属离子的电荷、半径、价电子结构、电负性及适配价轨道数因子为参数 ,成功地关联了 30种已知的金属 -HEDTA配合物稳定常数logK值 ,并在此基础上 ,预报了包括所有锕系元素在内的 39种金属 -HEDTA配合物的logK值     

小议光电子的产生

从动、能量守恒律出发,分析出产生光电效应的光电主要是金属中的共有化价电子.     

加法噪声驱动的随机Lorenz系统吸引子及其上半连续性

确定的Lorenz系统是描述大气运动规律的重要数学模型,具有深厚的应用背景,被许多学者广泛研究,然而气候环境受突变因素影响,确定的情形无法完全解释大气的运动规律性;基于此,研究了一种基于加法白噪声驱动的随机Lorenz系统的渐进行为,通过恰当的估计证明了系统在参数不受约束条件下存在随机吸收集,进而获得了随机Lorenz...     

电子隧道效应新释

用经典物理的办法解释了电子隧道效应,认为电子隧道效应是导体中的自由电子扩散到绝缘层中,使得绝缘层中的价电子能态升高,由束缚态（局域态）转变成自由态（公有化态）,从而参与裁流的现象：导体中的自由电子扩散到绝缘层中,由于库仑斥力的作用,使得绝缘层中的价电子在晶格势场中的能态升高,降低了势垒高度,同时,由于载流子定向运动产生的霍尔电场对价电子做功及电流产生的焦耳热也使得价电子能态升高。在三个因素的影响之下,绝缘层中价电子能态升高,由局域态转变成自由状态,从而参与载流。根据绝缘层厚度和隧道效应的尺寸,可以判定金属中价电子对绝缘层中价电子的作用范围大约是十几A的限度．     

金属间化合物的价电子结构脆性判据

根据余氏理论提出了一个价电子结构参数－－均匀变形因子ａ,分析了Ｔｉ－Ａｌ及Ｆｅ－Ａｌ两个合金系各相的价电子结构,并计算了其ａ值,发现ａ与延伸率δ有很好的对应关系,由此解释了金属间化合物的脆性本质,并进而总结给出了一个经验的脆性判据。     

人造金刚石金属包覆膜内γ-(FeNi)(111)与Fe3C(004)晶面上原子匹配关系与电子密度分析

用透射电子显微镜(TEM)检测了高温高压下铁基触媒合成金刚石外的金属薄膜,发现存在大量的合金相γ-(FeNi)与高碳相Fe3C,但未发现石墨与金刚石结构.γ-(FeNi)(111)晶面与Fe3C(004)晶面上的原子有对应匹配关系.应用余氏理论(EET)计算了γ-(FeNi)/Fe3C界面的共价电子分布,发现一级近似下两晶面的平均共价电子密度(简称电子密度)连续,符合程氏理论(TFDC)提出的"相邻晶面电子密度连续"的原子边界条件.分析认为,γ-(FeNi)与FeaC分别是金属薄膜中形成金刚石的催化相和过渡相.     

一类衍生Lorenz混沌系统的混沌分析

利用Lyapunov指数谱、 分岔图、 功率谱、 庞卡莱映射及相图分析方法, 研究由Lorenz系统衍生的一种混沌系统的运动规律. 对系统参数的数值模拟结果表明, 当参数取不同值时, 衍生系统分别呈现稳定、 周期、 拟周期及混沌等动力学行为.      

基于滑模技术的时变Lorenz系统的自适应同步

讨论了参数为时变的Lorenz系统的同步问题的自适应控制.驱动系统的参数未知并在一个有界区间内变化,同时区间的边界也未知.利用自适应控制设计控制器,并且为了增强混沌系统的鲁棒稳定性,控制器的设计运用了滑模控制的方法.在控制器的作用下,实现了响应Lorenz系统与驱动Lorenz系统的全局渐近同步.数据仿真表明该控制的有效性和可行性.     

F—H汞管阴极电子逸出功的测定

许多电子设备中使用的电子管（如直热式二极管、Ｆ—Ｈ汞管等），其灯丝必须通以一定的电流才有电子发射出来，这是因为要使电子逸出金属表面，必须克服阻力作功，加热就是使电子动能增加便于作功的方法之一。金属最简单的模型是自由电子的模型，金属离子实形成均匀分布的正电荷背景，价电子已脱离原来所属的离子实的束缚在空间点阵内自由运动，而价电子间的库仑力可以忽略，这时金属中的自由电子气可以看作在均匀正电荷背景上自由运动的近独立粒子组成的费密系统，而且电子质量很小，密度大，乃是理想的简并性气体，故金属中电子能级的分配…     

广义Lorenz映射的混沌行为及不变密度

用符号动力学证明了广义的、即具有2个或以上间断点的分段线性Lorenz映射以移位自同构为子系统,即系统是混沌的,并给出了拓扑熵的下界以及Lyapunov指数的上界与下界.讨论了广义Lorenz映射的不稳定周期轨道的周期及稠密性,给出了不稳定周期轨道的周期.用构造下界函数的方法论证了分段线性广义Lorenz映射在随机作用随机扰动下系统具有统计稳定性.     

一个新复类Lorenz混沌系统的分析与追踪控制

在一个类Lorenz系统基础上构造新复类Lorenz混沌系统,运用Lypunov指数谱、分岔图分析新复类Lorenz系统的动力学行为,分析表明,随着参数的变化所构造新复类Lorenz系统呈单周期、高周期、准周期及混沌运动.并设计自适应追踪控制器,实现对周期信号和不同阶异结构广义同步的单变量追踪控制,运用Lyapunov稳定理论进行理论证明,同时运用数值仿真验证所设计自适应控制器的实用性和有效性.