极小(C_4,K_4;7)-平面图

若平面图G没有与H1同构的子图,且G没有与H2同构的子图,则G称为(H1,H2)-平面图.(H1,H2;n)-平面图表示n阶的(H1,H2)-平面图。若G是(H1,H2;n)-平面图,去掉G的任意一条边,都不再是(H1,H2;n)-平面图,则G称为极小(H1,H2;n)-平面图.本文给出了所有的极小(C4,K4;7)-平面图,有助于证明PR(C4,K8)。     

极小(C_4,K_5;11)-平面图

若n阶平面图G的任一子图都不与H_1同构,且G的任一子图都不与H_2同构,则G称为(H_1,H_2;n)-平面图;平面Ramsey数指不存在(H_1,H_2;n)-平面图的最小n。本文利用对称性及反证等方法,得到了所有的极小(C_4,K_5;11)-平面图,有助于证明平面Ramsey数。     

基于完备剩余格值逻辑的自动机理论

建立了基于完备剩余格值逻辑的自动机理论的基本框架. 首先延拓状态转移关系, 特别是得到了模糊(l值)自动机对剩余格的一个刻画; 然后讨论了模糊(l值)子机, successor和source算子的基本性质及它们相互的等价关系, 并由此推出这两类算子是模糊(l值)闭包算子; 最后给出了模糊自动机的L双模糊拓扑刻画, 从而建立了较为宽泛的模糊自动机理论.     

基于完备剩余格值逻辑的自动机理论——Ⅰ.拓扑刻画

建立了基于完备剩余格值逻辑的自动机理论的基本框架.首先延拓状态转移关系,特别是得到了模糊(l值)自动机对剩余格的一个刻画;然后讨论了模糊(l值)子机,successor和source算子的基本性质及它们相互的等价关系,并由此推出这两类算子是模糊(l值)闭包算子;最后给出了模糊自动机的L双模糊拓扑刻画,从而建立了较为宽泛的模糊自动机理论.     

高温应变下的亚晶界湮没与位错旋转机制的晶体相场模拟

采用先进的晶体相场模型,分别模拟了不同高温条件下的小角对称倾侧晶界,在施加应变下的晶界分解和亚晶界湮没的过程.研究表明:对于不靠近固-液共存温度的高温(T1)预熔化样品,施加应变下的晶界位错发生滑移运动,生成亚晶界和新的晶粒.随后,具有相反Burgers矢量的位错亚晶界相向运动,新晶粒不断吞噬旧晶粒而长大,最后发生亚晶界相遇湮没,亚晶界和预熔化区域消失,双晶转变为完整单晶.对于靠近固-液共存温度的高温(T2)预熔化样品,在应变作用下,生成的亚晶界相向运动,当接近到一定距离时,形成位错对偶极子,发生亚晶界位错结构二次转换,之后亚晶界运动反向,往回迁移运动,最后与另一列返回的亚晶界相向靠近,相互作用转变成"之"字形的亚晶界,然后湮没消失,整个体系转变为单晶.对于高温T2预熔化亚晶界,在应变作用下,形成位错对偶极子的过程中,偶极子的2个位错对的预熔化区域开始扩张、连通,形成近似棒状区域.这一过程的实质是高温预熔化区内部的原子晶格变软,使得在应变作用下,原子排列可以较容易的发生滑移和扭转变形,发生了不同类型的位错相互作用,出现了位错萌生、形核和增殖,位错分解和湮没等一系列位错反应,由此引起了位错的Burgers矢量方向的改变和亚晶界位错类型交换.     

Fe-Mn-Si 形状记忆合金fcc(γ)→hcp(ε)马氏体相变的临界驱动力

应用周国治提出的新溶液模型计算所得的Fe Mn Si中γ和ε相的Gibbs自由能 ,并考虑了Si的影响 ,重新导出了γ和ε相随温度变化的热力学参量 .用最小均方根方法将实验值拟合得到合金γ相的Neel温度与组分浓度 (摩尔分数 )的关系式 :TγN=6 7xFe 5 40xMn xFexMn[76 1 6 89(xFe-xMn) ]- 85 0xSi.计算得到不同组分Fe Mn Si合金马氏体相变的临界驱动力ΔGγ→εc ,即合金在Ms 温度γ和ε相的自由能差 ,例如 ,Fe 2 7.0Mn 6 .0Si合金的ΔGγ→εc =- 1 0 0 .99J/mol,Fe 2 6 .9Mn 3.37Si的ΔGγ→εc =- 1 2 2 .1 1J/mol.ΔGγ→εc 与组分的依赖关系符合低层错能合金中fcc(γ)→hcp(ε)马氏体相变的临界驱动力表达式 ,即ΔGγ→εC =A·γ B ,其中γ是层错能 (SFE) ,A和B为与材料相关的常数 .     

关于二维图像Euler数新公式的证明

Euler数是拓扑学的重要特征参数，在二维数字图像中，由局部性质计算图像Euler数的公式，对于4-连通和8-连通是不同的．在定义图段和相邻数概念的基础上，提出了由局部性质计算二值图像Euler数的一种新公式，并证明了该公式在4-连通和8-连通情况下都能成立．为局部计算二维图像的Euler数提供了新的思路．     

溶剂热法合成Sn(Pb)Te-Bi2Te3系热电材料及其性能研究

通过溶剂热-冷等静压成型-常压烧结工艺制备了准二元Sn(Pb)Te-Bi₂Te₃块体热电材料. 研究了前驱粉体的合成方法、生成机理及块体材料的显微结构和热电性能.     

基于模糊相关的彩色图像检索

报道了一种基于彩色直方图模糊相关的彩色图像检索方法. 应用模糊集理论中的α-级关系来定义彩色直方图的匹配色彩峰, 从而得出色彩峰的高度匹配关系, 通过综合所有色彩峰的高度匹配得出彩色直方图的相关值. 实验证明该方法可以有效地提高检索效率. 其中, 通过改进色彩矢量分区比较的实验方法, 把整个RGB色彩空间分为六个子区, 减小了色彩漏判的可能性.     

基于概念词的特征提取方法

为解决因未考虑语义关联造成的VSM描述不准确的问题,基于知网本体库计算词语间的语义相似度,采用识别完全子图的方式生成概念词列表,再用概念词替换存在密切语义关联的词语.实验表明,该方法在改进文档特征提取效果的同时也明显降低了向量空间的维度.与不经概念词处理的特征提取方法相比,该方法在分类识别率上有一定提升.     

(火积)·热质能·相对论性动质能

本文共分五个部分.第一部分是前言,简述了(火积)理论形成的三个阶段.第二部分是传热学中的新物理量——(火积),介绍了为什么需要引入(火积)、(火积)的定义和物理意义、(火积)理论及其应用、(火积)理论的学术争议等.第三部分是热质与热质能,给出了热质与热质能的概念和定义,建立了普适导热定律,阐明了热的本质应该是"能、质"二象性.第四部分是相对论性动质能,提出了相对论性动质量和相对论性动质能的概念,以区别于现有的相对论性质量和相对论性能量的概念.介绍了除热质能以外的其他相对论性动质能,它们包括机械能质能、信息能和暗能量.第五部分是新能量学,在简单介绍历史上的能量学(energetics,原译为唯能论)之后,在一类新的能量(相对论性动质能)以及新的能量守恒定律的基础上,提出可望逐步发展形成一门新的学科——新能量学(Neo-energetics)的设想.最后简述了理论和热质理论对能效提高和传热学科发展的贡献,以及它们进一步发展的方向.     

量子测距辅助的网络RTK定位算法研究

针对在GPS网络载波相位实时动态差分(RTK)中短观测历元内,由位置精度因子(PDOP)变化缓慢引起的整周模糊度准确求解困难的问题,提出了采用量子高精度测距辅助整周模糊度的求解方法.采用Householder变换代替双差法,确保了用于求解整周模糊度的各个观测量之间的相互独立,提高了整周模糊浮动解的求解稳定性.数学分析和仿真结果验证了上述方法的准确性和有效性.     

无人机图像全自动生成大比例尺真正射影像方法

随着无人机遥感技术逐步从研究开发阶段发展到实际应用阶段,采用无人机图像进行大比例尺的真正射影像生成方法的研究具有重要的现实意义．本文旨在探索将计算机视觉中获得巨大成功的多视三维重建技术应用到对无人机影像处理中,给出了一种基于运动恢复结构重建算法和多视图立体视觉算法全自动生成大比例真正射影像的方法．本文首先分析了无人机图像PMVS重建点云的特点,给出一种由基于面片多视图立体视觉稠密点生成数字表面模型的方法,然后详细介绍了包括正射影像图像坐标映射模型、可见性计算、基于Markov随机场能量优化的面片选择和匀光处理等真正射影像生成的关键步骤．实验结果以及与商业软件的比较表明：本文给出的方法在野外地形和城市区域均能获取有效的真正射影像结果．     

《世界科技研究与发展》(双月刊)征稿征订启事

本刊由中国科学院院士工作局、中国工程院学部工作局、中国科学院综合计划局和中国科学院成都文献情报中心共同主办，是一份面向当代国际科技前沿和世界各国科技政策与科研管理的国际性综合科技双月刊(国际刊号：ISSN 1006-6055，国内刊号：CN 51-1468／N，邮发代号：62-200)，     

基因学(Genics)--未来的新兴学科

遗传学的发展是从Heredity(以生物外部表现型为主的数量遗传研究）→Genetics(以生物体内染色体为主的细胞遗传研究）→Genics(以染色体上核酸为主的分子遗传研究）,基因是研究的核心。在二十世纪,在理论方面,基因的结构、功能和概念不断扩展,由单基因→基因家庭→基因簇→同源框基因→基因组学,在应用方面,从基因工程→基因克 隆→转基因→基因沉默→基因流→转基因安全性的研究,有了飞跃性的发展。基因研究已渗透到各个科学领域,出现了后基因组学,功能基因组学,蛋白组学,功能蛋白组学,功能酶学,生物信息学,生物计算机,药物基因组学,疾病基因组学,工业基因组学,转基因（食品）安全性,基因流,环境基因学等新的基因研究方向。基因产业和基因经济将会成为二十一世纪经济发展的新生点。基因学将在二十一世纪走向更加成熟和完善。     

基于(火积)理论的H形多尺度换热器构形优化

与换热器热有效性定义类比,定义换热器的(火积)耗散有效性为无量纲(火积)耗散率与无量纲总泵功率之比.以(火积)耗散有效性最大为优化目标,分别在换热器管道总体积和总表面积一定的约束条件下,对H形多尺度换热器进行构形优化,得到(火积)耗散有效性最大时的H形多尺度换热器最优构形.结果表明在换热器管道总体积一定的条件下,对于一级T形换热器,当冷、热流体质量流率较小时,热有效性和(火积)耗散有效性最大的一级T形换热器最优构形是明显不同的.对于H形多尺度换热器,给定换热器级数时,(火积)耗散有效性随质量流率的增大而减小;给定无量纲质量流率M(M<32.9)时,(火积)耗散有效性随换热器级数的增加而减小.H形多尺度换热器与H形单尺度换热器相比,多尺度换热器性能得到显著提高.此外,本文还对换热器管道表面积约束的情形进行了讨论.本文优化结果使得换热器的传热和流动性能得到很好的兼顾,可为换热器的优化设计提供参考,有助于丰富(火积)理论内涵.     

模糊图灵机的逼近性与通用性

模糊图灵机是模糊算法或模糊计算的形式模型．文中研究了模糊图灵机的几种变形，这包括基于max-★复合运算的非确定型模糊图灵机（简写为NFTM★，其中★为t-模），非确定型模糊图灵机（简写为NFTM），确定型模糊图灵机（简写为DFTM），以及这些变形的多带版本．得到了以下一些结论：第1，若t-模★不满足有限生成条件，则NFTM★，NFTM和DFTM一般不等价，这里等价指的是识别相同的模糊语言．但在逼近意义下等价，也即，NFTM★可以被NFTM以任意精度逼近，并给出了相关的构造．引入了模糊递归可枚举语言与模糊递归语言的概念，并利用递归可枚举语言与递归语言对其进行层次刻画．第2，如果限制NFTM★的模糊隶属函数的取值域为单位区间[0，1]的一个固定的有限子集D3则存在通用模糊图灵机，用该通用模糊图灵机可以模拟上述类型的限制型模糊图灵机．一般地，通用模糊图灵机在逼近意义下存在，该通用模糊图灵机可以以给定精度模拟任意类型的模糊图灵机．     

室内距离向合成孔径激光成像的实验研究

（逆）合成孔径技术和激光技术的结合,综合了（逆）合成孔径雷达和激光雷达的优势,可以得到高分辨率的二维图像,是一个研究热点．给出了逆合成孔径激光成像雷达原理性的室内成像系统和数据处理方法．系统采用收发镜头分离的方式,可以有效的消除来自镜头和光纤断面等的干扰．数据处理中,给出了基于参考通道技术的一种频率非线性的时域补偿方法,有效的解决了可调谐激光器发射脉冲频率非线性的问题,然后结合已有的平动补偿技术和逆合成孔径成像算法,得到了逆合成孔径激光雷达成像图像．最后,实验结果证明了系统的可行性和所给处理方法的有效性．     

通用可组合的可信网络连接模型和IF-T中的EAP-TNC协议

在UC框架下,研究了可信网络连接（TNC）协议.首先,设计了TNC理想函数F_TNC,EAP认证理想函数F_EAP以及EAP-TNC理想函数F_E-PA,构造了通用可组合的可信网络连接安全模型.其次,在(F_EAP,F_E-PA)-混合模型下提出了通用可组合安全的TNC协议TK-TNC.然后,通过安全性分析,得出D-H PN协议不能实现理想函数F_E-PA.最后,使用Twin DH交换技术设计了TD-H PN协议.通过证明分析,结果表明TK-TNC在(F_EAP,F_E-PA)-混合模型下安全实现F_TNC;基于CDH假设,TD-H PN可以在(F_REG,F_CERT)-混合模型下安全实现F_E-PA.     

反应动力学参数变化对MOVPE生长GaN的反应路径模拟的影响

在金属有机化学气相外延(MOVPE)生长GaN薄膜的反应-输运过程数值模拟中,反应动力学参数(活化能和指前因子)的选取存在很大的不确定性,从而导致不同的气相反应路径和生长速率.本文对前人采用的反应动力学参数的偏差做了归纳总结,讨论了偏差的来源.在此基础上,本文对垂直转盘式MOVPE反应器生长GaN的反应-输运过程进行数值模拟研究.模拟改变不同的反应动力学参数组合,包括加合物的生成和可逆分解的指前因子、加合物不可逆分解生成氨基物的活化能和指前因子以及三聚物生成的指前因子.通过分析主要含Ga物质的摩尔浓度和对应的生长速率的变化,研究上述反应动力学参数变化对GaN生长反应路径的模拟结果的影响.研究的主要结论如下:(1)不同的指前因子和活化能导致不同的反应路径和生长速率的差异,而热解路径比起加合路径能够更有效地提高生长速率.(2)在不考虑三聚物反应时,预测的生长速率值都与实验值接近.原因在于,输运限制的生长速率取决于含Ga粒子的输运速率,不同的反应路径对含Ga粒子的影响此消彼长,但到达衬底的含Ga粒子的总量变化不大,这也很好地解释了不同文献采用不同的动力学参数模拟都与实验基本吻合的原因.(3)改变三聚物反应的指前因子发现,由于热泳力对大分子的排斥作用,三聚物对生长的贡献很小,生成的三聚物越多,与实验的误差越大.模拟结果澄清了前人在模拟MOVPE生长GaN的反应-输运过程中存在的一些问题,并加深了对GaN生长机理的了解.