R（Fe0.8Mn0.2）12（R=Y,Nd）化合物及其氮化物的晶体结构和磁性

利用Ｘ射线衍射技术的磁测量方法研究了Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２（Ｒ＝Ｙ和Ｎｄ）及其氮化物的结构和磁性，实验发现Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２和Ｎｄ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２在室温下均为铁磁性，其易磁化方向分别沿Ｃ轴与锥面，氮化后，晶格常数，居里温度和磁强度显著增加，此外，氮化物的磁晶各向异性也发生了根本变化，铁次晶格的易磁化方向转向基面，钕次晶格的易磁化方向则转到Ｃ轴。     

FexPt100-x取向薄膜的结构与磁性

用电子束沉积法在加热到100℃的MgO（001）基板上生长了50nm厚的FexPt100-x取向薄膜,原子比成分范围为x=[10,85].在500℃进行保温2h的原位热处理后,分析样品的结构及沿面内和垂直于薄膜方向施加磁场的磁性行为.结果表明,随着x的增加,易磁化轴的方向在沿平行于膜面方向和垂直于膜面方向之间反复变化,取决于内秉的磁晶各向异性与外秉的形状各向异性之间的竞争.当x=60时,由于薄膜发生不完全的A1→L10相转变,形成了A1软磁相与L10硬磁相的复合体,样品沿平行和垂直于膜面方向磁化的矫顽力都达到5kOe（1Oe=79.5775Am-1）以上.沿膜面方向磁化时,矫顽力高于软磁相的磁晶各向异性场,并且正负向磁化的剩余磁化强度明显不相等.采用三磁畴软磁相模型,结合硬磁/软磁交换耦合作用,对此进行了解释.这种硬磁/软磁复合材料适合于用来制作磁力显微镜的各向同性高矫顽力探针.     

用转矩法测量磁膜的磁滞回线

一磁膜的厚度一般都是在10■到10~3■的数量级范围内,由于它的磁性很弱,因此一般的冲击法不能测量磁膜的磁性。 Howey(1929)曾经指出,用无定向磁强计可以测量极薄样品的磁性。但是我们的经验表明,这个方法不能用到磁膜磁性的测量。原因是相对子微弱的磁膜磁矩来说,磁化线圈的磁矩太大,以致于把这个线圈磁矩在磁强计的磁针空间产生的磁埸稳定地补偿到它此磁膜磁矩的磁埸小得多的程度是非常困难的。     

北京地区哨声和VLF发射的观测

一、引言闪电所激发的连续谱电磁波,其声频部分有时可以沿地球磁埸力线传播,这样接收到的声音就是哨声。哨声有时在磁共轭点之间可来回反射多次,形成回波列。因为它带回了有关外空大气电离分布、磁埸强度等大量信息,因而成为研究磁层和外电离层的一种简便而有力的手段。甚低频(VLF)发射是由大气外层高能电离粒子流和粒子束激发的声频电磁波。它们也以哨声方式沿地磁力线传播。     

Fe2P型Fe-P-Si化合物的磁性、磁热效应和磁晶各向异性的研究

主要研究Fe_(1.90)(P_(1-x)Si_x)(x=0.10,0.20,0.25,0.27)系列化合物的磁性、磁热效应和磁晶各向异性。结果表明,Si替代P对化合物的磁热效应影响不大,但可将化合物居里温度提高至x=0.27时的514K,且保持较强的磁晶各向异性。XRD图谱表明化合物的结构为Fe_2P型的六角结构,空间群为P-62m。经磁场取向处理后,化合物的002峰强增强,表明化合物的易磁化方向为c轴。从磁化曲线可以看出,沿外加磁场取向的化合物更易达到饱和磁化。与Fe_2P相比较,少量Si的掺杂不仅提高了化合物的居里温度,同时观察到了适量的剩磁和矫顽力。     

关于铁磁体动态磁化曲线的选择

测量并比较了交变场下的几种B.H关系。作者认为,应将能灵敏而确切地反映铁磁体动态磁化过程的特点和符合于实际使用的要求的B.H关系定义为动态磁化曲线。据此,应选B_m=f(Hm)作为动态磁化曲线。     

二维磁场激励下磁纳米粒子磁化谐波信息分布

提出了二维磁场激励下磁纳米粒子(MNPs)的谐波分布模型,分析了特征参数对磁化响应谐波分布的影响.首先,基于郎之万顺磁定理构建了二维磁场激励下的MNPs非线性磁化响应谐波分布模型;然后系统研究了平行/垂直磁场激励下的磁化响应谐波信息分布特征,以及MNPs物理特征参数和系统参数对谐波信息分布的影响.结果表明:二维磁场激励下,x轴和y轴上的磁化响应奇次谐波和偶次谐波自然分离,直流磁场对磁化谐波幅值具有调控作用,且存在最值点,可为磁纳米温度计中的高精度谐波提取和优化设计提供依据.     

α-Al磁性对强磁场下Al-Cu亚共晶合金定向凝固组织的影响

以Al-Cu亚共晶合金为研究对象,考察了α-Al单晶磁各向异性对稳恒强磁场下定向凝固枝晶组织生长行为的影响.实验测定了α-Al单晶不同晶向的磁化率.结果表明:Al-Cu单晶中的磁化现象表现出明显的方向性;难磁化轴为晶体学位向111方向,即磁化率最小;易磁化轴为晶体学位向311或310方向,即磁化率最大;磁化率随Cu原子数量的增加而降低;[111]晶向族中4个晶向的磁化率不再一致.对于Al-0.85%Cu合金,当生长速度为50μm/s时,在无磁场情况下其定向凝固枝晶主干沿凝固方向排列;当施加6 T纵向强磁场时,枝晶主干偏离凝固方向成一定夹角排列,这一现象可能是由α-Al磁晶的各向异性所致.     

铁磁材料磁化涡旋在应变作用下的响应

磁化涡旋是微米/亚微米铁磁材料中一种常见的磁畴结构,由于它可以被用于高密度的磁性存储设备中,近年来受到了人们的广泛关注。本文基于随时间变化的Ginzburg-Landau方程,采用实空间下的相场模型研究了铁磁材料中磁化涡旋的力磁耦合行为,探讨了铁磁纳米圆柱体中自发磁化涡旋形态以及该结构在沿圆柱体轴向应变作用下的响应行为。结果表明,沿圆柱体轴向的应变对面内磁化分量的幅值和分布影响十分微弱,但对垂直于圆柱体表面磁化分量的影响却十分明显,具体表现为平面外磁化分量的幅值将随着拉应变的增大而增大,又会伴随压应变的增大而减小。随着平面外磁化分量的增加,则更容易探测到该磁化涡旋的极性情况,从而有利于实验观察和实际应用。     

弱交变磁场下硅钢片磁参数快速测量

提出了弱交变磁场下硅钢片磁特性快速测量方法．设计了测量硅钢片磁化曲线及损耗角的电子电路，分析了磁路计算及电路元件参数对测量误差产生的影响，并与艾普斯坦方圈法所测结果进行了比较     

倾斜磁场下感生单轴磁各向异性对静磁正向体波激发的影响

研究了在倾斜磁场下感生单轴磁各向异性对静磁正向体波激发的影响，并考虑了易磁化轴垂直和平行于磁性薄膜两种情形，数值计算表明，在适当的倾斜磁场下，掺铋钇铁石榴石薄膜中的感生单轴磁各向异性能够显著降低静磁正向体波的插入损耗，增加激发带宽，因此，在静磁波器件和以静磁波为基础的磁光器件中，使用具有感生单轴各向异性的磁性薄膜可以显著提高器件的性能。     

铁磁材料磁化涡旋在应变作用下的响应简

磁化涡旋是微米/亚微米铁磁材料中一种常见的磁畴结构，由于它可以被用于高密度的磁性存储设备中，近年来受到了人们的广泛关注。本文基于随时间变化的Ginzburg-Landau方程，采用实空间下的相场模型研究了铁磁材料中磁化涡旋的力磁耦合行为，探讨了铁磁纳米圆柱体中自发磁化涡旋形态以及该结构在沿圆柱体轴向应变作用下的响应行为。结果表明，沿圆柱体轴向的应变对面内磁化分量的幅值和分布影响十分微弱，但对垂直于圆柱体表面磁化分量的影响却十分明显，具体表现为平面外磁化分量的幅值将随着拉应变的增大而增大，又会伴随压应变的增大而减小。随着平面外磁化分量的增加，则更容易探测到该磁化涡旋的极性情况，从而有利于实验观察和实际应用。     

Co薄膜的磁滞回线标度行为

采用磁控溅射法制备了多晶的Co薄膜,研究了其结构、磁滞行为和标度关系.实验结果表明:Co薄膜具有简单立方结构和沿膜面的易磁化方向;沿Co磁性薄膜的易磁化方向所得到的标度指数值α=0.90,与其它实验和理论计算结果相近;而对于沿难轴方向,Co磁性膜的标度指数(α=1.8)比沿易磁化方向的要大得多,这种差异有待进一步的理论研究.     

利用GMI效应表征FeCuNbSiB薄带的磁结构

介绍了利用GMI效应表征540℃加不同加张应力退火的FeCuNbSiB薄带的磁结构,并结合磁力显微镜观测法进行分析。实验结果表明:该样品具有横向易磁化结构和纵向易磁化结构的复合结构,随着应力的增大,横向各向异性场呈线性增大,这跟其他研究者的研究结果相一致。采用GMI效应表征软磁材料磁结构的方法是传统磁结构表征方法的一个有益补充。     

硬磁-软磁双层膜中的磁化行为与磁能积

采用蒙特卡罗方法讨论了硬磁-软磁双层膜中的磁化行为与双层膜中磁参量之间的关系.结果表明:硬磁-软磁双层膜中剩余磁化强度随硬磁层或软磁层厚度的增加呈单调性减小或增大,相应的矫顽场随硬磁层或软磁层厚度的增加近似呈单调性增大或减小;而其磁能积的变化是非单调性的,存在磁能积极大值点,该极大值点依赖于硬磁-软磁层的厚度比、各自的饱和磁化强度和单轴各向异性等;硬磁-软磁双层膜的磁化总是从膜边界向膜中间推进,最终带动难轴方向的边界畴转变,且软磁层磁化先于硬磁层,但在软磁层厚度小于临界尺寸的情况下,软磁层与硬磁层的磁化反转趋于同步.     

反铁质表面极化激元的非对易性

通过计算和讨论得到了当外磁场沿ｘ轴方向,原磁晶磁矩沿ｚ轴方向,波矢沿±ｙ轴方向时,反铁磁质表面磁极化激元的极化与铁磁质在平行于磁晶磁矩的外磁场下的极化相类似,具有非对易性,且其色散关系也具有非对易性。     

反铁磁质表面的磁极化激元

通过计算得到了当外磁场沿ｘ 轴方向,原磁晶磁矩沿ｚ 轴方向,波矢沿ｙ 轴方向的反铁磁质的表面磁极化激元的ＴＥ模式。其色散关系曲线与在平行于磁晶磁矩的外磁场下的铁磁质的色攻关系曲线相似,其频率处于微波或红外的范围     

铁磁圆柱体中涡流损耗功率的分布规律

从求解铁磁圆柱体的磁矢势出发，推导出了铁磁圆柱体置于垂直柱轴的交变磁场中柱内产生的涡旋电流密度及损耗功率的规律．     

计及磁化强度方向余弦的四次方金属玻璃带的磁致伸缩

在非晶体合金材料的自由能密度中加入磁化强度对于易磁化轴的方向余弦的四次方项，计算了带状样品在弱外场中的磁致伸缩响应     

Ni薄膜沿垂直于膜面的技术磁化过程

利用磁性薄膜的Hall电压V和Faraday旋光角度a与垂直于膜面的磁化强度成正此的事实,可以观測磁膜沿垂直于膜面的技术磁化过程(以下簡称磁化过程). 已有的实驗結果都表明,这个磁化过程具有可逆的一致轉动过程的特征,因此,一般認为,它是可逆的一致轉动过程.