配位聚合物[Nd2(C8H5NO4)3·4H2O]∞的单晶结构

报道了具有菱形隧道的配位聚合物: [Nd2(C8H5NO4)3@4H2O]∞的单晶结构. 它有两个晶体学独立的金属Nd(Ⅲ)离子中心, 每个金属Nd(Ⅲ)离子处于8配位的环境中. 8个配位的氧原子中7个氧原子来源于6个5-氨基间苯二甲酸有机配体, 另一个氧原子由配位水提供. 羧基通过η1,1和η1,3方式连接两个Nd3+. 晶体数据: 三斜晶系, 空间群, a = 1.03680(5) nm,b = 1.66934(15) nm, c = 0.88221(14) nm, α= 99.754(2)°, β= 111.169(4)°, γ= 85.400(4)°. 一部分配体在平行于ab面连接金属Nd(Ⅲ)形成分子梯, 另一部分配体沿着c轴分子梯构成菱形隧道, 同时配位水分子和氨基悬挂在隧道中.     

C2H2, C2H4和C2H6在强激光场中的场致电离

运用HOMO场致电离模型, 分别计算了C2H2, C2H4 和C2H6分子在不同强度激光场中的隧道电离几率, 得到了3种分子发生场致电离的理论计算电离阈值.利用飞行时间质谱, 进行了C2H2, C2H4和C2H6分子在脉宽为100 fs, 波长为800 nm, 激光功率密度为1013～1014 W/cm2的激光脉冲下的电离实验, 得到了3种分子在强场发生电离的实验电离阈值.实验结果与计算结果符合得较好, 说明HOMO场致电离模型可以较好地模拟多原子分子在强激光场中的电离行为.     

(C_5Ph_4H)_2Sm·THF及(C_5Ph_4H)LuCl_2·THF的合成研究

近年来具有高立体位阻、强吸电子性的五苯基环戊二烯基和四苯基环戊二烯基配体开始逐渐应用于主族及过渡元素的金属有机化学研究中,但稀土元素领域仅见两例三价稀土配合物的合成报道:(C_5Ph_5)LuCl_2·THF和(C_5Ph_5)_2LuCl.我们在实验中发现,五苯基环戊二烯基配体易形成自由基,与稀土离子结合不紧密,其衍生物的溶解性能和结晶性能较差,而四苯基环戊二烯基配体在上述方面较前者有明显改善。本文利用Sml_2和C_5Ph_4HNa(1∶2),LuCl_3和C_5Ph_4HNa(1∶1)在THF中反应,分别得到(C_5Ph_4H)_2Sm·THF(1)和(C_5Ph_4H)LuCl_2·THF(2);在类似条件下,我们未能得到“(CsPh_5)_2Sm”配合物。     

(C_5H_9C_5H_4)_2 LnCl·nTHF的合成及[(C_5H_9C_5H_4)_2SmCl(THF)]_2和[(C_5H_9C_5H_4)_2ErCl]_2的晶体结构

目1980年以来,取代环戊二烯基稀土配合物化学取得了较快的发展,合成了许多取代环戊二烯基稀土氧化物。这些大体积的配体如—C_5Me_5—(Me_3Si)_2C_5H_5-t-BuCp等,可以稳定低配位数的络合物,特别是单或双取代的环戊二烯基稀土氯化物。我们用环     

防控H7N9禽流感

2013年2月19日,上海市发现世界上首例H7N9禽流感病例,患者为87岁的男性上海市民.3月4日,该患者因抢救无效而死亡.此后,上海、安徽、江苏、浙江、北京等地逐渐出现H7N9禽流感病例.面对一种新出现的传染,无论是科学家还是老百姓都有不少疑问.比如,这种新型流感是从哪里来的?它将来会大面积流行吗?我们该如何进行预防和控制呢?禽流感为何会感染人 禽流感是禽流行性感冒的简称,1878年首次发现于意大利.它是由甲型流感病毒的一种亚型病毒(也称禽流感病毒)引起的传染性疾病,被国际兽疫局定为甲类传染病,又称真性鸡瘟或欧洲鸡瘟. 在20年前,若是说某人患上了禽流感,听起来一定像是骂人的话,因为那时尚未发现人感染禽流感的病例.况且,那时老百姓对传染病的认识还不足,一般认为人不会患动物身上的疾病.1997年,中国香港出现全球首例人感染禽流感.2003年,中国内地出现首例人感染禽流感.     

解读H7N9禽流感

正H7N9禽流感病毒可能是迁徙野鸟携带的病毒与我国东部地区家禽携带的病毒发生基因重组而产生的新型禽流感病毒。它以家禽为主要宿主和感染源,但由于宿主屏障限制了病毒在新宿主中的生存,H7N9病毒还没有完全适应人体。切断感染源是控制疫情最有效的手段。养成良好的生活方式、提高自身免疫力对预防禽流感非常重要。2013年2月以来,一场不知名的"疫情"悄然来袭。首发的3个病例分别出现于上海和安徽,患者早期出现发热、咳嗽等呼吸道感染症状,进而发展为严重肺炎和呼吸困难,其中2人死亡。后经鉴定他们均感染了H7N9型禽流感病毒。之后短短两个月,我国其他9个省市也相继出现类似病例。截至5月底,感染H7N9型     

脉冲激光沉积（PLD）晶态4H—SiC薄膜

碳化硅因具有许多独特而优异的物化性能,长期受到广泛重视,特别是作为光电、半导体材料更受到青睐。然而,由于碳化硅制备优质单晶材料的困难,使得其应用受到阻滞。故探索制备大面积高质量晶态碳化硅薄膜的研究成为重要的课题。寻求新的较低温度下制备优质晶态碳化硅薄膜的方法和条件将具有重要意义。     

Dynamic reassortments model of the human-infecting influenza A （H7N9） virus

With the support by the National Natural Science Foundation of China and the Ministry of Science and Technology of China, Prof. George F. Gao＇s laboratory at the CAS Key Laboratory of Pathogenic Microbiology and Immunology, Institute of Microbiology, Chinese Academy of Sciences, with collaborators reported the genetic heterogeneity of the human-infecting influenza A （H7N9） virus and posed virus dynamic reassortments model, which was published in Nature Communications （2014, 5. 3142）.     

C60(C4H10N+)I- 在二元混合溶剂中的溶剂化显色效应和聚集行为

水溶性N, N-二甲基[60]富勒烯吡咯碘盐C60(C4H10N+)I-溶于四氢呋喃和水的两组分混合溶剂中时有明显的溶剂化显色效应. 相应的紫外-可见吸收谱随四氢呋喃和水混合溶剂组成的改变也有显著的变化. 发现浓度和温度对单体状态的C60(C4H10N+)I-的稳定性有很强的影响, 而对聚集状态的C60(C4H10N+)I-的稳定性影响很小. TEM和AFM测定证实了有聚集态存在.     

新型H7N9病毒起源研究新进展

正[本刊讯]中国科学院上海巴斯德研究所病原诊断技术研发中心与浙江省湖州市疾病预防控制中心合作撰写论文《2013年4月湖州出现3个HA和2个NA流感亚型共流行》2014年3月12日在线发表于Journal of Virology。该项研究为湖州的疾病防控提供了重要的参考依据,是上海巴斯德所利用自身研究优     

放射性离子束9C的细胞生物学效应

首先介绍了重离子束治癌的特点及当前的技术进步, 着重讨论了放射性离子束(RIB)在肿瘤治疗上增添的优势, 详细叙述了在日本放射医学综合研究所(NIRS)重离子医用加速器(HIMAC)上旨在肿瘤治疗的放射性离子束 C 的实验研究, 包括束流产生、参数优化、深度物理剂量分布、细胞辐照后的存 9活效应以及 C 和 C 束的相对生物效率(RBE)比较. 最终结果: 在40 mm 厚铍靶、10 mm 厚铝降能器、 9 125%动量接收度时, 采用 430 MeV/u、1.8×109 粒子/s 的初试束 C, 得到的 C 束的产生率为 9.07×10?6, 12 9纯度为 82.88%, 采用点扫描技术时, 在直径为 10 mm 的中心面积内, 可获得均匀度为 89.6%的辐照场,这时在入口处的剂量率为0.5Gy/h. 在Bragg峰附近范围内的细胞存活实验中, C束的平均RBE为5.28, 9而 C 束的平均 RBE 为 2.93, C 束的 RBE 要比 C 束的高1.8 倍, 这显示 C 束在 Bragg 峰附近范围内, 12 9 12 9对细胞的杀伤力要比 C 强, 在肿瘤治疗上会更有效. 12     

新一代安静飞机 SAX4C

随着震耳欲聋的轰鸣声，一架架飞机从机场不断地起飞降落。飞机让世界变得很小，却让机场周边的居民饱受噪声之苦。美英两国科学家合作研制出了世界首架低噪声飞机的概念模型，有望解决飞机噪声扰民的问题，而且这种飞机还能节省燃油，减少二氧化碳的排放量。[编者按]     

PZT-5H导电缺口电致滞后开裂

研究了PZT-5H铁电陶瓷导电缺口发生电致滞后断裂的可能性及其规律. 结果表明, PZT-5H导电缺口发生电致断裂的临界电场E_F = 14.7±3.2 kV/cm. 如外加电场E<E_F, 则在导电缺口前端瞬时产生电致微裂纹, 若保持恒电场E, 电致裂纹将缓慢扩展直至试样发生滞后断裂, 滞后断裂的门槛电场E_DF = 9.9 kV/cm. 如EE_K= 4.9 kV/cm, 则电致裂纹并不瞬时形核, 只有在恒电场下经过一定的孕育期后电致裂纹才形核并扩展一定距离, 但试样也不会发生断裂. 如E<E_DF = 2.4 kV/cm, 即使长时间施加电场, 裂纹也不形核. 导电裂纹的滞后形核和滞后断裂归因于恒电场下从缺口顶端发出的电荷密度随时间而增大, 当外加电场小于电荷发射的门槛电场时不会发生电致裂纹的滞后形核.     

纪念“5·4”青春节

“5·4”青年节到了，为了纪念这个日子，现在要玩个关于“5．4”的数字游戏。请你在圆圈中填上6～21这116个数字（其中6,7、8、9已填），使每个横行、竖行、