应变层超晶格（CdTe）n／（ZnTe）m的带偏移与亚带结构

本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）ｎ／（ＺｎＴｅ）ｍГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽的变化规律及电子和空穴的几率密度分布。     

(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数

用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明,光吸收系数与附宽和垒厚有关．     

半导体应变超晶格及其应用

介绍了力学平衡模型和能量平衡模型，分析了半导体应变超晶格的临界厚度，及半导体超昌格在光电学中的应用。     

Si—nipi超晶格亚带结构的研究

本文采用各项异性有效质量近似,加入局域密度泛函近似下的交换关联项,自治地计算了Si—nipi在室温时亚带结构随自由载流子浓度的变化规律.结果表明,超晶格的有效带隙随自由载流子浓度的增加而变宽.这个结论与绝对零度时是一致的.     

不同应变状态下超晶格InAs／GaAs的电子结构

采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进行了全面的第一性原理计算，得出了其能带结构、带隙值及态密度分布，考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应，所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以ＧａＡｓ为衬底的单层超晶格（ＩｎＡ）１／（ＧａＡｓ）１的计算结果相一致．     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

应变层超晶格界面AlSb—GaSb,AlSb—InSb和GaSb—InSb的…

采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡｌＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价带偏移值的影响。     

原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随合金组份的变化规律．结果表明，由于应变的引入，该系统的面△Ｅｖ～Ｘ表现出大的非线性，且这一关系受到应变状态的显著影响．通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属．部分结果与有关的实验值和理论结果相符合．     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱

对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

（GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算

用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。     

射频溅射Fe1—xNix／Cu超晶格的结构与磁性

应用射频溅射技术制备了面心立方结构的Ｆｅ１－ｘＮｉｘ／Ｃｕ（ｘ＝０．２６－０．５４）金属超晶格，ＭｇＯ单晶衬底的采用以及在面心立方结构的Ｃｕ上实施外延等措施保证了在Ｎｉ质量分数低至０．２６时Ｆｅ－Ｎｉ合金层仍保持了良好的面心立方的晶体结构，而且直到液氦温区这种面心立方结构仍是稳定的，磁性测量表明，当Ｆｅ－Ｎｉ合金层的Ｎｉ质量分数低至接近因瓦合金成分（ｘ＝０．３５）时，其合磁矩呈下降趋势，即表现出偏     

Fe/Cr(001)超晶格层间耦合和自旋极化的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的平面波赝势法对Fe／Cr（001）起晶格的层间耦合和自旋极化进行了系统地研究．结果表明：理想Fe／Cr超晶格的层间耦合随反铁磁Cr层层数的增加呈短周期性振荡；在较稳定的结构中，整个Cr层都以较大的磁矩被极化，且极化程度受铁磁层原子数的影响较大．