非晶态合金Pd_77.5Ag_6.0Si_16.5的玻璃转变和晶化的研究

用倒扭摆和DSC研究了非晶态合金Pd_77.5Ag6.0Si16.5的玻璃转变和晶化过程.在玻璃转变Tg附近出现1个内耗峰,具有可逆性和重复性的特征.在晶化过程中发现3个内耗峰,峰温附近切变模量发生软化.DSC分析发现3个放热峰分别与3个内耗峰对应,晶化激活能E_1=3.94eV,E_2=2.89eV,E_3=3.43eV,表示晶化有3个结构转变阶段.a—Pd77.5Ag_(6.0)St_(16.5)中由于Ag的掺入,提高了稳定性.     

新非晶态快离子导体15Agl—Ag_4P_2O_7的研究

采用“单辊淬火”技术,在赝二元系AgI—Ag_4P_2O_7他人已报导的玻璃形成区之外,制备成功一种新的非晶态快离子导体15AgI—Ag_4P_2O_7.对于带有混合电极的片状样品,以交流电桥法测定的室温下银离子电导率为1×10~(-2)Ω~(-1)cm(-1).这比同组份晶态材料稍低;室温至200℃范围内的导电激活能为0.24eV.以Wagner直流反对称极化法测得其电子电导率至少比银离子电导率低三个数量级。     

非晶金属的激波微晶晶化、纳米晶化

用X-rayDiffraction(XRD)研究激波对FeCuNbSiB非晶合金的影响。结果表明:一定强度的激波能使非晶态转变为晶态,而且晶粒尺寸在100纳米范围内。     

InSb薄膜热导率温度特性及传热机理

InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.     

Co基非晶的形成和晶化

非晶态合金是一类介于晶态和无定型物质之间的特殊材料,在结构上表现为短程有序而长程无序。非晶态合金是新型功能材料研究的热点之一。采用从熔体直接快淬的方法可以生产出一系列非晶态金属材料。由于非晶合金在微观结构上呈现高度无序的玻璃态,因此具有许多不同于普通金属的性能。本文主要研究了Co基非晶态合金的形成和晶化。通过改变甩带速率,考察了冷却速率与非晶形成的关系。对淬态的Co69Fe4.5 Cu1.5Si10B15合金进行了不同温度的真空热处理,并对样品结构进行了分析,得出随退火温度的升高晶粒逐渐长大的结论。     

具有非晶态结构的锂离子导体

到目前为止,已有不少关于非晶态快离子导体的报道。关于B_2O_3-xLi_2O-yLiCl系統也已有人作了初步研究,确定出它的玻璃态形成范围为O≤x≤0.85,O≤y≤0.85,其中Li_4B_7O_(12)Cl在300℃时的电导率可达10~(-2)((?)cm)~(-1)。为了将非晶态与晶态材料进行对比,我們研究了B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl的电导率和激活能。結果表明:此种成分的非晶样品与多晶样品相比,电导率高两个数量級,激活能低16%。     

非晶态合金材料的巨磁阻抗效应及应用

非晶态合金材料是一种性能优良的新型软磁材料,其中包括非晶合金薄带、非晶合金粉末、非 晶态合金薄膜及非晶态合金丝。这类材料具有矫顽力、高磁导率、高频特性好等优良特性。特别是采用非晶晶化法制备的纳米软磁材料使非晶合金材料显示出了更为广阔的应用前景。 非晶态合金材料中的非晶态合金带及非晶态合金丝的应用范围较广,主要表现在以下几个方面:(1)大功率配电变压器、高频开关电源、电机、扼流圈、磁放大器;(2)各种电感元件、录音、录像磁头、漏电保护装置;(3)磁敏元件、磁传感器及力学量传感器等。     

球磨Mg17Al12纳米晶/非晶合金的微结构和储氢性能

采用镁粉和铝粉为原料,通过高能球磨方法制备了Mg17Al12纳米晶/非晶储氢合金,系统研究了球磨时间对合金微结构和储氢性能的影响.结果表明:球磨时间对Mg17Al12合金的微结构和储氢性能有显著影响,随着球磨时间t从10 h延长到100 h,合金发生从晶态(t≤50 h)到纳米晶态(t=70 h)再到非晶态(t=100 h)的结构转变;样品的平均颗粒尺寸随着球磨时间的增加先减小后增大;球磨时间为30、70和100 h后的Mg17Al12合金在350℃时的最大储氢量(氢的质量分数)分别为4.03%、4.27%和4.18%,而相同条件下铸态Mg17Al12合金的最大储氢量只有2.85%;球磨时间为70 h的Mg17Al12纳米晶合金在200、280和320℃的储氢量分别为1.07%、3.02%和4.07%;球磨时间为100 h的Mg17Al12非晶合金在200℃时30 min内的吸氢量(氢的质量分数)可达到2.84%,分别为相同条件下纳米晶合金和铸态合金的2.7倍和5.1倍.     

机械合金化法制备Cu-Ti-Zr基非晶合金

采用机械合金化法成功制备Cu40Ti60-xZr(x=0,10,30,50)非晶合金.研究Cu-Ti-Zr合金粉末由晶态向非晶态转变过程中的组织结构变化,探讨非晶合金的形成机制,以及非晶合金的热稳定性和晶化产物.结果表明,非晶合金直接从初始元素得到,在反应过程中没有金属间化合物出现,非晶化过程可以由间隙扩散模型来解释.Cu40TixZry非晶粉末的DSC分析表明,随着Ti含量的降低和Zr含量的升高,非晶粉末的晶化温度Tx逐渐升高,对非晶粉末在相应的Tx温度附近退火15min后发现,Cu40Ti30Zr30合金没有析出相,Cu40Ti1Zr50析出了Zr2Cu,Cu4Ti和少量的一些未知相.     

Mg80-xCu10+xY10非晶态合金的DSC研究

利用单辊甩带法制备了Mg80-xCu10 xY10(x=0，5，10，15)非晶态合金薄带，用XRD分析和DSC分析显示薄带形成了非晶态结构．根据DSC曲线，确定了表示非晶形成能力的Tg、Tx、T1、Trg和△Tx等温度参数，同时提出了以晶化放热值和熔化吸热值的比值作为表示非晶形成能力的新参数——约化玻璃转变焓．定量DSC分析结果显示，新旧参数在表示该非晶薄带的非晶形成能力时，结果基本一致．     

电子相互作用对准一维有机铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一维有机高聚物铁磁体模型．在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供未配对电子．利用 Ｐｅｉｅｒｌｓ Ｈｕｂｂａｒｄ 哈密顿量，考虑强电声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程，计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响     

束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响

分析了地球实验室环境下束缚电子屏蔽效应对中微子俘获反应的影响，指出束缚电子的电荷屏蔽会使中微子诱导反应截面减小，在分析处理对原子或离子的电子俘获反应时，应考虑束缚电子的屏蔽效应，但Debey屏蔽挖近似处理失效，寻求另一个合理的电荷屏蔽表达式是非常重要的。     

宽电子束聚焦的变分理论

假定空间静电电位φ的磁感应强度矢量(?)在实验室坐标系中的分布是已知的,利用变分方法研究了正交和非正交两种曲线局部坐标基下宽电子束聚焦的普遍理论.将变分原理下的细电子束聚焦推广到宽电子束聚焦,证明了其结果与用电动力学方法研究宽电子束聚焦的一致性。     

ππ电荷转移络合物的理论研究

用量子化学CNDO/2方法对顺丁烯二酸酐与甲苯、苯、丁二烯和异戊二烯的电子施受络合物的构象进行了研究。结果表明,最稳定的络合物构象是相互作用的两个分子平面互相平行的重叠式,平面间距在0.165～0.178nm之间。构象优化的能量极小对应着电荷转移的极大,因此,在电子施受络合物中,电荷转移起着决定性作用。计算的络合物的稳定性与络合常数的实验值的顺序一致。     

电子支付系统在电子商务中的应用

本文评述了电子商务的功能以及在国民经济中的作用，重点介绍了电子支付系统在电子商务中所发挥的作用及应用过程。     

密封式中子管中电子电流形成过程

分析中子管中电子电流的形成过程．对于Philip型中子管,D 离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分．为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素．     

对使用VSEPR模型的一个改进——定量推算AX_nE_m分子或离子的几何构型

目前常使用VSEPR模型定性确定共价型AX_nE_m分子或离子的几何构型.为了推动这一理论的发展,使VSEPR模型更为可靠,作者对该模型作了一些改进——定量推算这类分子或离子的稳定结构,供读者参考.     

含氮小分子键级的计算与结构式的推断

提出了电子空位对假说，以新颖的观点指出了分子结构的规律．对含氮共价小分子进行了键级的简便计算，和结构式的简易推断．     

准一维有机高聚物铁磁体自旋动力学研究

对准一维有机高聚物铁磁体中的自旋动力学进行了研究．考虑了一维体系中强的电子－声子和电子－电子相互作用，允许完全的格子松驰，建立了一套自洽迭代方程来研究围绕侧基的π电子自旋极化云．结果发现该自旋极化云的强度将随电子－电子相互作用的增强而增强，其扩展范围将随电声耦合的增强而迅速减弱．     

电子束焊接电子枪电子光学系统设计

电子光学系统的设计是电子柬焊接电子枪设计的核心技术．介绍了电子柬焊接电子枪电子光学系统的组成,分析了电子束束斑构成的4种主要物理因素．根据局部真空电子柬焊接技术的要求,依据已给定的参数,通过计算得到了电子束会聚半角、光路尺寸、磁透镜的参数和结构．在此基础上设计完成的电子枪,达到了1)加速电压60kV,电子束束流134mA,即电子枪功率为8kW;2)电子枪在工件上的束斑尺寸,理论上设计计算直径为1．3mm,用AB试验法实测束斑直径为1.6mm;3)设计完成的电子光学系统满足了局部真空电子束焊接技术应用电子枪的需求;4)设计完成的电子枪集成应用于局部真空电子束焊机．经试验验证,设计完成后的8kW电子枪满足局部真空电子束焊接的要求。