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简述了三值逻辑电路的研究意义和数学基础理论,巧妙地用晶体管分立元件组建三门电路,并在EWB电子工作平台下仿真实现。 相似文献
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四值与非门离散逻辑电路的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用双极型晶体管设计出了四值TTL非门和与非门,均属于离散逻辑电路,这类门电路可以用于构成四值组合逻辑电路和时序逻辑电路,也可以和DYL系列电路配合使用。 相似文献
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十值TTL“或”门及正循环门电路的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据POST代数定义的取大算子及正循环算子,设计出了十值TTL“或”门及十值TTL正循环门,其电路结构与原理都较简单,帝验证明这些电路工作可靠,性能稳定,可由它们构成功能完备的十值数数字系统。 相似文献
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陈书开 《长沙水电师院学报》2000,15(3):14-18
根据TTL门值门电路有5个信号检测阈值的特点,二值门电路的置阈方法,设计了1种TTL六值“与非”门电路和1种七态门电路达2个电路均通过实验证明:电路工作稳定,性能可靠,且具有驱动负载能强等特点。 相似文献
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简要叙述了一种新型RFI馈通式抗射频干扰滤波器的设计方案,该方案通过对滤波器抑制特性的分析,创新性的提出了一种无分布电容的电感设计方法以及无分布电感的电容设计方法,借助Serenade 8.7软件对滤波器原型进行仿真,制作了实物样品。试验结果表明,该RFI馈通式抗射频干扰滤波器在100kHz~10GHz范围内具有较高的抑制能力,安装简易有效,可满足现代通信、雷达等系统的应用需求。 相似文献
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给出了一阶电路暂态过程三要素法的另一种形式,避开了作t=0+时的等效电路,使求解过程更加简单。 相似文献
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讨论第二代电流模式传送器(CCⅡ)电压缓冲器的解决方案,通过理论方法及计算机仿真对缓冲级的增益和阻抗进行比较分析,提出一种基于加偏压设计的新型CCⅡ。仿真结果表明,改进方案的THD比未改进方案的THD改善10dB以上。 相似文献
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在交-直-交矩阵变换器的中间直流环节上串联一工作在高频脉冲状态下的Boost升压电路,形成了一种基于Boost电路的交-直-交矩阵变换器BoostMC(Boost Matrix Converter).利用其在高频脉冲状态的升压能力,达到提高矩阵变换器的电压传输比的目的.推导了相关的数学模型,介绍了Boost电路的不连续导通(DCM)工作模式,分析了电路拓扑结构,重点讨论了升压电路的控制策略.仿真试验结果验证了该方案的有效性和正确性. 相似文献
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本文结合半导体致冷这一特定器件,通过实验,确定了给具有一定热源物体降温的条件,从而对其测温,控制电路的工作原理进行了较详细的分析,给出了一些必要的波形图和参数计算公式,具有一定的实用价值。 相似文献
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应用核物理中的概念,提出了“太阳原子模型”,论述了太阳的特性及太阳系的形成。认为,太阳能不是热核反应产生的,恒星的演化方向是从红巨星到主星序,而不是从主星序到红巨星。虽然模型只有一些定性的结果,还不成熟,但能给人以启迪,作为一家之言,以期引起同行探讨。 相似文献
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MultisimV7应用于分析锁相倍频电路的教学,使教学直观、生动、形象,是对传统教学方法的一种改革,使理论教学与实践更好的紧密结合,对培养学生创造性思维能力,全面提高专业素质具有重要意义. 相似文献
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本文在考虑离子的静电效应、极化效应、配位场效应及电子效应对金属离子水化能影响的基础上提出了金属离子水化能计算新模型:其计算值与实验值相吻合,并优于其他文献的计算值. 相似文献
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系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐蚀速度通常依赖于界面态的填充情况,合理解释了实验得到的蚀速-偏压关系.考虑到非平衡载流子复合后,得到与实验吻合的蚀速比-载流子浓度公式. 相似文献
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该文发展了作者之一及其合作者提出的修正的点离子模型,采用单指数形式模拟金属中的电荷分布,据此计算得到的多层弛豫与实验相符.文中的结果表明,只要获得有关金属的电荷分布资料即能预言该金属的表面多层弛豫. 相似文献