强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果．     

适于测量波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统

本文介绍了一种适于测量半导体激光器产生的波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统的原理和装置。对波长1.3μm的InGaAsP/InP激光器产生的超短光脉冲的测量结果表明,该装置具有很高的分辨率和较高的灵敏度。     

短光脉冲的谐波测量法

本文讨论了超短光脉冲测量的二次谐波法(SHG)、半导体表面反射频法和高次谐波法。用 SHG 法对调 Q 加模 Nd:YAG 激光器的光脉冲进行了测量。     

产生1．3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统

分析了半导体激光器（ＬＤ）增益开关的理论特性。直接调制１．３μｍ国产双异质结ＩｎＧａＡｓ激光器得到重复频率为１．１ＧＨｚ，脉宽为２５～５０ｐｓ的超短光脉冲。     

采用新型晶体测量超短光脉冲

采用新型晶体ＰＯＭ作倍频器件，建立了超短光脉冲二阶强度自相关检测系统，并对半导体超短光脉冲进行了测量。系统的最小可检测平均光功率为１００μＷ，可测最大脉宽为１８０ｐｓ，最高分辨率为１６ｆｓ。     

一种大功率超短脉冲激光器的设计

设计了一种新型大功率超短脉冲激光器,将两种传统产生超短脉冲的方法(调Q和锁模)有效的结合起来,并对激光器的各个环节的设计作了说明。为了获得更大的功率采用了电光"腔倒空"直腔调Q法和LDA侧面泵浦,为了获得脉宽更窄的超短脉冲采用了半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模技术。     

脉宽2.9 PS的超短被动锁模半导体激光器

本文报道了一种新型的被动锁模半导体激光器,采用了多量子阱技术、主被动混合锁模机制,并且在实验中已经成功产生了脉宽为2.9 ps,时间带宽积为0.43(非常接近高斯波形的变换极限值)的超短光脉冲,是光时分复用系统的一种理想光源.     

增益开关半导体激光器特性的实验研究

本文用分布反馈半导体激光器和增益开关技术，研究了不同工作条件下超短光脉冲的输出特性。     

超高速锁模半导体激光器光谱蓝移现象研究

本文对一种新型输出波长1.55μm、超高速10 GHz、多量子阱、锁模半导体激光器的自发辐射光谱的蓝移现象进行实验研究,得到随着对锁模半导体激光器增益区施加增益电流的增加(5 mA→70 mA),多量子阱半导体激光器自发辐射光谱存在明显的蓝移现象(1.550μm→1.500μm),以及输出中心波长向短波长方向移动50 nm的实验结果,这对深刻理解和实现光时分复用技术中高质量超短相干脉冲光源具有重要意义.     

增益开关分布反馈半导体激光器输出特性的研究

讨论了采用增益开关技术在分布反馈半导体激光器上产生超短光脉冲的特性。理论分析表明，光脉冲特仅与峰值反转率ｒ有关，峰值功率随ｒ升高而升高，脉宽随ｒ升高而降低。     

超短脉冲光束空间奇异性与频谱的关系

利用理论推导和数值模拟的方法对超短脉冲余弦高斯光束的频谱进行了研究.结果表明不同脉冲宽度的无啁啾余弦高斯脉冲光束的频谱以及相同脉冲宽度下啁啾余弦高斯脉冲光束的频谱有着很大不同,直观地看出了脉冲宽度和啁啾对超短余弦高斯脉冲光束频谱宽度的影响,说明了频谱宽度对超短余弦高斯脉冲光束空间奇异性有很大的影响.     

超短余弦-高斯脉冲的能量分析

研究了超短余弦-高斯脉冲的能量与绝对相位以及余弦函数的参数之间的关系,给出了余弦-高斯脉冲能量的解析表达式.研究结果表明,当脉冲宽度较小时,绝对相位对脉冲能量有很大影响;余弦函数的参数Ω在一定取值范围内对脉冲能量也有很大影响,它会导致脉冲宽度大于一个光学振荡周期的几周期余弦-高斯脉冲能量有较大的变化.     

超短脉冲的能量与载波相位的关系

以高斯、双曲正割、洛伦兹3种脉冲为例,研究了载波相位与超短脉冲携带的能量之间的关系,给出了3种脉冲携带的能量与载波相位的解析表达式．研究结果表明,当脉冲包络的宽度短于1个光学振荡周期时,载波相位对超短脉冲携带的能量开始有较显著的影响．     

超短洛仑兹脉冲的均方根脉冲宽度

当激光脉冲极短时,通常使用的半高全宽脉冲宽度并不能很好地描述洛仑兹脉冲,使用均方根脉冲宽度更为严格.利用理论推导的方法,给出了超短洛仑兹脉冲均方根脉冲宽度与半高全宽脉冲宽度的关系式.研究表明,当半高全宽脉冲宽度大于一个光学振荡周期时,均方根脉冲宽度与半高全宽脉冲宽度一致;当半高全宽脉冲宽度小于一个光学振荡周期时,均方根脉冲宽度与半高全宽脉冲宽度有较大的差异,并且绝对相位对均方根脉冲宽度的影响很大.     

High-Quality Ultrashort Pulse Generation Utilizing a Self-Phase Modulation-Based Reshaper

An ultrashort 10-GHz pulse generation scheme was successfully demonstrated using a bulk mate- rial InGaAsP electroabsorption modulator to generate the seed pulse. A self-phase modulation-based re- shaper was used after the adiabatic soliton compression in a comb-like dispersion profiled fiber. Experi- ments and simulations confirm that the reshaper effectively removes the pulse pedestal and improves the pulse extinction ratio. As a result, the 10-GHz pulse had no pedestal, a high extinction ratio, and a pulse width of only 1.4 ps.     

GS-DFB半导体激光器的优化设计

对ＧＳＤＦＢ半导体激光器的参数进行了优化设计。采用脉冲峰值功率、脉宽、谱宽、脉宽谱宽积以及峰值功率与脉宽谱宽积之比等参数来综合描述激光器输出脉冲特性,研究了这些参数随偏置电流、调制电流等外部参数的变化,并找出了相应的优化值。     

双曲正弦-高斯型超短脉冲光束及其传输特性

在傍轴近似条件下,给出了一组超短脉冲光束的解析解,称为双曲正弦-高斯型超短脉冲光束.对这种超短脉冲光束及其在自由空间中的传输过程进行了较为细致的研究.结果表明双曲正弦-高斯型超短脉冲光束光强的横向分布在脉冲中部为双曲正弦-高斯型,而在脉冲头部和尾部则为高斯型,该脉冲光束的脉冲波形在传输中始终为双曲正弦-高斯型.该脉冲在轴上传输时有脉冲极性反转现象,在轴外有脉冲延迟现象.