量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响

研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。     

多量子阱结构的MOVPE生长

利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度，在１０Ｋ温度下ＰＬ谱半峰高宽（ＦＷＨＭ）为７ｍｅＶ     

基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。     

MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究

本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和Lehighton非接触面电阻测量系统用来表征GaN外延层的质量和面电阻(Rs)。通过计算HRXRD测量得到的GaN(0002)和(10-12)半高宽(FWHM),估算了GaN外延层中的线性位错密度(TDD)。GaN外延层的Rs和TDD之间的关系被研究。下面GaN初始层生长条件,包括载气种类(H2或N2)、生长温度和生长压力,对上面GaN外延层的影响被讨论和分析。我们认为H2作为载气能提高GaN质量,减少GaN外延层中的TDD,并由于其活泼的化学特性,能通过还原反应去除GaN外延层中的O和C等杂质。另外,下面GaN初始层在低温和高压下生长,更有助于提高GaN质量和减少TDD。下面GaN初始层通过在H2载气、低生长温度(1050℃)和高生长压力(400mba)下外延生长,上GaN外延层的电阻率得到了提高。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响

利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明,红光AlGaInP LED芯片的发光强度高于黄绿光,其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率,从而导致较低的发光强度。本研究为今后LED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。     

一种新型的液态源MOCVD技术

一种新型的液态MO源金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,它采用液态MO源脉冲输送技术。该方法采用了可编程控制器(PLC)和触摸屏,可通过触摸屏完成系统控制、工艺参数设置及数据显示,提高了MOCVD系统的自动化程度,确保工艺的重复性和稳定性。通过该方法,成功地制备了TiO2薄膜。     

980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。     

980 nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计

对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A（采用150 μm×500 μm,未镀膜器件）,输出功率为400 mW。     

GaInP/ ( AlxGa1- x ) InP 多量子阱结构的光荧光特性分析

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP／(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647．8mm和λ=861．6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰．理论计算和实测结果基本一致．     

退火对p 型GaP 和p 型AlGaInP载流子浓度的影响

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.     

GeSi／Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计

根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响．结合吸收特点,对波导探测器ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．     

AlGaInP/ GaAs 外延层的倒易空间图分析

介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.     

A Direct Parameter-Extraction Method for GalnP／GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Small-Signal Model

Heterojunction bipolar transistors(HBT) have been wide ly used for digital, analog, and power applications dueto their superior high speed and high current driving capabili ties. The development of HBT on the materials of GaAs andSi/SiGe has been stimulat…     

C60材料红外和拉曼特性

采用自制的专利设备成功地制备了全碳分子材料Ｃ６０，分析了红外，拉曼光谱图，发现在５２７，５７６，１１８７，１４３０ｃｍ＾－１处的４个Ｃ６０的红外特性吸收峰，进行了理论计算，结果与实验基本吻合，由红外测试数值计算得出的力常数结果表明，Ｃ６０内部原子间作用力的类型为Ｃ－Ｃ键和弱Ｃ＝Ｃ键。     

四（对硝基苯）卟啉对二甲基甲酰胺的CARS信号增强效应

首次发现二甲基甲酰胺(DMF)溶液在添加适量的四(对硝基苯)卟啉(PNNNN)后,其865cm~(-1)处的Raman振动模所对应的CARS(相干反斯托克斯喇曼散射)光谱信号有明显的增强效应.从实验和理论两方面探讨了添加剂浓度变化对这种光谱信号增强效应的影响,并在四波混频理论的基础上,对上述增强效应的产生机理做了较细致的定性分析。     

锗量子点超晶格的光学特性

对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究．对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论，通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法；首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模，研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性．     

尿嘧啶的相干反斯托克斯Raman散射光谱研究

采用相干反斯托克斯Raman散射(CARS)技术研究在不同pH值的水溶液中核糖核酸碱基-尿嘧啶结构,所得结果揭示出尿嘧啶环的伸缩,变形振动可在1000cm~(-1)附近产生一些Raman谱线,并发现这些谱线对溶液的pH值很敏感。然而这些现象在采用目前广泛应用的激光共振Raman光谱方法时是难以发现的。因此,CARS测量是一种可研究核酸残基振动结构及其和环境介质相互作用的有效方法。除它对样品或杂质引起的荧光干扰有明显抑制作用外,可以预期:这一方法也可用于获得在有关分子过程中所出现的瞬态粒子结构的信息。     

常压MOCVD法在多孔硅上生长GaAs

采用自己发展的ＨＦ化学预处理技术和常压ＭＯＣＶＤ法在多孔硅（ＰＳ）上首次生长出了基本上是单晶的ＧａＡｓ膜，研究了ＧａＡｓ膜的结构和光学特性．通过对Ｓｉ、ＰＳ、ＧａＡｓ／Ｓｉ和ＧａＡｓ／ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射分析，初步论述了ＰＳ的Ｒａｍａｎ散射谱的峰肩起源可能与表面氧化有关．