基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进

以双岛单电子晶体管（SET）为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.     

一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型，提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较，该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型，分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。     

单电子晶体管中低频散粒噪声的特性分析

本文中，我们将双结系统的散粒噪声理论应用于单电子晶体管中，并准确地推导出两态情况下单电子晶体管噪声谱的解析表达式．进而对单电子晶体管中引起散粒噪声的因素作了简要的讨论．     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计

基于单电子晶体管(SET)的I-U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R-S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02 V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性.     

电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指出了时延参数τ＝C∑Rg，并用Monte-Carlo法对其构成的反相器进行了模拟验证。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

单电子晶体管低频散粒噪声的数值解

在文「１」的基础上，讨论了单电子晶体管在两态情况下，的散粒噪声的行为和噪声谱与各个 电路因子的关系，从而给出了优化单电子晶体管操作环境的一些重要结论：信噪比可以通过调节电路参数而得到抑制，通过调节门电压可以起到降低温度扰动的作用。     

单电子盒的库伦阻塞效应

文章论述了单电子盒中的库伦阻塞对电子输运性质的影响，主要考虑盒中静电荷与外部电压的关系以及晶体管能量对外部条件变化的响应。     

用晶体管测电子电荷

介绍一种测量电子电荷的简易方法,测量装置简单,结果准确,可以作为学生实验。     

晶体管模型参数提取的一种新方法

本文对一般半导体器件模型参数提取提供了一个有效且可靠的方法,着重分析了一个类似于EM3模型的双极性晶体管高频线性增量模型进行参数提取的全过程,同时提出了各种辅助措施以使参数提取工作更加有效和精确.克服了以往方法中收敛结果对参数初值非常灵敏及迭代速度缓慢的缺点,从而扩大了参数初值的选取范围,提高了参数提取效率。使参数初值选择得偏离最佳点在250%左右范围内,都能收敛到该最佳点.在IBM-PC机上调试,通过了参数的提取程序.最后给出3个算例,并与文献中的方法进行了比较.     

非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟

介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.     

单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。     

晶体管GP模型参数提取中的一种全局寻优算法

提出了一种新的可应用于晶体管参数提取的全局寻优算法，简化了参数提取过程.在该算法中，首次采用了一种新的方差调整方案，从而提高了收敛速度和精度，对MJE13005晶体管进行参数提取与PSPICE模拟，模拟结果与器件测试结果符合较好.     

一种火焰模拟的新方法

详细介绍了Lattice-Boltzmann方法的物理和数学理论基础,推导了用Lattice-boltzmann方法模拟火焰现象所使用的模型和实际计算步骤;针对特定类型的物体对象,提出了比较简洁的、适合计算机进行处理的新的边界问题的解决方法,避免了频繁的纹理映射的使用和复杂的微分方程的求解过程,使计算方法大为简化;并结合传统的粒子系统方法和实际情况,在计算机上实现了对火焰燃烧的模拟,基本达到了计算机图形学中的实时性要求.最后,给出了实际的火焰模拟效果图和不同方法的性能比较.     

基于Muhisim9．0的单管放大电路分析

Muhisim9．0是电子电路仿真实验中广泛应用的理想工具。本文简单介绍了该软件的主要功能和新增功能,并详细介绍了应用Muhisim9．0对单管放大电路的分析。     

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。