Nd^3＋：Er^3＋：YAlO3激光晶体中的能级结构

利用晶体场理论和不可约张量方法,采用中间态耦合的的参数公式,对稀土离子能级精细结构及波函数进行理论计算,给出了Ｅｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋中重要稀土离子精细结构能级位置,实验上测定的５００￣９５０ｎｍ吸收光谱,获得了与理论相一致的精细结构能级,并讨论了新波长激光的产生机制。     

AgBr：V^2＋晶体中的V^2＋—VM四角中心局域结构的研究

采用同时考虑中心ｄ＾３离子和配体旋轨耦合作用贡献的双旋轨耦合参量模型，通过计算ＥＰＲ参量Ｄ和ｇ因子，估算出ＡｇＢｒ：Ｖ＾２＋晶体中的Ｖ＾＋－ＶＭ四角中心的局域结构参量ΔＲ，并与只考虑中心ｄ＾３离子旋轨耦合作用的传统单旋轨耦合参量模型的结果作了比较。研究表明，当配体含有大的旋轨耦合系数时，其以ＥＰＲ参量的贡献不能忽略。     

晶体CsFeCl_3的自旋极化MS-X_a计算

本文采用自旋极化的MS-X_a方法,在晶体CsFeCl_3的实际的D_3d低对称品场下计算了络离子(FeCl_b)~(4-)的电子结构。给出了单电子本征值和本征函数和自旋极化分裂,用过渡态理论计算了部分光学跃迁和电荷转移跃迁的能量。     

掺杂KZnF3：Cr^3＋激光晶体K^＋空位三角晶场参量研究

用Ｎｅｗｍａｎ的叠加模型研究了ＫＺｎＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体Ｃ＾３＋－ｋ＾＋空位的三角晶场参量。研究表明，晶格畸变对晶场的贡献不可忽略，进一步证实了晶格畸变：Ｃｒ＾３＋离子上方三个Ｆ＾－离子下方三个Ｆ＾－离子分别偏离［１１１］晶轴２．６６１°和－１．１４９°。     

α—LiIO3：Ni^2＋l晶体中的Ni^2＋_VLi三角中心局域结构？…

通过计算α－ＬｉＩＯ３：Ｎｉ＾２＋晶体零场分裂Ｄ和ｇ因子，研究了掺杂Ｎｉ＾２＋的α－ＬｉＩＯ３晶体中Ｎｉ＾２＋＿Ｖｕ三角中心的局域结构，估算出Ｎｉ２＋离子应向Ｌｉ＾＋空位位移，以及Ｖｕ附近的氧离子应位移△ｘ≈０．１４９Ａ。     

LiNbO_3：Fe~（3＋1）晶体中Fe~（3＋）离子的发射光谱研究

在１００００～４００００ｃｍ－１范围内，观测得ＬｉＮｂＯ３晶体掺Ｆｅ３＋离子的发射光谱与赵等的理论预言基本一致，从而证明了Ｆｅ３＋离子杂质在ＬｉＮｂＯ３中取代Ｎｂ５＋离子。     

Ni^2＋离子在CsCdCl3晶体中的占位研究

当固体中不只一个阳离子晶位时 ,金属杂质离子在这种晶体中的占位是一个很有意义的问题 ,它涉及到缺陷的形成、缺陷结构及杂质引起的材料改性 .例如 ,过渡金属离子杂质在ＬｉＮｂＯ3晶体中的占位对认识该材料光折变效应的微观机制就很有帮助 .人们通常用比较杂质离子与基质晶体离子的价态和大小 (离子半径 )来判断占位情况 .但这种方法对位于不同晶位的阳离子都具有相同的价态和类似的离子半径时 ,就难以奏效 .特别是 ,对同一种阳离子占据二个不同晶位时 ,就更困难 .例如 ,ＣｓＣｄＣｌ3晶体中的Ｃｄ2 就占有二个晶位 :Ｃｄ2 (Ⅰ )和Ｃｄ2…     

Eu^3＋：Y2SiO5晶体的格位选择光谱研究

在室温和液氮温度下,测量并研究了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱,荧光光谱,激发光谱和格位选择荧光光谱。实验结果表明,在该晶体中Ｅｕ＾３＋替换Ｙ＾３＋离子,占据２个不等价的Ｃ１光学格位,这２个格位的＾５Ｄ０→＾７Ｆ０能级跃迁谱线相隔大约只有０．２ｎｍ。     

KMgF3：Mn^2＋晶体自旋晶格—耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下，建立了轴对称（三角和四角）晶场中3d^5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式，进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44，并将上述公式应用于KMgF3：Mn^2 晶体，在不引入调节参量的情况下，得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好。     

V~(2+)在Al_2O_3中的局部缺陷的研究

采用双zeta d轨道模型,利用完全对角化的方法统一地解释了掺有V2+离子杂质的α-Al2O3晶体的吸收光谱和电子顺磁共振谱,所得结果与实验符合得很好.不仅考虑到了掺杂后杂质的占位,而且还研究了掺入V2+离子后对氧配体的位置的影响,结果显示氧配体将沿径向远离V2+离子移动.     

硝酸镧与穴醚（2,2）配合物的晶体结构及振动光谱研究

在乙腈溶剂中,获得了La(NO)_3与穴醚(2.2)配合物的单晶,测定了晶体结构。结果表明La~(3+)在穴醚空穴中呈无序状态分布,即有种3种不同位置。La(NO_3)_3·(C_(12)H_(26)O_4N_2)晶体属三斜晶系,空间群为P_1~-,晶胞参数为a=8.183(2)(?),b=10.958(4)(?),c=13.948(4)(?);α=99.46(3)°,β=78.01(2)°,γ=98.68(3)°;V=1197.98(?)~3,Z=2。讨论振动光谱(红外及拉曼)在配位过程中的变化。     

ZnGa_2Se_4:V~(3+)光谱的理论研究

应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略.     

KMgF_3∶Ni~(2+)晶体局域结构研究

采用赵敏光等的μkα模型，在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模型应用于KMgF3：Ni^2＋晶体，计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF3晶体在掺入Ni^2＋后其结构应发生同向延伸变化，畸变量△R=0．004nm，计算结果与实验值符合较好．     

NaCl（OH）：（F2^＋）H色心激光晶体

本文报道了浓度大,稳定性好的色心激光晶体材料NaCl(OH~-):(F_2~+)u的制备过程。探讨了(F_2~+)_H色心形成过程中的缺陷化学反应、OH~-的状态和作用、以及掺杂离子扰动效应等。     

SrFCl:Eu~(2+)晶体的电子自旋共振谱研究

用程序降温法生长了SrFCl:Eu~(2+)晶体,并测量了它的电子自旋共振谱。应用最小二乘法拟合技术对g因子及自旋哈密顿参数进行了精确拟合。报道了各向异性的g因子及有关自旋哈密顿参量。发现并归属了Eu~(2+)的高阶禁阻跃迁。     

LiSrAlF6晶体Cr3+掺杂中心电子结构的计算

采用离散变分方法（DVM）计算LiSrAlF₆晶体Cr3+掺杂中心电子结构, 主要研究镶嵌势、 团簇大小、 基组类型对计算结果的影响, 给出使计算结果趋于收敛的基本条件.     

1-苯基-1,3-丁二酮的晶体结构与分子结构

本文用CAD_4四圆衍射仪测定HBZAC晶体结构与分子结构的结果表明,标题化合物采用烯醇式结构,烯醇环中形成了离域π键(π_5~6),分子内并有部分氢键形成。烯醇环平面与苯环平面夹角为3.03°。     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

B~(3+)离子基态能量与波函数的变分计算

为了得到B3+离子的结构,在研究双电子原子模型的基础上,提出了一种包含坐标张弛系数的试探波函数,同时利用Matlab语言开发了一个运用变分法对三体问题进行计算的软件程序,计算得到了B3+离子基态能量的多个近似值及对应的解析波函数.在波函数取N=11时,B3+离子基态能量与实验值相比,误差仅为0.18‰.