改进的Monte Carlo模拟

对应力进行灵敏度分析，不仅使设计师明白随机变量的敏感程度，而且可以减少随机变量的个数。编写计算机程序，产生多组正态随机变量。每一次模拟得到的应力数值与强度数值，需进行比较。应用MonteCarlo模拟计算机械可靠度，需经过多次模拟，模拟次数越多，可靠度的计算精度也越高。     

荧光涨落谱的Monte Carlo模拟与应用

荧光涨落谱(Fluorescence Fluctuation Spectroscopy, FFS)技术测量微小区域内扩散粒子的浓度和各种动力学参数, 具有灵敏度高、可以针对活生物体系实时测量的特点, 适用于动态观测特定微小区域中荧光标记生物分子的浓度、质量、体积和结构的变化, 获得活细胞内生物大分子相互作用的信息. 介绍荧光涨落谱实验的Monte Carlo模拟方法, 通过模拟粒子的扩散运动以及荧光激发和收集过程, 预测不同实验体系的荧光涨落谱特征. 利用这种方法可以分析不同实验因素对荧光涨落谱的影响, 验证不同理论计算模型的效果, 为分析、处理复杂生物体系的实验数据提供帮助. 对模拟程序所基于的物理和数学模型进行了介绍, 并结合一些特殊体系中的应用, 对模拟的效果和可靠性进行了多种方式的验证, 得到了与理论分析相符的结果.     

电化学体系中离子扩散过程的Monte Carlo模拟

文章将电解质溶液视为三雏网格模型，在不考虑温度和离子大小（阴、阳离子视为有大小相同的理想球体）影响的恒定电场强度下，利用Monte Carlo方法模拟研究了该体系中的溶质离子扩散特性，考察了溶质离子间相互作用及溶液离子浓度对体系离子扩散系数的影响，结果表明：不考虑离子间相互作用时，溶质离子的扩散系数为常数；考虑离子间相互作用时分三种情况，当溶质离子密度小于等于0．2时，离子扩散的均方位移MSD与Monte Carlo步骤（MCS）间成直线关系；随着离子密度增大，在（0．2，0．6]范围内，离子扩散的MSD与MCS间趋于二次函数关系；当离子密度接近1．0时，离子扩散的MSD会趋于恒定．     

基于SV模型的VaR Monte Carlo模拟

文章以上证综合指数为研究对象讨论了Monte Carlo模拟法计算VaR,分别利用SV-VaR模型和Monte Carlo-SV-VaR模型计算VaR值,并比较了这2个模型的精确度,从而为上证综合指数的风险度量提供一个参照。     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

二维Ising模型的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法对二维Ising模型的相变行为进行了计算机模拟,发现当温度变化时该模型会发生相变行为,该结果与前人的理论计算结果和实验结果一致.     

高分子链动态行为的Monte Carlo模拟

运用Monte Carlo方法对线型高分子链格点模型进行模拟, 研究了高分子链的动态行为随体系内组分间相互作用能的变化情况. 讨论了随着溶剂分子与高分子链段间的相互作用能ε_PS 与高分子链段间的相互作用能ε_PP 的增大, 链动力学物理量g_cm(t), g_m(t), g_e(t)和g_r(t)的变化情况. 结果显示,ε_PP对高分子链的动态行为较ε_PS影响较小, 但体系缠结的特征不完全取决于ε_PS和ε_PP的变化, 主要受体系链长度的影响.     

非晶磁性材料磁相变的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法研究了基于Heisenberg模型的非晶磁性材料的磁相变.考虑到系统的非晶结构,采用Monte Carlo随机发生器使交换耦合常数J和配位数Z具有一定的涨落,遵从一定的概率分布.模拟结果表明,交换耦合和配位数的涨落对系统的相变起重要的影响作用.系统的相变温度与平均交换耦合常数及平均配位数成...     

多孔硅生长的三维Monte Carlo模拟

采用修正的逾渗模型，通过简单的三维Monte Carlo计算，模拟了多孔硅中孔形成的动力学过程。计算结果表明：长成的孔的形貌主要与衬底的掺杂浓度有关；在所有的强发光多孔硅的表面及体内都存在海绵状的多孔结构；孔度的最大值并不是在最外表面，而是在表面下的某个层区上；硅耗尽层的宽度取决于多孔硅的孔度，孔度越高，宽度越小；在高孔度多孔硅中，表面的孔度梯度是很大的，预期此特征正是决定多孔硅发光成功与失效的关键之一。     

定向凝固微观组织的Monte Carlo模拟

应用Monte Carlo方法模拟了定向凝固条件下微观组织的形成过程,还模拟了双向凝固、四边由表向里凝固及整体凝固的微观组织形成过程,模拟结果与实际情况非常接近.同时分析了Monte     

存在逆反应的线性缩聚反应产物分子量分布和反应动力学的MonteCarlo模拟

本文用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了逆反应对线性缩聚反应产物分子量分布和反应动力学的影响．模拟结果说明有逆反应的线性缩聚反应产物的分子量分布仍服从Ｆｌｏｒｙ分布；逆反应对反应动力学有较大影响．模拟结果与用数值解析方法所得结果一致     

溅射过程的Monte Carlo方法模拟计算

运用Monte Carlo方法对溅射过程进行了模拟计算,其结果清楚地描述了溅射的微观过程,溅射产额的计算值与实验值吻合。     

概率短路计算的蒙特卡罗仿真

随着电力工业的发展,概率短路计算作为一种辅助工具,正日益广泛应用于电力系统规划、设计、可靠性评估方面,为合理解决电力系统安全性和经济性提供参考数据。文章提出了一种基于蒙特卡罗仿真的概率短路的建模及实现方法,对算法模型进行了分析说明,并通过对实际系统的计算和讨论,验证了该算法是有效的、可行的     

蒙特卡罗方法研究集合种群动态

根据金堇蛱蝶的实际生活史和调查数据,以天为单位采用蒙特卡罗模拟方法仿真每个个体的发育、迁移、繁殖等随机行为. 从而获取集合种群及其各局域种群的动态变化,展示了局域种群的周转行为,得到了每年各斑块局域种群大小、占据率、被占据斑块数及相应的概率分布等信息. 计算结果表明该集合种群能够进入一个基本稳定的状态从而维持适当的种群规模并得以续存下去.我们还分析了斑块质量和所处地理位置对局域种群的影响. 提供了一种能够同时描述集合种群和局域种群动态的研究方法,为将来进一步研究各种影响集合种群动态的因素和制定保护策略等奠定了基础.     

蒙特卡罗法模拟光化学烟雾的形成

在微型计算机上，用蒙特卡罗法模拟了光化学烟雾的形成，以Hech和einfeld将81个基元反应缩合成的15个反应的基础，得到光化学烟雾形成的条件，结果与文献的实验结果较一致，为今后进一步研究光化学烟雾的形成机理提供了重要的研究工具。     

GEANT3在北京谱仪的蒙特卡罗模拟中的应用

ＳＯＢＥＲ是根据北京谱仪的设计特点而编写的一个专用蒙特卡罗模拟程序，能较好地模拟北京谱仪的性能，但存在着不能模拟强子在簇射计数器中的行为以及难于适应探测器的变化等缺点．ＧＥＡＮＴ３是一个国际通用的探测器蒙特卡罗模拟程序，具有灵活的探测器几何描述功能，并能模拟各种粒子在探测器中的行为．以ＧＥＡＮＴ３为框架对ＳＯＢＥＲ进行改造，不但能弥补ＳＯＢＥＲ的不足，而且还便于国际间的交流．木文详细地讨论了对ＳＯＢＥＲ改进的方法并给出了用改进后的程序进行模拟的初步结果．     

气体分子扩散的蒙特卡罗模拟

使用蒙特卡罗方法,对气体分子在背景气体中扩散的过程进行了计算机模拟,背景气体均匀分布于三维无界空间中。模拟结果显示,气体分子的扩散是各向同性的,扩散经历的时间越长,分子分布的范围越大,分子扩散的方均位移与时间成正比关系。使用本文的模拟方法还可估算气体扩散系数的数量级,对1标准大气压下、15°C时氧气的自扩散系数,以及氧气在氮气中的互扩散系数进行了估算,得到的扩散系数数量级与实验测量结果符合得很好。     

用Monte Carlo方法预测区带资源量

对目前常用的油藏资源量预测模型进行了分析 ,认为在发现过程模型没有给出求解某些未知数的方法 ,在实际应用中只凭经验或主观猜测会使预测结果产生误差 ,而且也增加了问题的复杂性。利用MonteCarlo法模拟生成油藏发现序列进而预测区带的资源量 ,可以克服传统的发现过程法在理论上的欠缺和在应用上的主观随意性。利用两个计算实例证实了本方法的可靠性 ,提高了观测数据的利用率 ,使算法更加合理、实用。     

二维伊辛模型蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法研究二维晶格系统伊辛模型。为了避免界面影响，采用了周期性边界条件，在不同温度下，研究了系统的状态。在高温下系统是高度无序的，当温度降低到临界温度时，系统呈现有序，并观察到监界涨落现象，在低温下出现相分离。由蒙特卡罗方法所确定的“临界温度”与理论值符合得很好。     

价转移金属络合物低温半导体—金属相变的计算机MONTE CARLO量子格点模拟

对价转移金属络合物材料低温条件下的半导体—金属态转变特性,采用计算机Monte Carlo技术,在Wannier表象中,对由位移变换和基态平均得到的多维序参量和状态参量量子统计平均方程组,进行Monte Carlo自洽迭代量子格点模拟,得到了系统的相图和序参量变化关系。