信息金水桥

磁性测量系统入网仪器编号:075 所在单位:中国科学院物理研究所安置地点:中科院物理所联系人:樊世勇联系电话:(010)6255913l-471 邮政编码:100080 MPMS-7型磁性测量系统主要规格及技术指标如下:磁场:H=±7T;精度:0.1mT;温区:1.5°K-400°K;灵敏度:1×10~(-8)emu/g;电阻:10~(-5)～10~( 9)Ω。该系统用于测量物质磁矩(或磁化率)电阻与磁场或与温度的关系曲线,从而得到多种磁     

100kA直流大电流测量仪投入小批量生产

精密测量直流大电流是现代电磁测量技术的重大课题之一。为满足工业现场对直流大电流测量装置在安装时不断开母线,精度要求高以及要有一定的抗外磁场干扰能力的要求,由华中工学院、武汉电工仪表厂和贵阳铝镁设计院共同研制的HZD 100kA霍尔检零零磁通直流大电流测量仪已获得成功。1983年底通过鉴定,会上获得专家们一致好评。该测量仪现已在武汉电工仪表厂和宜昌电工仪表厂投入小批量生产。 HZD-100kA霍尔检零零磁通直流大电流测量仪运用零磁通原理,并采用多通道闭环系统,可防止工业现场的强大磁场干扰,大大提高了测量精度。该测量仪的主要技术指标为:量程100kA;35～100％负荷时相对误差0.2％;能抵抗100Gs左右的外磁场干扰;功耗为2kVA/100kA。这些技术参数表明,该仪器性能指标达到和接近国外同类产品先进水平。若由该测量仪全部取代直流互感器,其自身电耗仅炼铝行业每年即可节电300万度。此外,它的原材料消耗(矽钢片和铜)仅为老产品的1/2～1/3。该仪器的研在霍尔检零零磁     

应用布朗弛豫磁纳米的肿瘤热疗温度测量方法

提出了一种在中高频交流叠加直流磁场的作用下利用磁流体布朗弛豫时间进行温度测量的方法.通过测量交流磁化率得到磁流体的布朗弛豫时间,根据在交直流磁场(交流频率为5~10kHz,磁场为6×10~(-4)T,直流激励磁场为7.5×10~(-4)~30.0×10~(-5) T下布朗弛豫时间与温度的关系模型获得温度信息.构建了交流磁化率的测量系统来获取弛豫时间并用实验实现了温度测量方法,测量的温度误差小于0.15K.该方法可以实现磁纳米粒子在中高频交流激励磁场下的非侵入式的温度测量.     

基于C8051F340的亥姆霍兹线圈磁场测定仪的设计

利用霍尔传感器件,自带USB2.0以及10位快速A/D的高性能单片机C8051F340,研制了单芯片(SOC)高速磁场数据测量装置,编写了磁场数据采集处理程序,设计了中心距可调的亥姆霍兹线圈并用所研制的仪器进行了轴向磁场分布测量。结果表明,该实验装置测量精度高,实时性好,实验手段先进,可扩展为多个设计性物理实验。     

Aun+1-1、AunCr-1 (n=1~10)团簇结构、稳定性与电子构型研究

采用密度泛函理论对阴离子团簇Au_(n+1)~(-1)、Au_nCr~(-1)(n=1～10)的基态结构、稳定性、电子构型与磁性做了系统研究。结果表明:Au_(n+1)~(-1)均为平面构型,Au_nCr~(-1)(n=1～6)为平面结构,Au_nCr~(-1)(n=7～10)为体结构;Au_(n+1)~(-1)替代掺杂Cr原子提高团簇的稳定性;离解能与二阶差分能结果表明偶数的Au_(n+1)~(-1)、Au_nCr~(-1)稳定性比相邻奇数团簇高;轨道的有效电荷分布结果说明Cr原子的掺入使得Au原子内部spd杂化变得更复杂,Au_nCr~(-1)中Cr原子成为价电荷的主要接受者;轨道磁矩分布结果则表明Au_(n+1)~(-1)电子结构随尺寸增长表现为明显的开闭壳层结构,Au_nCr~(-1)的电子结构均为开壳层,Au_(n+1)~(-1)的磁矩主要由Au 5d轨道贡献,而Au_nCr~(-1)的磁矩则主要由Cr 3d轨道贡献。     

用纵向磁光克尔效应观察Co/Cu/Co三层膜正交方向磁矩随磁场的翻转过程

运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7 nm)/Cu(2 nm)/Co(2.7 nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致.     

BESIII π~+π~-形状因子测量以及π~+π~-π~0展望（英文）

利用BESIII在3.773GeV获取的2.93fb-1数据,测量了600~900 MeV/c~2区间e~+e~-→π~+π~-的截面.分析主要基于初态辐射的方法,总的系统误差控制在0.9%.通过计算得到的形状因子|F_π|~2与其他两个实验做了比较.两π过程对缪子反常磁矩的贡献为a_μ~(ππ,LO)(600~900 MeV/c~2)=(368.2±2.5_(stat)±3.3_(sys))×10~(-10).     

量子霍尔电阻的精密测量

1980年冯·克里青教授利用MOSEFT在低温强磁场中发现量子霍尔效应,其量子霍尔电阻(QHR)为:R_H=h/(ne~2),(1)式中,e为电子电荷;h为普朗克常数;n为整数.上式表明,量子霍尔电阻只与基本物理常数h/e~2有关,与材质和样品的几何尺寸无关.因此,可利用它来建立电阻的自然基准和测量精细结构常数.为了用它建立电阻自然基准,许多国家的实验室都进行了量子霍尔电阻的精密测量,最高测量不确定度已达1×10~(-8).1988年第18届国际计量大会(CGPM)及第77届国际计量委员会(CIPM)作出决议:“自1990年1月1日起,国际上将同时正式启用以约瑟夫逊常数和冯·克里青常数的国际公认值为基础的电学计量新基准复现电压单位和电阻单位.作为量子霍尔电阻的公认值——冯·克里青常数     

温度对量子环磁矩振荡规律的影响

应用统计理论计算了量子环中电子的热力势Ω和磁矩,研究了温度对量子环磁矩随磁场振荡规律的影响.结果表明：当温度一定时,强磁场作用下的量子环磁矩主要随磁感应强度B的倒数1/B作振荡,而弱磁场时则随B作振荡.对Au量子环,强磁场作用下磁矩随1/B的振荡周期为6.823×10－3T－1,而弱磁场作用下磁矩随B的振荡周期为1.377×10－2T.而磁场一定时,量子环的磁矩随温度成非线性变化.其中磁场较小时,磁矩随温度升高而增大且为负;而磁场较大时,则随温度升高而减小且为正,而一般情况下,磁矩会随温度升高而变号.磁     

场效应管核磁共振探头

本文叙述了一个应用场效应管的简易核磁共振探头,它能稳定地工作在0.7—77MHz之间。用~1H做样品,可在1.7×10~2—1.8×10~4奥范围使用。磁场高于2×10~3奥,信噪比大于40:1,最佳调整可以更高。用~7Li做样品,可用于测量更高的磁场(约4.5×10~4奥)。探头还具有体积小、结构简单、调整和使用方便等优点。     

中间矢量玻色子的反常磁矩和一种可能的实验检验

本文从几个方面对W~±矢量中间■色子(VIB)的磁矩问题进行了讨论:(1)核Weinberg—Salam 模型,利用规范不变性得出正规顶角的母泛函方程,求出三线VIB 正规顶角满足的Ward—Takahashi 恒等式,证明了在没有自发破缺情形下,它的张量结构形式与裸的VIB三线耦合项相同.对于自发破缺的情况.也给出了概要的证明.指出上述结论不变.(2)论证了上面的结论对应W~±的反常磁矩和反常电四磁矩为零:从有效相互作用的普遍形式出发,说明反常磁矩和反常电四磁矩是由哪些相互作用项引起的.而规范理论中不存在这种相互作用项.(3)计算了园偏振的硬γ光子与高能电子碰撞产生W~±的过程,指出利用它来检验W~±磁矩的优点。在E~2(?)从10~4-5×10~4Gev~2范围内,计算了γ光子不同偏振状态的微分截面、总截面和不对称性系数.结果表明,测量它们随能量的变化能确切地定出W~±磁矩的数值.     

无线移动霍尔效应高斯计的设计

应用遥控电动小车和集成线性霍尔芯片及数据采集芯片,根据霍尔效应原理设计了车载无线高斯计磁场测量系统,在PC微机控制下对较远距离磁场进行了遥控测量和数据处理.采用FSK无线收发模块电路对二进制数据流进行调制和解调,实现了小车遥控系统、高斯计测量系统与PC微机之间串行异步数据的无线传输和命令交互.     

核磁共振章动法测量超导磁体的磁场及均匀度

本文根据核磁共振章动法的基本原理,研制了流水式核磁共振测场仪,介绍了其基本结构和线路.用该仪器已成功地测量了360MHz核磁共振波谱仪的超导磁体的中心磁场及其均匀度,其测量准确度达到1×10~(-5).文中还对该仪器的测量结果作了误差分析.     

应用加脉冲梯度场的自旋回波法测量自扩散系数

本文描述了在核磁共振自旋回波谱仪中应用脉冲磁场梯度测量自扩散系数。作者设计并制作了四极型磁场梯度线圈和相应的脉冲电流源,采用多功能脉冲序列发生器控制产生磁场梯度脉冲和射频场脉冲实现了测量。该方法与加恒定磁场梯度的自旋回波方法比较,具有回波信号不变窄,测量准确,灵敏度高,测量范围大,最小测量值已达到6×10~(-13)米~2/秒。     

利用霍尔元件测量空心铜管的线膨胀系数

膨胀系数用于表征固体材料的物理属性,具有广泛的科研和实践意义.为了减少物理量的测量个数、提高测量精度,根据霍尔元件在梯度磁场中的位移与霍尔电压的线性关系,提出了一种新的利用霍尔元件测量空心铜管线膨胀系数的实验方法.通过该方法测得一定温度范围内（20.6℃-70.6℃）空心铜管的线膨胀系数为1.6747×10-5/℃,与理论值1.67×10-5/℃相比,相对误差仅为0.27％,表明该测量方法具有较好的理论与实际应用价值.     

纯铜在范性形变过程中的内耗对频率和速率的响应行为

在改装了的拉力试验机上测量了电解纯铜(99.98％Cu)在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率ε、测量频率ω以及变形量ε等对内耗Q~(-1)的影响.所得内耗Q~(-1)随ε及ω~(-1)的增加而增加。除定频(f=2.02Hz)变速(ε=1.08×10~(-6)—37.6×10~(-6)/sec)过程的内耗与ε没有线性关系之外,定速(ε=9.04×10~(-6)/sec)变频(f=0.49-4.16Hz)过程的内耗与ω~(-1)或ω~(-1/2)亦不呈线性关系。但定速变频过程的内耗数据可分解为ω~(-1)及ω~(-1/2)两个过程的迭加由Q_1~(-1)-ω~(-1)及Q_2~(-1)-ω~(-1/2)关系计算出的Q_1~(-1)-ε曲线和Q_2~(-1)-ε~(1/2)曲线迭加后,得到的Q~(-1)-ε计算曲线与实验曲线符合得颇好。因此,纯铜在范性形变过程中的内耗可写为Q~(-1)=A_1(ε/ω)+A_2(ε/ω)~(1/2)。讨论了位错平均运动速度随时间的变化规律对形变过程内耗的影响,由实验数据计算出形变过程中位错平均运动速度V_0与形变量ε间的关系为V_0=V~*(10~3+ε~(-1/2)).     

测量薄膜参数的新型精密仪器PW—Ⅱ型光波导测试仪

“PW—Ⅱ型光波导测试仪”是我国首次研制成功的测量厚膜参数的新型精密仪器。文章介绍了该仪器的测量原理和结构特点。对仪器的测量精度进行了理论分析和数学推导,并采取了相应的技术措施,给出了精确的实测计算结果:薄膜折射率测量精度的绝对值≤1×10~(-4);薄膜厚度测量精度的绝对值≤1×10~(-2)μm。该仪器还可以用来精确测量薄膜的损耗,并能用于各向异性薄膜特性参数的测试与研究。     

二维稀磁Ising铁磁体的磁化行为

对处于外磁场中,自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型,采用相关有效场理论,推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式·对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨·对给定的浓度和温度,磁矩随外场强度增大而变大;而对给定的浓度和磁场,磁矩随温度升高而减小·得到了基态时系统的序参量随浓度的变化曲线及该结构在不同浓度下的相图·     

关于环境浮游磁场的测量

浮游磁场是由工作环境周围存在的变压器、电动机、动力线、电炉等产生的一种工频磁场,它对一些精密仪器是一个重要的燥音来源。例如在电子显微镜中,恒定的不随时间变化的横向杂散磁场将使电子束发生偏转,阻碍调整以达到必要的合轴精度。而随时间变化的工频磁场,将产生更严重的影响。对于一给定的仪器,如果周围的工频磁场超过某一极限值,则该仪器将达不到原来的精度或分辨本领。 在电子显微镜的物镜场附近,即使10~(-6)-10~(-7)G的浮游磁场就足以使几埃的分辨率遭到破坏,而通常的实验室中总存在有一定强度的浮游磁场。因此在许多仪器的这部分敏感区,都用一定厚度的μ金属来进行磁屏蔽。但是即使精心设计采用μ金属屏蔽的电     

高精度开口式直流大电流比较仪

本文论述了一种高精度开口硅钢片铁芯磁调制型直流大电流比较仪的工作原理、灵敏度计算及系统静差分析.经鉴定,该比较仪电流比率精度为5×10~(-5),由标准电阻取信号准确度为3×10~(-4)(现场校验)和5×10(-4)(现场测量),开口重复性误差不大于1×10~(-5).文中对误差分析和仪器的特点也作了介绍.