挪威研制出半导体新材料

<正>挪威科学家近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料"砷化镓纳米",具有透明、韧性佳且价格低廉等优点,在未来半导体产品市场极具竞争性。挪威科技大学电子与电讯系的研究人员介绍说,他们采用自动分子束外延生长法,在原子级薄石墨烯上生成了这种半导体纳米线。虽然它不是一种全新产品,但却是半导体装置生产方法的一个新模板,可以应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产,有望改变半导体工业现有的设备     

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。     

发现“L层”的实验

P—N结不是P型半导体和N型半导体直接联接而成,而是用杂质的“补偿效应”,由一种型号半导体通过掺杂使其反型形成的。杂质分布是余误差函数或高斯函数分布。如图一所示。n型衬底中含磷(P),进行硼(B)扩散,生成P型,P—N结界面处杂质分布:     

用HF—醇溶液法制备多孔硅的新方法

本文采用HF－醇溶液法制备了多孔硅，实验表明，它提高了多孔硅中的游离氟离子浓度，改善了电解液与硅片的润湿性，有利于形成均匀的多孔硅，在非光照条件下，可制成N型多孔硅。     

具有高水热稳定性有机-无机杂化中孔硅基材料的合成

以Y型沸石前驱体和不同的有机硅氧烷为硅源,合成了多种具有高水热稳定性的有机官能化中孔硅基材料,这些材料在100℃纯水中处理150 h后,能同时保持中孔结构和孔道表面上有机组分的稳定.Y型沸石前驱体可用廉价的反应物制备,提供了一条制备具有高水热稳定性有机官能化中孔硅基材料的低成本合成路线.     

从专利申请角度看“硅系阻燃剂与膨胀型阻燃剂对聚合物复合材料的协同阻燃作用”的研究现状

膨胀型阻燃剂是近年来发展极快的环保型阻燃剂,硅系阻燃剂因其有害性低也引起了广泛的重视,并被用作膨胀型阻燃剂的协效阻燃剂。本文针对硅系阻燃剂与膨胀型阻燃剂对聚合物复合材料的协同阻燃作用,通过对国内外专利进行充分检索,从专利申请的时间分布、地域分布、申请人类型、技术特点等与申请量的关系入手,对相关专利进行系统地统计和分析,从而揭示该项研究的发展脉络、发展现状、发展趋势、专利技术特点等,希望能为本领域的技术研究、技术探索提供理论依据和支持。     

水吸附对WO3纳米线/金电极界面势垒的影响

构筑基于单根WO3纳米线的"金属/半导体/金属"三明治结构的场效应晶体管器件,并在不同环境下对器件进行电输运性能测试.结果表明:水吸附在纳米线表面增加了纳米线/金的界面势垒宽度,同时水吸附是WO3纳米线器件出现忆阻性能的重要原因.在空气中纳米线表面吸附的水分子被价带底的空穴不断氧化成O2并产生H+,而H+不断地在源漏两...     

硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心和密度的确定

报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量；首先，通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位，然后在样品表面蒸镀金属电极，形成MIS结构，进行电容--电压（C-V）测试，由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点，发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度，经过400℃下老化20min，常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4，和SiO2界面附近。     

一种硅基顶发射有机发光器件

本文制作了一种硅基顶发射有机发光器件．采用紫外表面处理的金属银作为阳极;超薄的铝／银作为半透明的复合阴极;4,4′,4″-tris{N,-（3-methylphenyl）-N-phenylamin}triphenylamine（m-MTDATA）作为空穴注入层;N,N′-bis-（1-naphthyl）-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine（NPB）作为空穴传输层;tris（8-hydroxyquinoline）aluminium（Alq）作为发光层．器件在3V下开启,开启亮度为3cd／m^2;在11V达到最大亮度19610cd／m^2;在6V时达到最高效率2．7cd／A．     

基于半导体可饱和吸收镜的双波长环形腔连续波光纤激光器

提出并实验研究了一种基于半导体光放大器(SOA)和半导体可饱和吸收镜(SESAM)的双波长环形腔连续波光纤激光器.当半导体光放大器的输入电流为140m A时,通过仔细调整偏振控制器,可以获得1 560.91 nm和1 564.12 nm双波长激光,其信噪比大于30 dB,波长间隔为3.21 nm.实验结果表明,基于SOA和SESAM的双波长环形腔连续波光纤激光器的新概念及其技术可行性.