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分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应,给出了p型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比no/nT的表达,主要结果表明在低注入条件下,浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响,而在高注入水平下,由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目,从而克服了这一低温陷阱效应,可以忽略。 相似文献
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刘忠厚 《哈尔滨师范大学自然科学学报》1985,(3)
P—N结不是P型半导体和N型半导体直接联接而成,而是用杂质的“补偿效应”,由一种型号半导体通过掺杂使其反型形成的。杂质分布是余误差函数或高斯函数分布。如图一所示。n型衬底中含磷(P),进行硼(B)扩散,生成P型,P—N结界面处杂质分布: 相似文献
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本文采用HF-醇溶液法制备了多孔硅,实验表明,它提高了多孔硅中的游离氟离子浓度,改善了电解液与硅片的润湿性,有利于形成均匀的多孔硅,在非光照条件下,可制成N型多孔硅。 相似文献
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以Y型沸石前驱体和不同的有机硅氧烷为硅源,合成了多种具有高水热稳定性的有机官能化中孔硅基材料,这些材料在100℃纯水中处理150 h后,能同时保持中孔结构和孔道表面上有机组分的稳定.Y型沸石前驱体可用廉价的反应物制备,提供了一条制备具有高水热稳定性有机官能化中孔硅基材料的低成本合成路线. 相似文献
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构筑基于单根WO3纳米线的"金属/半导体/金属"三明治结构的场效应晶体管器件,并在不同环境下对器件进行电输运性能测试.结果表明:水吸附在纳米线表面增加了纳米线/金的界面势垒宽度,同时水吸附是WO3纳米线器件出现忆阻性能的重要原因.在空气中纳米线表面吸附的水分子被价带底的空穴不断氧化成O2并产生H+,而H+不断地在源漏两... 相似文献
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报道通过表面电位测量和C-V分析来确定硅基多层无机驻极体薄膜中平均电荷重心及电荷密度的方法。它包括两个非破坏性的测量;首先,通过补偿法测量驻体薄膜自由面的表面电位,然后在样品表面蒸镀金属电极,形成MIS结构,进行电容--电压(C-V)测试,由此得到驻极体薄膜和硅界面的电位。电荷重心和电荷密度可通过计算得出。同时利用这一方法确定了硅基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜中的平均电荷重点,发现电荷重心强烈地依赖于电晕充电以后的老化温度,经过400℃下老化20min,常温正电晕充电驻极体的电荷重心已从近自由面迁移至Si3N4,和SiO2界面附近。 相似文献
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本文制作了一种硅基顶发射有机发光器件.采用紫外表面处理的金属银作为阳极;超薄的铝/银作为半透明的复合阴极;4,4′,4″-tris{N,-(3-methylphenyl)-N-phenylamin}triphenylamine(m-MTDATA)作为空穴注入层;N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)作为空穴传输层;tris(8-hydroxyquinoline)aluminium(Alq)作为发光层.器件在3V下开启,开启亮度为3cd/m^2;在11V达到最大亮度19610cd/m^2;在6V时达到最高效率2.7cd/A. 相似文献