退火温度对氧化铝薄膜性质的影响

<正>随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料(高k材料)可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,如高的介电常数     

溶胶-凝胶法制备LaxCa1-xMoO4＋δ电解质粉体

用溶胶-凝胶法（sol—gel）合成了新型白钨矿结构固体电解质LaxCa1-xMoO4＋δ（x=0～0．3）的粉体．通过DTA、XRD、IR等现代测试分析手段,对凝胶的热分解和相转变过程进行了研究,用TEM对粉体的形貌进行观察．结果表明：900℃煅烧干凝胶可得纯四方白钨矿相的LaxCa1-xMoO4＋δ粉体．制得的粉体较均匀,粒径分布范围为80～100nm;且随La^3＋掺入量的增加,粉体颗粒有增大的趋势．     

体系pH对MoO_3薄膜结构及光致变色性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了MoO3光致变色薄膜,主要探讨溶液pH值对薄膜结构及性能的影响,运用XRD、SEM、UV-Vis-DRS及全自动色差计对氧化钼薄膜的结构及性能进行了表征.实验表明:随溶液pH值的升高,MoO3薄膜光致变色性能先增强后减弱.pH=1.0时薄膜结晶度较好,颗粒粒径较小,分布较均匀,激发波长蓝移,薄膜的吸收光波区域变宽,色差值达到2.427,光致变色性能提高.     

Gd掺杂对BiFeO3薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在FTO／glass底电极上制备了Gd掺杂BiFeO3薄膜。研究了Gd掺杂对BiFeO3薄膜的晶体结构、铁电性能和漏电流的影响．XRD测试表明薄膜获得良好的结晶。铁电性的测试表明,通过CA掺杂,使薄膜的铁电性得到了增强,剩余极化强度由50．1uC／cm^2增加到89．6uC／cm^2．     

Al掺杂对ZnO薄膜晶体结构的影响

采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Al3 浓度增大时,晶体产生的张应力使晶格常数变大,衍射峰向小角度方向移动;相反,当Al3 浓度减小时,压应力使衍射峰向大角度方向移动.     

热处理对BaPbO3薄膜化学组成及薄膜电阻的影响

以可溶性无机盐为原料,乙二氨四乙酸、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了钙钛矿结构的BaPbO3导电薄膜.利用X射线衍射和能量散射X射线能谱表征方法,并结合薄膜方块电阻的测定,探讨了热处理方式和热处理温度对薄膜化学组成及薄膜电阻的影响.研究表明,与常规热处理技术相比,采用快速热处理工艺制备BaPbO3薄膜需要更高的热处理温度,同时,随着热处理温度的升高,薄膜中的Pb/Ba摩尔比下降,导致薄膜方块电阻上升.采用常规热处理方法,在670℃下保温10min可以制备膜厚约2.5μm、薄膜方块电阻为32Ω/□的BaPbO3薄膜.     

退火气氛对BiFeO3薄膜电性能的影响

采用溶胶-凝胶法在氟掺杂SnO2/glass(FTO/glass)衬底上制备BiFeO3 (BFO)薄膜,薄膜的退火气氛分别是空气、氧气、氮气,退火温度为500℃.XRD衍射图样表明BiFeO3薄膜结晶充分,没有杂相.剖面扫描电镜测试结果表明薄膜的厚度为600 nm.铁电性测试表明在空气中退火的BiFeO3薄膜能够观察...     

氧化硅基底负载TiO2薄膜的制备及其光催化应用研究

以钛酸丁酯为钛源,乙酰丙酮和冰醋酸为水解抑制剂,聚乙二醇为致孔剂,制备了一种稳定的TiO₂水溶胶。采用浸渍提拉法将TiO₂溶胶负载到活化的载玻片上,再经180℃水热或500℃煅烧得到TiO₂薄膜催化剂。采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线晶体衍射（XRD）和Raman光谱等分析手段对样品进行了表征,结果表明：TiO₂薄膜是由粒径为8~12 nm的球形颗粒组成的多孔结构,其晶型为结晶度良好的锐钛矿。以甲基橙为光降解物,在紫外灯下测试薄膜的光催化性能,结果显示煅烧处理的TiO₂薄膜催化剂的光催化活性优于水热处理,对低浓度甲基橙的降解效率达90%以上,并且多次重复使用后光催化活性基本保持不变。     

成膜工艺对sol-gel电致变色WO3薄膜的影响

以钨粉过氧化聚钨酸法配制溶胶,采用脉冲电泳沉积和浸渍提拉两种工艺在ITO导电玻璃基底上制备电致变色WO3薄膜,研究溶胶-凝胶成膜工艺对WO3薄膜微观结构、光学性能和电化学性能的影响.结果表明,两种成膜工艺制备的WO3薄膜均呈非晶态,薄膜厚度相近,约为252 nm.与浸渍提拉法相比,脉冲电泳沉积制备的薄膜具有更大的光学调...     

烘烤温度对LaNiO_3薄膜微结构与电学性能的影响

采用sol-gel技术在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜.利用X射线粉末衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和四探针电阻测量法研究了不同烘烤温度对LaNiO3薄膜的晶体结构、表面形貌和导电性能的影响.结果表明,LaNiO3薄膜均为赝立方钙钛矿结构,表面致密、均匀,衬底与薄膜间界面清晰.烘烤温度为210℃时,薄膜具有最好的<110>择优取向性.烘烤温度在210℃的薄膜具有最低的电阻率,达到10-4Ω.cm数量级,导电性能最好.     

退火温度对La1-xCaxMnO3薄膜电输运特性的影响

采用磁控溅射法在STO（001）基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜,研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响．研究结果表明,随退火温度的升高,薄膜中氧含量及Mn^4＋／Mn^3＋比逐渐升高,LCMO薄膜中的Mn^4＋／Mn^3＋比与薄膜中的氧含量有关,当氧含量增大时,Mn^4＋／Mn^3＋比相应增大．LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小,而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高,经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属．绝缘相变温度可达257K．     

镁含量和热处理对Zn_(1-x)Mg_xO薄膜晶体结构的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备Zn1-xMgxO(x=0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6(mol))薄膜.X射线衍射谱测试结果发现,在0.1相似文献   

热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用SolGel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度达1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.     

La2/3Sr1/3Mn1-xCuxO3的磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了La2/3Sr1/3Mn1-xCuxO3(x=0,0．05,0．10,0．20)的多晶样品．利用振动样品磁强计测量了样品在室温下的磁性能;利用X射线衍射确定了粉体的组成;利用扫描电子显微镜观察了颗粒的形貌．     

表面活性剂浓度对介孔氧化硅薄膜结构和性能的影响研究

报道了一种新型纳米多孔氧化硅薄膜的制备方法，并详细探讨了表面活性剂浓度对介孔氧化硅薄膜结构和性能的影响。以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂．正硅酸乙酯为硅源，盐酸为催化剂，采用溶胶-凝胶技术，通过提拉法制备了二氧化硅透明介孔薄膜。用红外光谱、小角XRD、原子力显微镜对样品进行了表征，并采用椭偏仪和阻抗分析仪测量薄膜的折射率和介电常数。该薄膜具有很低的介电常数和较好的机械强度，是一种可用于微电子工业的极富应用前景的低介电常数材料。     

热处理对溶胶-凝胶TiO_2薄膜的特性影响

研究了热处理对溶胶 -凝胶法制备的TiO2 薄膜材料的晶体结构、致密化以及光学特性的影响 .结果表明TiO2 溶胶颗粒的最低结晶化温度为 40 0℃ ,晶体尺寸随着热处理温度的升高而增大 ;TiO2 薄膜的厚度随着热处理温度的升高从 12 0nm减小到 47nm ,相应的折射率则从 1.85增加到 2 .3;同时 ,TiO2 薄膜的孔洞率随着热处理温度的升高从 0 .2 3降低到 0 .12 2 ,密度则从 2 .83g·cm-3 增加到 3.73g·cm-3 .     

柠檬酸为配位剂对Pr3+掺杂CaTiO3薄膜发光性能的影响

主要研究了配位剂柠檬酸对溶胶-凝胶法制备CaTiO3：Pr^3＋薄膜发光性能的影响．以乙酸、乙二醇甲醚为溶剂,合成了加入柠檬酸为配位剂和未加入柠檬酸的Pr^3＋掺杂CaTiO3溶胶,并使用旋涂法在硅基片上制备了不同退火温度下的CaTiO3：Pr3^3＋发光薄膜．用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的相组成及表面形貌,并使用荧光光谱仪对薄膜的发光性能进行表征．研究发现硅基上制备CaTiO3：Pr^3＋薄膜在1000℃发光性能最佳,而柠檬酸的加入有效地改变了薄膜的表面形貌,较高的表面粗糙度和较大的颗粒大小使得CaTiO3：Pr^3＋薄膜具有更好的发光性能．     

前驱体溶液浓度对LaNiO3薄膜结构及导电性能的影响

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,使用浓度分别为0.1 M、0.2 M和0.3 M的前驱体溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电薄膜,研究了前驱体溶液浓度对LNO薄膜结构和导电性能的影响.X射线衍射测试表明,三种样品均为纯的钙钛矿相,具有较好的(110)择优取向.扫描电子显微镜截面分析显示,用0.2 M前驱体溶液制备的LNO薄膜样品厚度均匀,与Si衬底间没有明显扩散.采用标准四探针法测试了三种样品的电阻率,当前驱体溶液浓度为0.2 M时,样品电阻率最小,仅为2.08×10-3Ω.cm,具有良好的导电性.     

La1-xSrxFeO3薄膜的制备及其介电性能

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),选取乙酸锶、硝酸镧和硝酸铁为原料,无水乙醇为溶剂,冰醋酸为催化剂,配制La1-xSrxFeO3溶胶(按摩尔比(1-x):x:1,x＝0,0.2,0.4),分别在Si/SiO2/Pt衬底上制备成膜,研究其介电性能.结果表明:当Sr掺入量为x＝0.4时,La1-xSrxFeO3介电常数ε...