氢的非对称同位素替代分子与不同能量氦原子碰撞微分截面的理论计算

作者用密耦方程(close coupling equation)研究和计算了氦与氢的非对称同位素替代分子HD碰撞．当入射氦原子能量分别为0．05eV，0．15eV和0．25eV时，考虑到非对称同位素替代时质心偏移量对势能函数的影响，计算了00-00弹性碰撞和00-01，00-02非弹性碰撞的微分截面．     

惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞总截面的理论研究

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了能量E=0．05、0．10、0．15、0．20eV和0．25eV时惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞体系的碰撞总截面，得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系总截面随能量增加的变化规律。     

不同能量的氦原子与氢的非对称同位素替代分子碰撞分波截面理论计算

用密耦方程(Close coupling equntion)研究和计算了氦与氢的非对称同位素替代分子HD碰撞．当入射氦原子能量分别为0．05、0．15eV和0．25ev时，考虑到非对称同位素替代时质心偏移量对势能函数的影响，计算了弹性碰撞激发00-00分波和非弹性碰撞激发00-01、00-02分波截面．     

慢电子与氖原子的弹性散射研究

采用处理慢电子被原子散射的等效势模型,计算了能量在0.1～80 eV范围内电子与氖原子系统的弹性散射总截面、动量转移截面和微分截面,并将其结果与已有的较为准确的理论和实验值进行了对比.还讨论了Hammetling交换势中比例系数取不同数值时对结果的影响.     

氖原子和类氖离子基态能量的变分计算

在考虑了电子间交换作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上,利用变分原理,计算了氖原子和类氖离子基态非相对论性能量,计算结果与实验观测值相当接近,对于氖原子基态的能量,误差只有0.24%.     

硼注入金刚石的分子动力学模拟

利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼粒子注入金刚石的微观行为．结果表明：单个500eV的硼原子注入后金刚石仍保持长程有序结构；表面层原子向内驰豫，邻近表达层的其他各层原子向外驰豫，表面层与近表层原子的间距减少了15％，而第2层原子与第3层原子之间的间距增加了1．5％；硼原子穿透到表面层下0．4nm处，然后再向表面扩散；表面层产生0．4MPa的压应力．     

800—2600eV电子对氖和氩原子的散射全截面绝对测量

介绍中能电子与氖和氩原子碰撞的散射全截面测量，分别给出８００—２６００ｅｖ电子对氖和氩原子的绝对散射全截面．实验结果的系统误差约为２．０％，统计误差约为２．５％．还把测量结果与已有的各实验结果作了比较分析．     

表面合金化对NiPt金属栅电极功函数的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Ni1-xPtx(111)和Ni1-xPtx(001)表面合金的功函数.计算结果表明,Pt原子掺杂在表面层时对功函数影响较大,而且表面层Pt原子掺杂后的合金结构最为稳定;对于Ni1-xPtx(001),当表面层Pt原子的覆盖度从0增加到100%时,功函数近线性增加了0.6eV;而对于Ni1-xPtx(111),当表面层Pt原子的覆盖度从0增加到25%时,功函数增加了0.22eV,覆盖度从25%增加到100%时,功函数却几乎不再变化.上述结果表明,表面层合金化对功函数有重要影响,而金属功函数又强烈依赖于表面取向.     

惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞微分截面研究

用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化.     

金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

氦-氢分子相互作用势对He-H2碰撞激发截面的影响

使用Tang-Toenn ies势模型的两种形式通过密耦近似方法计算了惰性气体He与H2碰撞的弹性和转动激发散射截面及微分散射截面,原子入射能量分别为0.05 eV~0.65 eV,对计算结果进行分析比较。     

等离子体噻吩聚合膜紫外吸收的讨论

从等离子体噻吩聚合膜的反射谱和透射谱,运用传递距阵方法计算得到膜的光学常数:折射率n_f和消光系数k_f(受测量仪器限制,反射谱和透射谱以能量(?)ω表示的频率宽度为0.4～4.0 eV)。等离子体噻吩聚合膜在这个频率宽度内,没有显示出对光的强吸收。由膜的折射率谱及塞尔迈耶公式,可推断在大于4.0 eV紫外区,等离子体噻吩聚合膜存在一定强度的吸收。并进一步利用复数介电函数的实部与虚部之间的 k-k关系,以振子模型进行外推,对等离子体噻吩聚合膜的紫外吸收进行讨论。     

全氟代蒽、菲、芘、并四苯、1,2苯并菲及三苯围苯的量子化学计算

采用密度泛函理论方法(DFT):BHLYP,B3LYP,BP86,BLYP,在全电子的双ξ基组加极化函数和弥散函数(DZP )基组下,计算了全氟代多环芳香族碳氢化合物:全氟代蒽(1-C14F10)、全氟代菲(2-C14F10)、全氟代芘(C16F10)、全氟代并四苯(1-C18F12)、全氟代1,2苯并菲(2-C18F12)及全氟代三苯围苯(3-C18F12)的总能量、优化几何构型、电子亲合势和谐振频率.在B3LYP水平上得到了可靠的绝热电子亲合势(EAad):1-C14F10为1.84 eV;2-C14F10为1.41 eV;C16F10为1.72 eV;1-C18F12为2.39 eV;2-C18为F121.83 eV(Ci)和1.88 eV(C2);3-C18F12为1.69 eV.     

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.     

Breathing "Trap" Mechanism for C60 Nanocage

A new trap mechanism has been proposed to generate H@C 60 . Buckyball excited by shaped laser pulse could have large Raman-active vibration mode A g (1), which enlarges and shrinks buckyball alternately, and raises and decreases the energy barrier repeatedly, forming a trap to capture the incoming H atom. In this trap mechanism, the A g (1) vibration mode is excited before the encapsulation process of H atom. Simulations of semiclassical electron-radiation-ion dynamics showed that the kinetic energy threshold for H atom in this mechanism was lowered from 17.51 eV to 10.51 eV, and successful encapsulation happened in the range from 10.51 eV to 15.55 eV.     

Si6团簇与Si（111）表面碰撞的分子动力学模拟

利用紧束缚分子动力学方法模拟研究了Si6团簇与Si(111）表面碰撞的微观过程，结果表明，Si6团簇在表面再构并吸附的能量阈值为10cV，损伤域能为60eV。通过对碰撞结果的讨论得到了改变轰击能量可以控制外延生长的结构的结论。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。