S－系统F（＋，·，1）的值位与赋值Near－环

本文给出赋值Ｎｅａｒ－环、Ｓ－系统赋值和Ｆ－值位的定义并进行了研究，得出Ｓ－系统等价的值位类与赋值Ｎｅａｒ－环之间的对应关系。     

S-系统的赋值Near-环

给出赋值Near-环,S-系统赋值与F-值位的定义,并分别对S-系统的赋值和位进行了研究,从而得出S-系统的等价赋值类和赋值Near-环之间的对应关系以及等价的位所成的类和赋值Near-环之间的对应关系。     

赋值 Hammocks

定义了赋值Hammock，并证明如下两个定理：（1）设A是Dynkin型赋值路代数，P(i）是不可分解投射A－模，则代数A的AR－箭图ΓA中自然出现一个新的赋值Hammock H（P（i））；（2）设H是赋值Hammock，p是H的thin投射点，则：Hp={x∈H|Homk(H)(p,x)≠0}和H／Hp={x∈H|hH(x)-h(Hp)(x)≠0}是赋值赋值Hammock，其Hammock函数分别为h(Hp)(－）＝dimHomk(H)(p,-)和h(H/Hp)=hH－h(Hp)。     

关于拟赋值环

一个无零因子的交换环Ｒ称为拟值环,如果Ｒ中有一个非零元素ｂ具有下列性质：Ｒ的任意非零元整除ｂ的幂。本文给出了几类拟赋值环及其有关性质。     

有限连通赋值AR—箭图的Galois覆盖

证明了当Г是有限连通的赋值ＡＲ－箭图时，存在Γ有的限Ｇａｌｉｓ覆盖Γ，     

关于Г—环的幂零性问题

Ｎｏｂｕｓａｗａ,Ｈ于１９６４年引进了Г－环的概念,它是比通常的环类更广泛的代数系统。包含了通常的所有环。到目前为止,环论中的许多基本结果已经推广到Г环,１９７９年Ｒａｕｉｓａｎｋｅｒ。Ｔ．ｓ与Ｓｈｕｋｌａ．Ｖ．Ｓ又引进了弱Г－环的概念。本文对于Г－环或弱Г－环的强诣零理想与强幂零理想等概念作了进一步的探讨。     

关于拟赋值环

本文主要研究了文[1]中提出的一个尚未解决的问题,即:如果V_1,V_2是拟赋值环R上的两个赋值,V_1,V_2到商域F上的开拓不等价,则V_1,V_2在R上是否等价?对四类商域为代数数域的拟赋值环,完全解决了上述问题。     

有理数域Q上的P进指数赋值

本文给出了有理数域Ｑ上的Ｐ进指数赋值，Ｐ进整数的概念，证明了Ｐ进整数环的几条重要性质。     

模的τp—基座与τp—Loewy列（Ⅱ）

继续研究了模的τｐ－基座与τｐ－Ｌｏｅｗｙ列，得到了若干结果的推广形式，建立了ｓＨｏｍ及自同态环Ｓ＝Ｅｎｄ为有限长的几个充分必要条件。     

三参数威布尔分布置信限的确定和C—R—S—N曲线的拟合

论述了利用三参数威尔分布描述机械零件疲劳寿命，并在一定置信度下求Ｒ－Ｓ－Ｎ曲线的方法，即根据试验所得的应力－寿命样本，运用优化方法对三参数威尔分布参数进行估计；并在一定置信度下，求出不同可靠度的疲劳寿命，进而拟合出Ｃ－Ｒ－Ｓ－Ｎ曲线，求出相应的疲劳极限应力值。     

整环的赋值扩环及赋值维数

设R是整环,其商域为K.dimv(R)表示R的赋值维数.证明了:(1)dimv(R)是R的维数互异的既是UMT整环,又是DW整环的扩环升链RmRm-1…R1R0=K的长度的上确界;(2)dimv(R/P)≤dimv(R)-htvP,其中P是R的素理想,htvP是P的赋值高度;(3)对于强Milnor方图RDTF,dimv(R)=max{htvM+dimv(D),dimv(T)},其中M是R与T的公共素理想.     

环（L—苯丙—L—脯）的合成

从Ｌ－苯丙氨酸和Ｌ－脯氨酸出发，分别保护两种氨基酸的Ｎ端和Ｃ端，将Ｎ端保护的Ｌ－苯丙氨酸与Ｃ保护的Ｌ－脯氨酸 经ＤＣＣ缩合，得直链二肽，再经Ｐｄ／Ｃ催化氢化，甲醉中回流，得环（Ｌ－本丙－Ｌ－脯），结构经ＨＲＥＩＭＳ、ＤＥＰＴ ＮＭＲ等汉谱证实。     

BCH—环及其若干结论

本文给出了环和BCI－代数的一种统一型推广－BCH－环的概念；证明了真BCI－环存在定理及BCH－环的同构定理；明确了BCH－环之零元的任意可变性并借助于对合自同构给出了BCH－环的一个一般化等价刻划（这是构造新代数系统的一个普遍手段）。     

Σ—主弱内射S—系

本文对幺半群Ｓ的任意右商滤子Σ,讨论了Σ－主弱内射Ｓ－系的余积,积,直和以及Σ－主弱内射Ｓ－系与Σ－内射Ｓ－系之间的关系,并且给出了所有Ｓ－系是Σ－主弱内射的幺半群的特征刻划,推广了有关主弱内射Ｓ－系的结果。     

Γ—环的P—根,弱P—根与拟P—根

本文在Γ－环中定义Ｐ－根、弱Ｐ－根与拟Ｐ－根的概念，讨论它们的性质及相互间的关系，给出了弱Ｐ－根的构造，证明了对Γ－环的任何代数性质Ｐ，总可以确定二个Ａｍｉｔｓｕｒ－Ｋｕｒｏｓｈ根，同时，对Γ－环的几个具体根的研究做了统一，拓广了Γ－环根理论的研究领域。     

环—盘电极恒电流阶跃法研究二氧化锰阴极过程

采用旋转环－盘电极及恒电流阶跃的实验技术研究二氧化锰阴极还原机理，在较负负位下，可溶性二阶锰离子是二氧化锰还原的初级反应的主要产物，说明溶解－沉积机理的重要地位在溶液ＰＨ值膛逐渐增大时，电子－质子机理地位逐渐提高。     

BEI—代数

主要是引进了广义结合的ＢＥＩ－代数概念。讨论了它的一些性质，进而论证ＢＥＩ－代数是一类比环更广的代数系统，阐明开展ＢＥＩ－代数与ＢＥＩ－代数研究工作的背景及理论意义。     

ORL1受体在SK—N—SH细胞中的功能性表达及其跨膜信号传导

一种新型的阿片受体ＯＲＬ１及最近发现的ＯＲＬ１的内源性激动剂在痛觉的调制机制中扮演着某种重要角色。通过Ｎｏｒｙｔｈｅｒｎ杂交技术在人的神经母细胞ＳＫ－Ｎ－ＳＨ中检测到ＯＲＬ１受体ｍＲＮＡ的天然高量表达；ｃＡＭＰ放射免疫测定技术发现，在经ｎｏｃｉｃｅｐｔｉｎ处理的ＳＫ－Ｎ－ＳＨ细胞中，由环苷酸环化酶活剂剂引起的细胞内ｃＡＭＰ水平的升高到抑制，其ＩＣ５０为６０１５ｎｍｏｌ／Ｌ最大抑制率为７０％。同时，     

（3S,4R）—4—氢基—3—羟基—5—环已基戊酸的非氨基酸途径合成方法

报告了从（Ｓ）－苹果酸出发合成（３Ｓ，４Ｒ）－Ｓｔａｔｉｎｅ类似物活化形式的改良方法，使用Ｎ－保护的苹果酰亚胺后，其随后的格氏试剂加成和脱氧还原可分别达到９５％的区域选择性和９５％的反式立体选择性。     

Al—SiOxNy—Si系统有效功函数差和界面特性的研究

本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大