数控稳压稳流直流电源的设计

本文主要论述了一种基于Atmega16单片机为核心控制器的数控稳压稳流电源的设计原理和实现方法。该电源可通过键盘设置电源的输出电压电流,设置步进电压等级为0.1V,输出电压范围0～25V连续可调;步进电流等级为0.1A,输出电流范围0～2.5A连续可调,电压稳定度小于1%,纹波电压小于l0mV。并设有温度传感器,报警器,所有参数由液晶屏实时显示。     

压电陶瓷变压器高压稳压电源

本文介绍一个利用压电陶瓷变压器的高压稳压电源,电源的输出电压为2000伏。利用串联稳压系统,并采取了使陶瓷变压器的工作频率跟踪谐振频率以及温度补偿等措施,使电源的稳定性有大幅度的提高,该电源的主要特点是:在宽温度范围内,具有较高的稳定度,在-50℃～+65℃的范围内,输出电压的相对漂移<0.3%,当电源的输入电压改变±10%时,输出电压的相对变化<0.3%;电源具有负阻特性,空载输出电压低于有载输出电压;体积小、重量轻,整机重量<1Kg。     

基于LM3S8962的简易恒流电子负载

为测试开关电源的性能指标,设计了一种基于LM3S8962的简易恒流电子负载.该系统以LM3S8962单片机作为核心控制器,产生D/A输出信号加至功率MOS管IRF540的栅极,通过PI调节改变功率管的栅压从而控制其导通电阻,同时通过采样反馈电路检测端口电压及电流,经A/D转换后送给单片机,形成对电源端口电流的闭环控制,使负载上的电流保持相对恒定.该装置可通过键盘设定输出电流值,可调范围在100～1 000 mA之间设置,分辨率为10 mA,可检测被测电源电流值、电压值等参数,并通过LCD显示,系统具备过压保护功能.该装置结构简单,操作方便,显示界面直观明了.测试结果表明,该电子负载恒流效果良好,系统误差在±1%范围之内.     

高精度和高稳定性半导体激光器恒流驱动电源

基于输入电流的微小变化可以引起半导体激光器输出波长和功率显著改变的特征,研制了一种高精度、高稳定性半导体激光器恒流驱动电源。该电源利用运算放大器和场效应管组成恒流源电路,消除了供电电源对输出电流特性的影响,使输出电流仅受调谐电压的变化而改变,提高了输出电流的稳定度;采用高精度基准电压源使调谐电压具有极高的输出精度和稳定度,增强了输出电流的精度;电源慢启动电路避免了浪涌及高压静电等对激光器的损坏,限流保护电路使流过激光器的正向电流不超过允许最大电流值,启停控制电路可根据实验需求随时关闭激光器而不影响电路的其他功能,实现了对激光器的可靠保护。测试结果表明,该电源在输出电流0～200 mA范围内连续可调,输出电流精度为0.01 mA,长期稳定度约为0.004%,具有恒流特性好、纹波小、保护电路可靠、抗干扰能力强、成本低、易实现等特点。     

基于330kV电流互感器测量时受外界电磁场影响的探讨

330kV电流互感器一般为穿心式电流互感器。在现场校验时,多采用单相校验法中的二次测差法和均绕组等安匝法。但这两种方法测出的数据往往误差较大,在实际测量时,往往忽略外界磁场的影响。我们在对330kV变电站的LVQB-330W2型的电流互感器进行测试时,结果误差超差,然后采取措施,发现外界磁场对电流互感器现场校验时误差影响很大。     

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.     

用于X射线测厚仪的高压直流电源的设计

为了解决X射线测厚仪管电压纹波系数大,电源稳定度低等问题,设计了一种用于X射线测厚仪的高压直流电源。设计电压为80 kV、电流为1 mA,系统采用了正负双向倍压整流电路。测试结果表明,所设计的高压直流电源稳定度高、纹波系数小。     

一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源．采用上海贝岭的1．2μm BiCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1．254V,在2．7V-5．5V电源电压范围内基准随输人电压的最大偏移为0．012mV,基准的最大静态电流约为11．27μA;当温度-40℃-120℃范围内,基准温度系数为1mV;在电源电压为3．6V时,基准的总电流约为10．6μA,功耗约为38．16μW;并且基准在低频时具有100dB以上的电源电压抑制比（PSRR）,基准的输出启动时间约为39μs．     

对伏安法测量的探讨

中学物理中有伏安法测量电阻实验和伏安法测量电源电动势和内阻的实验,在这两个实验中,由于安培表内阻不为零,会分电压;伏特表内阻不为无穷大,会分电流,从而产生了不同的系统误差,下面就针对这两个实验,做一些探讨,找出减小系统误差的方法。     

高电压缓变非周期大电流测量

本文介绍了一种测量高电压缓变非周期大电流的方法及装置,该方法采用高精度复合磁位计取样,通过自动校正漂移的前置放大器放大和长时间积分器积分,然后送入计算机处理.用此方法测量,可以克服采用传统的分流器法时与高电压隔离的困难及直流互感器法量程不够宽、抗外磁场能力差的缺点.本装置单次测量精度为0.5%,长期运行时精度为1%,测量电流范围为10~4～10~5安,电压可至数万伏.     

天然活性成分生物转化的微生物、特异酶及其应用

介绍了天然活性成分生物转化的微生物、特异酶以及其应用.中草药等植物中含有的主要天然活性成分,人体难吸收、活性低.为了得到易吸收、高活性的天然有效成分,筛选了一批新微生物,发现一批新型特异的天然成分转化酶;研究了生物转化制备高活性天然成分单体、异构体混合物组、活性中草药制备.     

普通高校体育教学与终身体育的刍议

高校体育是学校体育的最后环节,是联系体育社会化与终身体育的纽带.在以教师为主导和学生为主体的体育教学中,改变旧的教学模式,开设选修课,培养学生的体育兴趣、体育意识,建立终身体育的思想,对实施终身体育具有重要作用.     

土壤重金属Cd胁迫对大蒜和大豆幼苗生长的影响

研究了Cd污染胁迫对大蒜和大豆生长状况的影响.研究结果表明:中高浓度Cd对两种农作物根系长度影响差异并不显著且根系长度与土壤中Cd处理浓度均呈明显的负对数相关性,表明大蒜和大豆对Cd均具有较高的抗性.从两种农作物的生长高度和根系的干重生物量对Cd胁迫反应来看,大蒜对Cd污染胁迫的反应比大豆要敏感.大蒜叶片干重及大豆根系鲜重对Cd处理浓度的反应进一步证实了这一结论,这可能与两种植物对Cd的抗性机制有所差异有关.     

对高校体育弱势群体体育课兴趣的培养

针对当前高校体育弱势群体学生对上体育课兴趣不高，学习热情难以调动等情况，分析了高校体育弱势群体对体育课兴趣不高的现状与原因，提出了培养这部分学生对体育锻炼兴趣的有效方法与对策．     

随机级数的a.s.S-可和性与a.s.收敛性

通常在随机向量对称性条件下,人们研究随机级数a.s.S-可和性与a.s.收敛性的关系及a.s.S-有界性与a.s.有界性间的联系.对有关a.s.S-可和及a.s.有界的重要引理和定理进行了改进和推广,得到了进一步的结果.     

体育消费关系结构与体育产业的发展

从研究体育产业消费关系的结构入手,分析了体育产业的供求关系,提出了优先发展非营利性体育产业的观点．     

幺半群环的弱p.p.性质

设R是环,G是幺半群.证明:(1)如果R是abelian环,G是u.p.-幺半群,则幺半群环R[G]是弱p.p.-环当且仅当R是弱p.p.-环;(2)如果G是非周期的幺半群,R是G-Armendariz环,则幺半群环R[G]是弱p.p.-环当且仅当R是弱p.p.-环.     

前红松和红松的系统比较研究

从结构植物学、植物生物化学、分子生物学三个方面对红松和前红松进行了系统的比较研究.结果表明:前红松叶的角质层内表面的胞间凸缘为浅波浪状,缘厚;红松叶的角质层内表面的胞间凸缘为深波浪状,缘窄.过氧化物同工酶电泳结果可见,前红松有8条酶带,红松有7条酶带;前红松的酯酶同工酶电泳有6条酶带,红松的酯酶同工酶电泳有5条酶带.前红松与红松叶绿体基因组中的rbcL基因片段458个核苷酸中有5个不同.     

集值映射上、下半连续的图象刻划

本文给出了集值映射的上半连续性和下半连续性同图象的闭性和开性间的一些关系。     

《杭州师范学院学报》(自然科学版)2005～2006年入选国际数学文献数据库的统计结果与分析

统计并分析了《杭州师范学院学报》(自然科学版)2005~2006年入选德国《数学文摘》(Zbl)和美国《数学评论》(MR)的情况.入选Zbl数据库论文共66篇,其中2005年38篇,2006年28篇;入选MR数据库论文共72篇,其中2005年30篇,2006年42篇.在入选国际数学文献数据库的浙江省高校学报中位于前列.