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相似文献
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1.
利用正交设计系统研究了钛基RuO_2-PAN电极的制备,寻找出了最佳电极制备条件。并利用动电位扫描法测量了锌电沉积条件下电极极化曲线,得到了具有在工业电流密度(i=500A·m~(-2))下较低析氧过电位(η=0.208V)的节能阳极。考察了电极使用寿命,并求出了其动力学参数a,b,i_0值。  相似文献   

2.
采用电化学循环伏安法、线性电位扫描法研究了锰在铅电极上的欠电位沉积(UPD)。结果表明,用铅电极做研究电极时,当MnCl2的浓度为0.02mol/L,NH4Cl的浓度为0.1mol/L,pH=4.9,起扫电位为-1.2V,终止电位为-1.6V,扫描速度为50mv/s时,可以观察到明显的锰欠电位沉积现象;氯离子在锰的欠电位沉积过程中起着重要的作用。  相似文献   

3.
氯盐氨性络合物体系电积镍的动力学研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
主要采用稳态极化曲线来初步探讨镍阴极电沉积的动力学规律。实验结果表明在NH_3·H_2O浓度为1.25~2.75mol·L~(-1)的范围之内,直接在电极上放电的络合离子形式为Ni(NH_3)~(2+)。拟合计算表明Tafel斜率为0.158V,表观传递系数为0.37,交换电流密度为1.57×10~(-7)A·cm~(-2),电极反应表观活化能为15.78kcal·mol~(-1)。在0.700~0.810V的电位范围内,第一电子传递反应为电极反应的速控步骤,而在较高的阴极化电位下,镍电沉积是混合步骤控制。  相似文献   

4.
在研究光能转换为化学能的光电解水制氢时,比较方便的是[1,2]报导的方法制备的二氧化钛薄膜电极为光阳极,以铂黑电极为对电极。为了尽可能多的得到光电解产物——氢气,我们发现在TiO_2光电极上涂一层微量的金属钯,可以降低电极的过电位,  相似文献   

5.
利用电解仪、电位计和记录仪等组装的电位溶出装置,用于教学实验,可直观地诠释电位溶出分析法的基本原理。用该装置,Cd~(2+),In~(3+),Pb~(2+)三种离子可以同时测定,分辨能力良好。在0.5mol·L~(-1)硝酸钾底液中测定Cd~(2+)时,以旋转玻碳电极为工作电极,于-1.0V(vs·Ag/AgCl电极)预电解4min,静止溶出,Cd~(2+)浓度在5~65μg·L~(-1)内,线性回归方程y=0.375+0.85x,相关系数r=0.9997,相对标准偏差RSD=4.09%。  相似文献   

6.
在络合剂EDTA存在且溶液的pH=2.1,沉积电位E=-1.0 V,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/4的条件下,通过改变EDTA的浓度,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.结合X射线衍射和表面形貌分析,表明它们是具有正交结构的SnS多晶薄膜,且薄膜的颗粒小、致密性和均匀度较好;对其Ram an光谱研究也进一步说明了薄膜中的主要成分是SnS.  相似文献   

7.
电沉积Ni-S合金析氢阴极的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
以硫脲作为硫源,在瓦特浴体系中通过电沉积方法获得NiS合金电极·系统地讨论了电沉积过程中各工艺条件(硫脲浓度、电流密度、pH值及温度)对镀层中S含量的影响,确定了硫脲浓度和电流密度为NiS合金镀层中S含量的主要影响因素;以恒电流极化方法测试不同S含量的合金电极的析氢过电位,得到了析氢过电位仅为90mV的非晶态NiS合金析氢阴极;以稳态极化方法测定该电极的稳态极化曲线,并通过计算得出其电化学参数(b,i0)·结果表明,该电极具有极高的电化学活性·  相似文献   

8.
铬电沉积过程及H2SO4的作用   总被引:2,自引:1,他引:2  
在铬镀液(CrO_3/H_2SO_4=250/2.5Wt.)中,电流扫描实验结果表明,铬在玻璃碳电极上沉积需要成核过电位;而在铜电极上不需要成核过电位,其晶核由电极表面氧化膜(CuO CrOH)还原生成的金属Cr提供。铬电沉积前后,CrO_3还原机理不同,H_2SO_4 的作用也不同,沉积前,H_2SO_4的作用主要是活化电极表面,促使CrO_3还原,同时还使表面氧化膜溶解。沉积后,H_2SO_4 则起着保持电极表面附近阴极膜相对稳定的作用,还可能与 Cr(Ⅳ)形成易还原的配合物。  相似文献   

9.
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在纯Al表面制备TiO2涂层,研究了不同热处理温度下涂层电极电位随时间的变化规律,同时测定了纯Al表面TiO2涂层的极化曲线和孔蚀电位,并对纯Al表面TiO2涂层的结构进行了分析。研究结果表明,纯铝表面TiO2涂层具有明显的光阴极保护效应。在光照条件下,其电极电位最大下降值约270mV。涂层的极化曲线和孔蚀电位测定以及试样在自来水中的浸入实验,进一步证实了纯铝表面TiO2涂层的光阴极保护效应。X射线衍射结构分析表明,TiO2涂层为四方的锐钛型晶体结构。  相似文献   

10.
通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO_2薄膜作为保护层,得到SnO_2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度相对最高.SnO_2层厚度为230nm时SnO_2-Si光电极光电流响应最强,且分解水起始电位较正,用于降解污染物时可避免分解水副反应的发生.在中性、酸性、碱性电解质溶液中,其循环伏安曲线衰减均不明显,证明SnO_2-Si光电极具有稳定的光电化学性能.在可见光光电催化条件下,偏压为1.8V时,其苯酚的去除率达到100%,TOC去除率达到21%.  相似文献   

11.
将叶绿素a二水聚集体电沉积于SnO2光透电极上形成叶绿素a SnO2电极。在pH5.3的HAc-NaAc缓冲溶液中和另一电极组成电池,研究其光电化学性质。当发迹对电极的材料时,叶绿素电极具有不同的光感电位和光感电流。  相似文献   

12.
采用阳极氧化法及光沉积法制备Ag改性Ti O2纳米管阵列,采用XRD、SEM分析样品的晶型和形貌特征,并利用电化学工作站三电极体系通过I-E、光生电位、光电流响应及莫特肖特基曲线考察样品的光电化学性能。结果表明:Ti O2纳米管阵列的内径约为60 nm,管壁厚度约为30 nm,Ag颗粒粒径为15~20 nm;光沉积时间对Ag颗粒尺寸几乎没有影响,仅增加了Ag粒子的沉积量;Ag的改性能够有效地促进电子和空穴的分离,提高了对太阳光的利用率,在氙灯照射下,Ag-Ti O2纳米管阵列具有良好的光电化学性能,光电流达到0.28 m A/cm2,载流子密度ND为2.21×1022cm-3,光转化率可达到4.10%。  相似文献   

13.
采用阳极氧化法及光沉积法制备Ag改性Ti O2纳米管阵列,采用XRD、SEM分析样品的晶型和形貌特征,并利用电化学工作站三电极体系通过I-E、光生电位、光电流响应及莫特肖特基曲线考察样品的光电化学性能。结果表明:Ti O2纳米管阵列的内径约为60 nm,管壁厚度约为30 nm,Ag颗粒粒径为15~20 nm;光沉积时间对Ag颗粒尺寸几乎没有影响,仅增加了Ag粒子的沉积量;Ag的改性能够有效地促进电子和空穴的分离,提高了对太阳光的利用率,在氙灯照射下,Ag-Ti O2纳米管阵列具有良好的光电化学性能,光电流达到0.28 m A/cm2,载流子密度ND为2.21×1022cm-3,光转化率可达到4.10%。  相似文献   

14.
电化学沉积四氨基酞菁镍敏化纳米TiO2电极   总被引:1,自引:0,他引:1  
为寻找高效低成本的染料及其在纳米晶体表面新的键合方式,用电化学方法制备了四氨基酞菁镍敏化纳米T iO2电极.用阳极氧化水解法和丝网印刷法制备纳米T iO2电极,以此为工作电极研究了四氨基酞菁镍在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DM SO)中的循环伏安曲线,分析了四氨基酞菁镍的氧化还原电位.用恒电位沉积制备了四氨基酞菁镍敏化纳米T iO2电极,探讨了沉积电位及时间对电极性能的影响.实验结果表明,在1.0V恒电位沉积得到的电极光电性能最好,沉积时间24h电极性能趋于稳定,实验证明以电化学沉积法制备的敏化T iO2电极的光电性能高于自组装法.  相似文献   

15.
采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...  相似文献   

16.
从鲜菠菜叶中提取叶绿素,用糖柱分离得纯叶绿素 a,再用水处理制得叶绿素 a 二水多聚体.并对其光谱特性进行了研究.用铺展法和电沉积法制得叶绿素电极.测量了其光感电位.研究了叶绿素 a 二水多聚体对光感电位的影响.结果表明,叶绿素 a 二水多聚体能在异辛烷溶液中用电沉积法制成叶绿素电极.  相似文献   

17.
用电化学方法研究了锌钴异常共沉积机理。实验结果表明,单独电沉积时,在不同电极上,钴离子的沉积电位都比锌离子正100mV至200mV;当锌钴共沉积时,钴受到抑制,其沉积电位变得比锌更负。用锑微电极跟踪电极表面附近pH值发现,钴沉积时,电极表面附近pH值升高。同时,Zn~(2 )生成Zn(OH)_2,并吸附在电极表面上,阻碍CO~(2 )的进一步放电。据此阐明了锌钴异常共沉积机理。  相似文献   

18.
以玻璃碳电极研究了在铁 (Ⅲ )存在下 ,微量半光氨酸的半微分溶出法行为 .发现在 pH =3.2缓冲溶液中半光氨酸浓度在 1.0× 10 -9~ 7.0× 10 -4 mol·L-1范围内与其溶出峰电流呈良好线性 ,富集 10min ,检测限为 5 .0× 10 -5mol·L-1,相对标准偏差为 2 .1% .  相似文献   

19.
考察了在NH_3-NH_4Cl底液中,那碎因的示波极谱行为。在pH 9.5的NH_3-NH_4Cl底液中该体系有一灵敏的导数极谱波,峰电位E=-1.51V(vs.SCE),峰电流i_p与那碎因浓度在0.10~7.0 μmol·L~(-1)范围内成正比,检测限为0.02 μmol·L~(-1)。用多种电化学方法确定那碎因在汞电极上的还原是属于反应物弱吸附的不可逆过程,吸附型体为中性分子,测得其在汞电极上的饱和吸附量Γ=0.781×10~(-10)mol·cm~(-2),电子转移数n=2,不可逆过程电子转移系数=0.56,扩散系数D=7.59×10~(-6)cm~2·s~(-1),电极反应速率常数k=8.32μm·s~(-1),并提出了电极反应机理。  相似文献   

20.
利用恒电位法、循环伏安法和双电位阶跃法在聚苯胺修饰Pt电极上沉积Pt微粒,并用其制备了甲醇阳极氧化的催化电极.研究结果表明,此种电极对甲醇氧化具有很好的电催化活性,并有协同催化作用.对不同Pt微粒电化学沉积方式所得电极的电催化活性进行了比较.在其它条件都相同的情况下,恒电位法沉积Pt微粒所得复合电极的电催化活性最好,双电位阶跃法沉积Pt微粒所得复合电极的电催化活性最差.同时,沉积方式相同时,不同沉积条件对所得复合电极的电催化活性有一定影响.在所研究的范围内,恒电位-0.25 V,循环电位-0.25~0.65 V以及双电位阶跃在-0.25 V持续时间为100 s时所得电极的催化活性优于其它条件下所得复合电极的电催化活性.  相似文献   

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