InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究

用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释     

基于静电纺丝法制备Cd掺杂的In2O3纳米纤维及对甲醛的气敏特性研究

本文采用了静电纺丝方法制备了Cd掺杂的In2O3复合纳米纤维,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对纳米纤维材料进行了相关表征.研究了纯In2O3和另外两种不同Cd掺杂的In2O3纳米纤维材料制作的三种气敏元件对室内甲醛气体的气敏特性.结果表明在以摩尔比为1∶1复合时,用静电纺丝方法分别制备出In2O3和CdO纳米纤维后再按1∶1掺杂制作的气敏元件工作温度较低为280℃,在10 ppm时其响应可达13,响应/恢复时间为34 s/35 s;并且具有良好的选择性.     

单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80nm,长度达十几微米,其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现,In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在．     

4-(2-吡啶偶氮)-间苯二酚光度法测定Ga3+、In3+的研究

以4 (2 吡啶偶氮) 间苯二酚(PAR)为显色剂,用光度法测定了Ga3 、In3 两种离子.实验发现,PAR与 Ga3 在pH5.5～6.5时形成桔红色络合物,λmax=505nm,在0～5.0μg·mL-1范围内符合朗伯比尔定律,表观摩尔 吸光系数ε505Ga=1.40×104L·mol-1·cm-1,桑德尔灵敏度SGa3 =0.0050mg·cm-1.In3 与PAR在pH6.0～6.5形成 桔红色络合物,λmax=505nm,在0～4.6μg·mL-1符合朗伯比尔定律,表观摩尔吸光系数ε505In=1.37×104L·mol-1·cm-1, SIn3 =0.0084mg·cm-1.pH及显色剂PAR用量对Ga3 、In3 测定影响较大.     

Ni单晶与外延生长In膜界面化合物的形成

用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发现了一个新的Ni/In化合物.相出现的次序都是从富In相到富Ni相.单晶衬底情况下,相形成与In膜厚度及衬底取向有关.     

缺中子放射性核素铟—111制备方法的研究

本文用二-C2-乙基己基)磷酸从Ag(Ⅰ)和In(Ⅲ)的硝酸溶液中萃取In(Ⅲ)·硝基苯为稀释剂·我们研究了In(Ⅲ)在两相之间的分配比与酸度和D2EHPA浓度及In(Ⅲ)含量的关系;对不同浓度的盐酸从有机相中反萃取In(Ⅲ),测量In(Ⅲ)的回收率;从迥旋加速器幅照的银靶物质中分离出In—111,并测量它的γ能谱.     

水热法制备片层酥状结构氢氧化铟粉体及其表征

采用水热法添加十二烷基硫酸钠（SDS）成功制备了体心立方In（OH）3片层酥状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,研究了SDS对In（OH）3尺寸和形貌的影响,并探讨了In（OH）3晶体生长机理。结果表明：在低浓度SDS下得到了分散性较好的千层酥囊状In（OH）3粉体,在高浓度SDS下得到分散性较好的片状In（OH）3粉体。平面状的In3＋聚集体超过临界值形成晶核,晶核沿着[100]晶体学方向长大,In（OH）3晶体按二维层状生长最终形成In（OH）3薄片。     

以β－二酮类为配体的铟有机配合物的合成及表征

用3种β-二酮为配体与Et2In按摩尔比1∶1和2∶1反应,合成了6种新的有机铟配合物.对这6种配合物进行了元素分析、MS和IR分析,并对这些配合物的热稳定性和溶解性作了初步探讨.根据IR光谱分析,含有β-二酮基的有机铟配合物的结构为:β-二酮基中的两个O原子与In配位,形成螯合的6员环.根据MS分析,发现配合物1-6,在升温过程中,都有歧化现象,歧化反应朝着β-二酮基增多的方向进行.因此,含有β-二酮基和乙基的有机铟配合物的热稳定性大小为:EtIn(β-diket)2>Et2In(β-diket).     

电化学沉积Cu－In—Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu—In—Se薄膜，对电沉积的工艺参数进行了测试，发现Cu—In—Se是一种诱导共沉积，虽然沉积膜不具备化学计量比，但具有一定的光电性能。     

国内中文报刊重要科技文章篇目辑览

非齐型空间上Fefferman-Stein加权向量值极大不等式;一种结构动力特性修改新方法;In离子掺杂二氧化钛纳米管可见光催化活性的研究;一种确定管材本构参数的新方法及其应用;小麦TaCRC基因的克童及表达分析.     

利用荧光增敏效应测定半胱氨酸的新体系研究

在硼酸缓冲液和In(Ⅲ)-HQS荧光络合体系中加入一定浓度的半胱氨酸,体系的荧光强度与半胱氨酸的加入量成正比,从而提出一种新的荧光光度法测定半胱氨酸。该方法测定半胱氨酸的检出限为15ng·ml-1(SNR=3),大多数的氨基酸即使浓度较高时也无干扰。用该方法测定胱氨酸电解液中的半胱氨酸回收率为95.7%～101.3%。     

In2S3纳米结构微球的水热制备及其发光性质

报道一种以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用水热法制备纳米片和纳米颗粒自组装In2S3微米球的简易方法.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征.SEM结果表明:于140 ℃、恒温24 h得到In2S3纳米片自组装微球,直径3～4 μm,纳米片厚度约20 nm,大小为0.5～0.8μm,于160℃恒温24 h得到In2S3纳米颗粒自组装微球.直径2.5～10 μm,纳米颗粒大小为20～200 nm.XRD结果表明制备的产物均为纯相立方晶相的In2S3;发光性能研究表明两种微球具有发冷光的性质.     

一种新代码优化的方法

介绍了一种新的代码优化的方法-Just In Time Code Layout,它不同于传统的静态链接生成可执行程序映象文件的方法,而是在运行时通过动态链接生成执行程序的映象,对比研究了此方法生成的程序映象和传统方法生成的程序映象及用Pettis方法优化生成程序映象三者之间在运行时Cache性能的差异,证明了这种方法对程序运行的明显效果。     

氨基多羧酸配合物及在定向药物研究中的应用

合成了稀散元素InⅢ离子的两种氨基多羧酸配合物：K[InⅢ（edta）（H2O）].2H2O和K[InⅢ（Hdtpa）].3.5H2O,进一步明确了配合物的配位数和结构与金属离子半径大小、电荷高低、电子结构以及氨基多羧酸类配体的形状或大小之间的关系;其中K[InⅢ（Hdtpa）].3.5H2O配合物中剩一个自由的羧酸基没参与配位,为下一步在这个自由的羧酸基上引入卟啉等具有定向功能的分子提供了空间。     

In及In-Cu合金熔体的粘度研究

利用回转振动粘度仪对纯In、In 5 %Cu合金及In 2 0 %Cu合金在液相线以上不同温度进行了粘度测量 ,实验结果表明 ,随温度升高 ,三种熔体的粘度都呈现减小趋势 ,且符合指数变化规律 ;纯In在 43 0℃和 470℃左右粘度出现异常变化 ,In 5 %Cu合金在 6 0 0℃附近粘度值有突变 ,In 2 0 %Cu合金在测试温度范围内没有明显变化 ,粘度的突变表明了液体结构的转变 ;在In中加入 5 %Cu后 ,熔体的粘度值减小 ,而加入 2 0 %Cu后 ,熔体的粘度值明显升高 .     

合金元素对铝阳极材料电化学性能和显微组织的影响

通过正交试验设计出一种性能优良的铝合金阳极材料。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)并结合能谱(EDS)研究铝合金的相结构、表面形貌、显微组织和腐蚀产物,采用电化学方法和化学浸泡法研究铝合金阳极的电化学和腐蚀性能,得出Mg,Sn,Ga和In4种元素对铝阳极电化学及腐蚀性能的影响。研究结果表明:Mg是影响铝阳极电化学性能的最主要因素,低含量的Mg有利于提高铝阳极的电化学性能;In是影响析氢的最主要因素,高含量的In有利于抑制析氢。     

InGaN太阳能电池材料的辐射性质

对采用分子束外延生长的In1-xGaxN薄膜与金属有机化学气相沉积生长的GaAs和Ga0.51In0.49P薄膜太阳能电池材料进行了对比研究,探讨了全太阳光谱材料系In1-xGaxN合金薄膜受到高能粒子辐射后的电学特性变化规律。实验结果显示:GaAs和Ga0.51In0.49P的光致发光信号强度受到照射的强烈压制,而受到类似剂量照射后InN的光致发光信号强度没有下降;In1-xGaxN合金薄膜材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的GaAs和GaInP光伏材料有更高的电阻。这表明,In1-xGaxN对高能粒子损伤没有GaAs和GaInP那么敏感,从而给空间受到强辐射的高效太阳能电池提供了巨大的应用潜力。     

In_2O_3纳米材料的制备及其光学特性研究

采用活性炭直接还原In2O3粉末的热蒸发法,制得大量直径约40～300 nm的In2O3纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、EDS能谱仪和透射电子显微镜(TEM)对其表面形貌、结构和成分进行分析,结果表明所得纳米线为In2O3.用荧光光谱仪研究其发光特性,得知所得产物在室温下存在较强的蓝绿发光和紫外发光现象,同时结合实验条件对合成In2O3纳米线的生长机理和光致发光机制进行初步讨论.     

In极性面InN的生长动力学行为

采用第一性原理模拟计算方法,从原子层面出发,了解InN的生长动力学行为.通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒,了解沉积原子的相互作用和成核.结果表明,In原子比N原子更容易在干净的In极性表面吸附、粘接,并通过扩散找到稳定位置,形成一个较致密的双In原子层.模拟计算了N和In原子在双In原子层和三In原子层表面的扩散,结果显示,在稳定的双In原子层上,N原子将通过垂直扩散穿过顶部In原子层,并在两In原子层表面之间横向扩散,形成纤锌矿结构的InN材料;然而,In原子虽然可形成三In原子层或In滴,其上沉积的N原子也仅能垂直扩散穿过顶部In原子层,长成新的InN分子层,与InN基底间存在双In原子层或更厚的In薄膜,形成不完整的纤锌矿结构InN薄膜.在此基础上,我们提出一新的InN外延两步生长法,以在生长过程中尽量保持表面只存在双In原子层结构,为高质量InN薄膜的外延提供理论依据.     

支持区分服务的队列调度与管理

首先分析了区分服务中提供的各种服务之间的映射关系,然后提出了一种边界路由器采用漏桶标记算法、核心路由器采用In和Out随机提前检测算法支持区分服务的路由队列调度与管理实现方案.最后用ns-2.26网络仿真器对实现方案的公平性、带宽使用效率进行了仿真试验和性能分析.仿真试验结果表明:可以对不同业务流提供有区别的服务质量QoS保证,证明了该方案的有效性和可行性.