2.4 GHz CMOS双平衡混频器的设计

该文设计了工作在2.4GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为提高变频增益增加了分流源单元.该混频器RF、LO和IF分别为2.40GHz、2.41 GHz和10 MHz.经仿真在2.5 V电压下,取得变频增益(Gc)为11.095dB、噪声系数(NF)为8.836dB、1dB压缩点(P1dB)为-13.6 dBm、三阶输入截止点(ⅡP3)为-3.72 dBm、功耗为13.5 mW的较好结果.该混频器采用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现,版图面积(包括pads)为1 mm×1 mm.     

一种S波段低噪放混频组件的研制

介绍一种S波段低噪放混频组件的设计和制作。该组件设计合理、结构紧凑,性能良好。     

2．4GHzCMOS双平衡混频器的设计与仿真

设计了工作在2.4GHz基于Gilbert单元为核心的CMOS有源双平衡混频器.为改善系统噪声性能,在混频器中变频增益增加了分流源单元和耦合电感单元.混频器RF、LO和IF频率分别为2.4 GHz、2.402 GHz和2 MHz.采用SMICO.18μm CMOS工艺进行仿真,在1.8 V电源电压下,混频器转换增益为23dB、噪声系数为8.58 dB、三阶输入截止点为-7.8 dBm、功耗为9.54 mw.     

一款工作于2.4 GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(G_m)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。     

3种混频电路的实验探讨

通过对３种混频电路的初步实验探讨，提出了改善接收机信噪比和失真度的有效措施，为改进“调幅与检波”实验，应用新技术、使用新器件提供参考。     

新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计

设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18 μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1 dB压缩点2.9 dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.     

一种多功能有源滤波器电路仿真设计与分析

根据电路直接型传递函数,对一种多功能有源滤波电路的频率特性进行了分析,给出了该种电路的低通、带通和高通参数仿真设计方法。该电路用于无线数字传输中,作为发射端的前置滤波电路而获得较为理想的FSK信号;同时在频分多址通信系统中,利用该电路可实现多种信号频段的划分。本次设计采用先进的仿真软件Multisim对有源滤波电路进行仿真,仿真研究与理论分析一致,为获得该类有源滤波器的电路设计参数提供了EDA手段和实验依据．     

有源功率因数校正电路的设计

为了探讨开关电源功率因数低的原因并解决对电网的影响设计了一种有源功率因数校正电路。该电路采用了一种新的功率因子校正器件UC3854,经实验验证,该校正电路可使功率因数达到0.96,并把电源输入电流的波形失真减小到6%以下,可以减少了开关电源对电网的污染。     

微波有源滤波器交调失真的研究

研究微波有源滤波器的交调失真及其与有源器件工作参数如偏置电流、滤波器Q值、带宽和级联数等参数的关系。     

双通道室内主动降噪器设计

为实现低成本与无穿戴的室内低频噪声控制,以多通道FXLMS算法为基础,通过安装误差传感器于普通座椅的双耳侧,并通过离线建模获得次级通道模型的方法设计了一种双通道主动降噪器。实验表明,该降噪器对200 - 800Hz的单频噪声及双频混合噪声降噪量能达到20 dB,对40 - 100Hz方波噪声降噪量能达到10 dB,对机械旋转噪声降噪量能达到6 dB,对鸣笛声降噪量能达到9 dB,能满足一般的室内个人降噪需求。     

自适应有源消声耳罩

提出了设计参数与具体配戴无关的双传声器自适应有源消声耳罩，给出了有源消声耳罩的结构和原理，理论和实验表明，其在较宽频率范围有较好消声效果，且具有不依赖具体佩戴状态的良好适应性．     

500～1000MHz微波镜象抑制混频组件的研制

介绍一种Ｌ波段微波镜象抑制混频组件的设计和制作．该组件采用先进的微带技术,选用贴片式平衡混频块,结构紧凑．在５００～１０００ＭＨｚ频率范围内,镜象抑制度小于-２６ｄＢ,噪声系数小于３ｄＢ．     

一种低噪声高增益CMOS混频器设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益的混频器.通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声,并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流,增大电路的增益.仿真结果表明,混频器工作电压为1.8 V,直流电流为9.9 mA,在本振(LO)频率为2.39 GHz,射频(RF)频率为2.4 GHz时,混频器的增益为12.65 dB,双边带噪声系数为4.23 dB,输入三阶交调点为-3.45 dBm.     

用于UHF RFID零中频接收机的混频器设计

基于SMIC 0.18.μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频(UHF)射频识别(RFID)系统零中频接收机的混频器.在对传统吉尔伯特混频器的噪声指标进行深刻分析的基础上,采用动态电流注入技术,设计出了一种低噪声、高线性度的混频器.动态注入电路有选择地向跨导级注入适当电流,大大抑制了开关管中的闪烁噪声,从而提高了混频器的整体噪声性能,同时又不影响混频器的线性度.在1.8V电源电压下,仿真显示,该混频器取得11.3dB的噪声系数、-5.58 dBm的输入l dB压缩点、26.04 dB的转换增益.芯片仅消耗7.2 mW功耗,占用404 μm*506 μm芯片面积.     

微波有源网络阻抗的自适应调配

该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法，该方法具有稳定性好，收敛性，对初值不敏感等优点，可广泛用于微波放大器及振荡器的调谐及阻抗调配，也可用于无源阻抗调配，文中给具体实例，对该方法进行了分析及检验。     

基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计

采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明：在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm.