Alq3有机发光器件的研制及寿命研究

以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流子的注入满足隧穿理论 ,发光阈值电压～ 1 2V ,所发绿光在正常室内环境下清晰可见 .通过电流随时间的变化测量了器件的工作寿命 ,并对影响器件寿命的原因作了分析 .     

基于外延剥离技术的薄膜LEDs的电流扩展和热效应研究

随着外延剥离技术和转印技术的发展,柔性无机半导体集成器件引起人们的广泛关注.柔性无机发光二级管(LED)的研制是高精度转印技术和应用于生物传感的柔性混合集成技术的迫切需求.薄膜发光二级管(TF-LEDs)的电流扩展和热管理是研制TF-LEDs性能的关键.该文采用光刻胶微支撑结构,制备了两种结构的TF-LEDs,并将其转印到柔性衬底聚二甲基硅氧烷(PDMS)上,测试TF-LEDs的电学特性.采用二维有限元模拟仿真,综合考虑复合机制、晶格温度等对LEDs电学特性的影响,分析了条形电极结构TF-LEDs和环形电极结构TF-LEDs的电流扩展问题,说明环形电极结构TF-LEDs电流分布均匀性好,自发热效应较小;在柔性衬底上,可以在相对较大的功率下连续工作而不会因为温度过高而造成器件损坏.     

开管(Zn)扩散平面型GaAs_(1-x)P_x发光器件

利用宽禁带半导体材料及萤光材料,制成各种颜色及外形的固体发光器件,正广泛应用于电子设备,作为显示元件。其优点是寿命长,可靠性高,功耗低,体积小和易于加工成各种显示图形。目前使用最广泛的是,GaAs_(1-x)P_x 红色电致发光器件。GaAs_(1-x)P_x 发光器件是一种p-n 结正向注入发光器件。有用ZnAs_2 P 为扩散     

短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究

肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂.采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性.结果表明:在MPS阳极区(p 区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数.     

氧化锌/银双层膜负反馈阴极电极的制备及性能研究

提出了一种可显著改善碳纳米管(CNTs)场致发射性能的ZnO/Ag双层膜负反馈阴极电极的制备方法.在条形银电极上溅射沉积一定厚度的Zn膜,经热氧化和湿法刻蚀制备成ZnO/Ag双层膜电极.同单层的Ag或氧化铟锡电极相比,该电极不仅具有足够的负反馈电阻(限流电阻)阻止CNTs场发射中过流的发生,而且降低了条形阴极电极的线性电阻,确保了场发射的均匀性.当溅射沉积Zn膜的厚度从40 nm增到120 nm时,热氧化形成的ZnO由孤岛状的颗粒变为连续体的薄膜,ZnO/Ag双层膜电极的表面光洁度比单层的Ag电极有很大的提高,负反馈电阻层的电阻增大,负反馈的能力增强.CNTs薄膜阴极场发射特性曲线证明,ZnO/Ag双层膜电极能明显降低场发射电流的波动,有效提高器件的稳定性和寿命.     

La_(1-x)Ce_x(NiCoMnAl)_5贮氢合金电极的制备及表面改性

制备了 L a1 - x Cex(Ni Co Mn Al) 5 贮氢合金电极 ,研究高温热碱充电和 KBH4还原剂热充电两种新型表面改性方法及其对 L a1 - x Cex(Ni Co Mn Al) 5 贮氢合金电极活化次数、高倍率充放电能力和氢扩散行为的影响。探讨了作用机理。结果发现表面处理法有利于提高合金电极的活化性能和大电流充放电性能。其中 KBH4还原剂热充电法处理后的合金电极在第二次充放电循环时就能完全活化 ;并且在90 0 m A/g的充放电电流密度下 ,其高倍率放电能力达到85 %左右 ;合金电极表面出现大量的微裂纹 ,氢在处理后的合金电极中的扩散系数为 3.2 3× 10 - 9cm2 /s     

结晶高聚物PVDF的介电吸收电流及释放

研究了经拉伸及极化处理的PVDF在高温附近的长时间介电吸收电流及其释放电流,刺激电场为10~5至10~6vm~(-1),发现上述二种电流均遵守 It~(1/2)∝e~±(at)~(1/2)的规律,介电吸收电流与样品历史有关,介电释放电流与样品历史无关,它们都是由电极注入空间电荷引起的。     

聚苯胺(PAn)和聚吡咯(PPy)膜电极对Hg(Ⅰ),Sn(Ⅱ)氧化的电催化行为

聚苯胺(PAn)和聚吡咯(PPy)膜电极对Hg(Ⅰ),Sn(Ⅱ)的氧化的电催化作用以循环伏安法(CV)进行了研究.在0.3mol·dm~(-3)HNO_3中PAn膜电极对Hg(Ⅰ)的氧化在0.445V处有一个非常尖的氧化峰,其峰电流I_(pa)的值为同样条件下Hg(Ⅰ)在光滑裸铂电极上峰电流值的5倍以上.PPy膜电极对Hg(Ⅰ)的电催化氧化有相似的结果,在0.49V处有一个尖峰,这是Hg(Ⅰ)在PPy上的氧化峰,I_(pa)值为在裸铂电极上的数倍.这些结果都说明PAn和PPy对Hg(Ⅰ)的氧化有明显的电催化作用.与此相似,PAn,PPy膜对Sn(Ⅱ)的氧化有类似的效果.PAn与PPy对Hg(Ⅰ)和Sn(Ⅱ)的氧化,其峰电流I_(pa)与扫描速率v的平方根成直线关系,这说明Hg_2~(2+)和Sn~(2+)离子在这两种导电聚合物膜电极上的电极过程受膜内扩散控制.     

高场强下聚酰亚胺薄膜电导的研究

本文研究了聚酰亚胺薄膜(PI)在不同温度、厚度下的电压电流特性,以及热刺激去极化电流(TSDC)与极化电压的关系。由实验结果表明:聚酰亚胺的电导与电极限制电流有关,电流密度与电场的关系接近于肖特基效应;热刺激电流峰是由电极注入陷阱的电子热释放形成的。     

(001)GaAs和(001)InP晶片[110]及[1(-1)0]取向的简易判别法

Ⅲ-Ⅴ族化合物中的GaAs及InP是目前制造激光二极管的主要材料之一。人们利用GaAs和Inp在腐蚀液中各向异性的特性,蚀刻出各种梯形台面以获得最小条形有源区,然后再进行二次外延,做成掩膜条形激光二极管。然而要蚀刻出不同梯形台面的条形,在光刻前必须判别出(001)GaAs和InP外延片的[110]及[10]晶向。通常判别GaAs及     

阴极共沉积Ni(OH)2薄膜在碱溶液中的电化学特性

采用阴极电沉积法在镍基底上制备Ni(OH) 2 薄膜 ,循环伏安法在 1 0mol·dm-3 KOH溶液中测量了薄膜电极的催化析氧特性 .沉积Ni(OH) 2 的薄膜电极比镍基底增加了 2 0mA·cm-2 的析氧电流 (1 0VvsHg/HgO电极 ) .在制膜过程中掺杂 7?(V/V)得到的复合氢氧化镍薄膜电极在碱溶液中的析氧电流又增加了约 2 0mA·cm-2 .分光光度法和薄层扫描分析法对薄膜进行了成分分析 .     

有机电致发光材料与器件

正有机/高分子电致发光(OLED/PLED)是指具有半导体特性的有机/高分子材料在电场的激发作用下发光的现象,具有驱动电压低、发光效率高、响应速度快、超轻超薄、可制作在柔性衬底上等优点,在平板显示和固体照明两个领域具有非常广阔的应用前景。按照器件工作原理,有机电致发光材料与器件研究的主要内容包括以下几个方面:活性层材料(红绿蓝三基色发光材料,包括荧光材料和磷光材料)、器件组装的匹配材料(空穴和电子注入与传输材料)、界面材料(阳极和阴极界面修饰材料)、电极材料(ITO电极、     

硫化镉/Ru(Ⅱ)配合物复合敏化ZnO纳米晶多孔膜电极的光电化学

用光电流作用谱,光电流-电势图和UV-Vis吸收光谱研究了CdS和RuL2(NCS)2(L=2, 2'-bipyriclyl-4-4'-dicarboxylic acid)复合敏化ZnO纳米晶电极的光电化学行为。实验证实采用复合敏化比分别用CdS或Ru(Ⅱ)配合物单独敏化ZnO纳米晶电极效果好,通过复合敏化可防止导带上由光注入产生的电子的反向转移而避免了电子的损失。复合敏化电极使可见光光吸收增加,光电流起始波长红移至大于600nm,光电转换效率明显提高。     

La1-xCex(NiCoMnAl)5贮氢合金电极的制备及表面改性

制备了La1-xCex(NiCoMnAl)5贮氢合金电极,研究高温热碱充电和KBH4还原剂热充电两种新型表面改性方法及其对La1-xCex(NiCoMnAl)5贮氢合金电极活化次数、高倍率充放电能力和氢扩散行为的影响。探讨了作用机理。结果发现表面处理法有利于提高合金电极的活化性能和大电流充放电性能。其中KBH4还原剂热充电法处理后的合金电极在第二次充放电循环时就能完全活化;并且在900mA/g的充放电电流密度下,其高倍率放电能力达到85%左右;合金电极表面出现大量的微裂纹,氢在处理后的合金电极中的扩散系数为3.23×10-9cm2/s。     

a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H pin型发光器件的研制

晶态 Ga·P·As 化合物发光二极管已广泛用于电子工业,但成本较高,最近我们已用廉价的非晶态材料研制出一种新的 P~+μc-Si∶H/pn~-in/a-Si_(1-x)C_x∶H/n~+μc-Si∶H 多层结构电注入发光器件,在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL),     

Na3AlF6-SiO2熔盐中Si(IV)的电化学行为

利用Y2 O3稳定的ZrO2固体电解质(YSZ)管,集成构建Pt,O2(air)│YSZ作为参比和辅助电极的三电极新型电化学池,采用循环伏安法和计时电流法等电化学测试技术,研究在完全无碳条件下1323 K温度时Na3 AlF6-5％SiO2熔盐体系中Si(IV)在Ir丝工作电极上的电化学还原行为.结果表明,Si(IV)...     

以环氧化的聚氮丙啶(PEIE)作为电子注入层的有机发光器件的研究

以环氧化的聚氮丙啶(PEIE)作为电子注入层,制备了倒置结构与传统结构有机发光器件并研究了器件的发光性能.实验结果表明,用PEIE作为电子注入层旋涂到铟锡氧化物(ITO)透明导电玻璃与发光层之间能降低器件的起亮电压,提高器件的发光效率.这是因为PEIE在界面上形成偶极面,能降低ITO与发光层之间的电子注入势垒,因此PEIE可以作为良好的电子注入层应用在有机发光二极管中.     

输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触载流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型．模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的．研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响．结果表明：空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载流子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流．     

n型半导体CdS_(1-x)Se_x液结光电池

本文报告了由粉末压块烧结制备的n型半导体CdS_(1-X)Se_X(x=0.05,0.10,0.15,0.3,0.5)液结电池的光电化学性能。电池形式为: CdS_(1-X)Se_X/1M NaOH,1M Na_2S,0.1M(或1M)S/Pt对电极进行了X射线衍射及扫描电镜的分析,测试了在不同光照强度以及太阳光照下的转换效率(η)。光照强度为75 mW·cm~(-2)叫,CdS_(0.1)Se_(0.3)电池的转换效率η为3.28%;太阳光强为43mW·cm~(-2)时,转换效率为3.20%。同时还考察了浸蚀剂对电极性能的影响。CdS_(0.85)Se_(0.15)电极采用1MS的电解液在7小时内没有发现光阳极分解。直接地记录了在太阳光照条件下电池的电流电压特性曲线(I-V)及阳极极化曲线(1-Φ)。     

n型半导体CdS_(1-a)Se_a液结光电池Ⅱ,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能

本文报导了由粉未压块烧结制备的n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能。x-射线衍射分析证明,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)具有六方纤锌矿结构。光响应波长λ_0=546nm,Eg=2.27 eV;同时,用微分电容和开路光电位实验,测得平带电位V_(?)分别为-1.3V 和-1.37V(对SCE)。电池n-CdS_(0.9)Se_(0.1)/1 MNa_2S,0.1MS,1M NaOH/Pt,用488 nm 单色光照射获得光电转换效率η为6.8%;量子效率φ为0.65。根据实验结果算得多数载流子浓度N_(?)为1.2×10~(18)cm~(-3),耗尽层宽W 为4.3×10~(-6)cm。本文是CdS—CdSe 体系液结光电池研究的系列工作之二。在前一文中[1],我们较详细的报导了由粉末压块烧结制备的n 型半导体CdS_(1-a)Se_a(a=0.05～0.5)液结光电池的实验结果。尔后,为了寻找更有效而廉价的电极材料,针对CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能作了深一步的研究。