正确推算L-S耦合光谱项的方法与步骤

回顾了电子组态的物理意义，电子组态微观状态的表述方法，L－S耦合方案以及光谱项的定义。给出了具体推算电子的各种组态L－S耦合光谱项的方法和步骤。     

低温下非线性顺磁磁特性研究

根据量子理论计算了Er3Ga5O12低温时在强磁场作用下的磁化强度。经过定量计算，证明了外磁场沿着[100]和[111]方向时其磁化强度所呈现的复杂的非线性各向异性关系，而顺磁性超交换作用是一个不可忽略的影响因素。     

高磁场下顺磁性NdF3介质的磁特性

理论计算了高磁场下顺磁性NdF3的磁特性。理论分析表明,顺磁性NdF3的分子场系数v〈0。在高于奈尔温度的一段温度区域内,随着温度的上升,NdF3介质的磁化率χ会发生急剧变化,同时引起磁亚晶格结构异乎寻常的变化,理论与实验结果较为吻合。     

稀土石榴石的磁光效应与L—S耦合的影响及温度的依赖性

用量子理论计算了Ｃｅ－ＹＩＧ中的Ｌ－Ｓ耦合作用对Ｆａｒｄａｙ旋转角的影响。我们发现，基组态与激发组态的Ｌ－Ｓ事作用对θＦ的影响是不同的，基组太的Ｌ－Ｓ耦合作用大，不可忽略，而激发组态的Ｌ－Ｓ耦合作用很小，可以忽略。     

低温强磁场下Er3Ga5O12中Er3+离子基态的理论研究

用量子理论计算了单晶Er3 Ga5 O12（简写为ErGaG）石榴石的Er^3＋离子基态^4I 15／2的基本特性。在晶场作用下，Er^3＋离子的能级是二重简并的，劈裂的能级与晶场系数有关。在外加磁场的作用下，简并态消除，并且随着外磁场的增大，劈裂能级间距也增大。能级与能级之间出现了相互作用。当外磁场为零时，磁化强度为零，体现了ErGaG是顺磁材料。     

磁晶各向异性对反铁磁耦合纳米体系磁特性的影响

采用微磁学方法研究了磁性层的磁晶各向异性对反铁磁耦合三层纳米体系磁特性的影响.结果表明:随着磁性层磁晶各向异性的增大,反铁磁耦合三层纳米体系具有4种不同类型的磁滞回线,上、下磁性层的反转场逐渐减小,而饱和场先减小后增大.当磁晶各向异性较小时,反磁化过程为反磁化核的形成与传播过程;当磁晶各向异性很大时,反磁化过程为先形成多畴微磁结构,再逐渐反转的过程.     

Sturm-Liouville问题的振荡特性及其反问题

本文综述了正的斯图谟—刘维尔特征值问题(简称S-L问题)的定性性质,介绍了S—L方程特征反问题的提法、解的存在唯一性,以及由特征数据构造势函数q(x)的条件和方法,最后探讨了反问题在物理、力学中的应用。     

关于原子基态光谱项的确定

原子的基态光谱项是由原子外层电子的组态的耦合决定的，在L—S耦合时，对多电子体系，原子基态光谱项的确定分两种情况，一是同科电子的组态，二是非同科电子的组态，由于受泡利不相容原理的限制，两种组态基态光谱项的确定方法不同．笔者介绍了相应的L—S耦合法和投影合成法．     

五阶非线性对耦合光纤孤子传输特性影响的研究

运用变分法导出五阶非线性作用下孤子的参数演化方程组,研究五阶非线性耦合光纤中孤子的传输特性,讨论五阶非线性效应对孤子的振幅,频宽,啁啾,频率,中心位置及相位的影响.     

低温强磁场下NdF_3法拉第效应的计算

用量子理论得出求解NdF3磁光效应的近似方法。计算得到了在温度为15 K、18 K和25K时,外磁场C轴磁化的法拉第旋转角与外磁场的变化关系,其结果与实验值吻合较好。     

考虑Rashba效应自组织量子点中极化子性质

在对半导体量子点的研究中考虑自旋一轨道相互作用对极化子基态能量的影响．采用LLP变分的方法研究了电子一声子相互作用．结果表明声子对极化子基态能量起了很重要的作用,而且由于极化子分裂能对极化子基态能量的贡献很大,故在量子点中研究极化子性质时不可忽略极化子分裂能的影响．自旋分裂能随动量增加呈抛物线型增加．随Rashba自旋轨道耦合常数的增加极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情况,而两个分裂态中自旋向下的能态更稳定．Rashba效应不可忽略．     

Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的声子平均数

采用改进的线性组合算符方法，研究了Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的光学声子平均数．导出在电子-体纵光学声子（LO）强耦合时抛物量子点中极化子的光学声子平均数、振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和Rashba自旋-轨道耦合常数的变化．数值计算结果表明Rashba自旋-轨道相互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支，随耦合常数的增加极化子基态能量、有效质量表现为增加和较少两种截然相反的情形；Rashba自旋-轨道相互作用影响下强耦合极化子的光学声子平均数随量子点的受限强度、电子声子耦合强度增大而增大，极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加，当达到极值后随受限强度的增加而急剧减少．     

自旋轨道耦合对铁磁/半导体/绝缘体多层膜结构中隧穿性质的影响

利用传递矩阵方法,计算了自旋轨道耦合对铁磁/半导体/绝缘体多层膜结构中隧穿性质的影响.结果表明,当半导体和铁磁体之间是绝缘接触时,体系的输运性质发生明显改变,同时出现了自旋反转效应.     

弱磁场中弱相互作用费米气体的泡利顺磁性

根据赝势法和大数近似法导出弱磁场中弱相互作用费米气体的配分函数,并进行泡利顺磁性磁化率的解析计算,分析粒子间的相互作用对磁化率的影响.     

温度对于交换作用下的能带劈裂的影响

晶体中电子之间交叠形成电子的能带．格点的电子之间具有交换作用时使能带劈裂成自旋上下的两个子能带．这样的系统是既具有电子巡游性又具有局域磁矩的系统．当两种自旋的跃迁积分不同时,上下两个能带的形状、宽度、峰高等不同．我们利用格林函数方法研究了温度对于此系统的能带的效应．随着温度升高,两个子能带不断靠近,磁化强度也就不断减小．在一定温度,两个子能带中心完全重合,磁化强度为零．两个子能带的裂距的变化与相交可定性地说明系统随温度的变化出现绝缘体、半导体、金属之间的转变．     

钙替代锶对钌氧化物磁学性质的影响

研究了钙替代锶对钌氧化物磁学性质的影响,利用Curie—Weiss定律确定了样品的Weiss温度TP,利用交流磁化率随温度变化的关系确定样品的Curie温度TC．测量了各温度下的磁滞回线,得到了样品的矫顽力．利用趋近饱和定律计算了样品的饱和磁矩．研究了Weiss温度、Curie温度、矫顽力和磁化强度随钙替代量的变化规律．     

自旋密度波对有次近邻互作用超导体的影响

本文研究具有次近邻互作用的2 1维BCS型超导体与自旋密度波共存的系统。在平均场近似下,应用含温度格林函数方法讨论自旋密度波序参量M对超导相变温度Tc的影响。计算表明不可能出现自旅密度波提高Tc的情况,而当M较大时,往往破坏超导电性。     

横向Ising模型性质的理论计算

利用Bethe-Peierls近似,研究了配位数为6(简立方)和4(平面正方)晶格上的横向自旋1／2的Ising模型的磁学性质,在不同横向场参数下,计算了两个系统的自由能、横向和纵向磁化强度、内能和磁比热等物理量,发现横向磁场对系统的物理量有明显影响,并对系统自发磁化有抑制作用．