a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究

采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.     

a—Si∶H(He)和a—Si∶H合金的光电性质

本文研究了用氦和氢稀释硅烷GD淀积a-Si:H膜的光电性质。测量了两种薄膜的光电导、光吸收系数、红外吸收谱和光致发光谱。实验表明用氦稀释的a-Si:H膜具有更高的光电导、更大的长波可见光吸收系数和较低的缺陷态密度,a-Si:H(He)膜是一种可供选择的廉价太阳电池的基本材料。     

射频反应溅射a—Ge_(1-x)C_x∶H薄膜的红外谱分析

a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着十分重要的应用前景。对于一个高效率叠层太阳电池来说,其关键之一是要获得一种具有高光敏性且 Eopt 小于1.5eV 的窄带隙底部电池材料。目前人们是把 Ge 或 Sn 掺入 a-si∶H 中,获得了窄带隙材料 a Si_(1-x)     

a-Si_XC_(1-X)∶H薄膜的制备及其特性的研究

作为目前研制非晶硅太阳能电池的重要材料之一:a—Si_xC_(1-x)∶H 薄膜,最近已在我们实验室制备出来了。我们已对这种材料的性能:如红外吸收振动谱(IR)、化学分析电子谱(ESCA)、电子自旋共振谱(ESR)、光电导与暗电导之比(σP/σD)、光学禁带宽度(Eopt)的测量、以及制备的工艺条件等,作了初步的分析,现将实验结果简报如下:     

a-Si:H/a-Si_(1-X)C_X:H 超晶格的光学性质

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si_(1-x)C_x∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测(?)发现:(Si—C)键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的光吸收

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘ－Ｃｒｘ的光吸收特性。研究结果表明，这类薄膜的组分变化，对近红外长波的吸收特性影响较大，０．１０ａｔ．％＜ｘ＜２．０ａｔ．％的组分变化区，是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内，薄膜的光学带隙随Ｃｒ组分的增大而变窄，由１．５０ｅＶ（ｘ＝０）减小到０．８４ｅＶ（ｘ＝１０．０ａｔ．％）。薄膜对不同波长的入射波，其吸收系数ａ有     

衬底温度对射频溅射a-Ge∶H薄膜光电性能的影响

本工作用射频溅射法制备出非晶和微晶锗氢膜(a-Ge∶H 和μc-Ge∶H).研究了衬底温度对薄膜光学、电学及结构性能的影响.结果表明:衬底温度 T_(?)<290℃,沉积出a-Ge∶H 膜;Y_(?)≥290℃沉积出μc-Ge∶H 膜.其结构、光电性能均当 T_(?)≥290℃时有明显的变化.     

高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究

本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.     

a—Si_(1-X)Sn_X∶H 合金膜的热稳定性

对用射频溅射法制备的 a—Si_(0.92)Sn_(0.08)∶H 合金膜退火实验表明,在300℃下,结其构基本上是稳定的,但当温度升高到350℃.大量的氢原子从中释放出来,并伴随着晶化的发生.     

用场效应法研究GD-a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜的隙态密度

利用场效应法测得了 GD—a—SixCl一x∶H 膜的 ID～VG 曲线,得到了 N(E)～E 关系,对这些实验结果进行了初步的讨论.     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

多晶硅薄膜光电导特性的研究

通过进一步多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值。由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小与多晶硅晶粒大小有关。实验还观测到与势垒光生伏特效应不同的另一种光生伏特效应，可能和材料及工艺不均匀性有关。     

溅射a-GeCN_x∶H薄膜的红外和拉曼特性

本文首次报道了用溅射反应法制备的 a-GeCN_x∶H 薄膜的制备工艺、红外和拉曼谱的特性,并观测到因掺碳引起的新的 N-CH_n 的红外吸收峰.     

一种新的非晶钝化膜a—Si_xC_(1-x)∶H膜

本文介绍了一种新的钝化膜——a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜在硅器件表面上的应用,实验结果表明:这种膜的钝化效果和a—Si∶H类似,在某些方面更好些,文中还对这种膜的钝化机理作了初步探讨。     

氢化非晶硅碳薄膜(a—Si_(1-x)C_x:H)的红外分析

本文主要介绍了用辉光放电法和高频溅射法制备的a—Si_(1-x)C_x∶H薄膜的红外光谱,着重对其中几个主要吸收区进行了分析和讨论。     

a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火

本文报道用电子显微镜观察、X-射线衍射和红外吸收谱等方法研究 a-Si:H 薄膜的毫微秒(ns)脉冲激光退火的结果。从红外吸收谱发现了退火后薄膜中H相关振动吸收的增强现象;通过电子显微镜观察到了厚度≥3μm 的薄膜退火后具有多层结构。讨论了 H 在产生以上现象的机理中的作用。     

A-Si∶O∶H薄膜的淀积速率及折射率

本文研究了高频辉光放电等离子体分解SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积氢化非晶硅氧合金(a-Si:O:H)膜的淀积率及折射率,并就其放电机理对淀积速率作了初步的说明;对折射率的变化采用两种不同的物理模型进行了分析计算.     

Y_2Fe_(17)C_X合金的结构和磁性研究

本文用X射线衍射和磁测量及~(57)Fe穆斯堡尔谱研究了Y_2Fe_(17)C_x合金的晶体结构和磁性。碳原子在Y_2Fe_(17)C_x合金中占据六方结构的6h晶位或菱形结构的9e晶位;C原子的加入使得Y_2Fe_(17)C_x合金的居里温度和饱和磁化强度都有较为明显的变化,特别是近邻于C原子的Fe原子外层电子结构受到较大的影响。