磁过滤阴极真空弧法制备纳米nc—ZrCN／a—C：H（N）复合膜

采用磁过滤阴极真空弧法,以C2H2和N2混合气体为反应气体在单晶硅上沉积纳米nc-ZrCN/a-C:H(N)复合膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电镜的能谱仪(SEM-EDS)和X射线电子能谱(XPS)研究了薄膜的成分和结构.实验结果表明薄膜结构是由ZrCN晶粒镶嵌在无定形碳和碳氮化合物基体中;膜中的化合键主要以Zr-C, C=C(sp2)和C-C(sp3)形式存在;随着混合气体流量的增加,薄膜的锆原子分数减小,而N和C的原子分数逐渐增大.     

氧气流量对于磁过滤阴极真空弧法制备ZrO2薄膜特性的影响

ZrO₂薄膜具有高硬度、高耐磨性等优良特性,在诸多领域具有广泛的应用前景．高品质ZrO₂薄膜的制备一直是科学家们研究的一个重点和热点问题．本文利用磁过滤阴极真空弧（FCVA）技术,以金属Zr为阴极,在单晶硅（100）衬底上制备高品质ZrO₂薄膜,利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、X射线电子能谱（XPS）和纳米力学探针对薄膜的结构、形貌、成分及其性能进行表征,研究了O₂流量对于ZrO₂薄膜的晶体结构、形貌、成分以及力学性能的影响规律,获得了结晶品质良好、表面平滑且硬度较高的ZrO₂薄膜．      

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术制备AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜及其性能研究

基于磁过滤阴极真空弧沉积技术研究了负偏压对AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的形貌、元素以及微观结构的影响,进而讨论了AlCrTiZrMo非晶高熵合金薄膜的成膜及结晶机制．通过SEM、EDS、XRD和TEM对薄膜的形貌与结构等性能进行测试分析,实验结果表明:不同沉积离子能量条件下,薄膜具有优异的表面品质;随着沉积离子能量的不断增加,薄膜厚度随之减小;同时,沉积离子能量对高熵晶相的调控有明显效果,沉积离子能量的增加使AlCrTiZrMo高熵合金薄膜微结构从非晶相(am)转变为相稳定的am+FCC纳米复合结构．      

用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性

采用质子激发的X射线能谱分析(PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性.通过同背散射分析(RBS)测量结果的比较表明:利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性.     

聚焦磁场对系统弧放电和传输效率的影响

在90°磁过滤管道和阴极之间加一30～60V的正偏压可使磁过滤管道起到阴极弧放电第二阳极的作用.在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极-阴极以及磁过滤管道-阴极2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究.研究表明,随聚焦磁场升高,MEVVA源阳极和阴极之间的弧放电规模减小,而磁过滤管道和阴极之间的弧放电规模增大,并且系统的等离子体传输效率也随之升高.     

气体流速及温度对IG-110核级石墨氧化速率的影响

采用热重分析方法研究了600～750℃温度范围内,空气流速在1～10L/min范围内变化时IG-110核级石墨的氧化行为,分析了气体流速和温度对氧化速率的影响,并计算了相应的氧化动力学参数。实验结果表明IG-110石墨在空气中的氧化速率同时与反应温度和气体流速成正比,其中后者的影响效应随着温度的升高而增大。但相对来讲,在实验考察范围内,气流速度对IG-110石墨氧化速率的影响作用较弱,与温度升高带来的影响相比可以忽略。     

气体流量对石英增强型光声光谱检测精度的影响

石英增强型光声光谱(QEPAS)检测技术在痕量气体浓度检测方面具有灵敏度高、可靠性好、系统体积小等优势。以二氧化碳(CO2)为目标气体,深入研究不同气体流量对QEPAS检测系统精度的影响。通过Fluent ANSYS仿真软件对气体流场进行分析,完成对不同流量情况下气室内压强和流速的仿真。通过基于QEPAS的CO2气体检测系统的实验,研究了气室压强对气体浓度检测的影响。实验结果表明通过控制气体流量使得气室内的压强为1.08e-1~1.48e-1 Pa时,检测信号与气体浓度之间线性关系良好,相关系数R=0.99971,系统相对误差为0.5%,系统检测下限为72ppm。     

SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响

该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。     

碱金属离子对SrCl2：Eu^2＋发光性能的影响

采用中低热固相法合成SrCl_2:Eu~(2 ),R~ (R=Li,Na,K)荧光体,用XRD,PL,XPS等方法研究了它的结构、荧光性质以及铕的价态.结果表明,SrCl_2:Eu~(2 ),R~ 荧光体在262nm或330 nm波长的UV光激发下产生强蓝光,发射峰位在405～415 nm之间.因为Eu~(2 )和Sr~(2 )的离子半径相近,还原生成的Eu~2 )占据部分Sr~(2 )的格位,有利于晶格的稳定,不会导致晶格畸变.而且在六方晶系中,Cl~-离子提供了一个SrCl 2:Eu~(2 )稳定存在的环境,Eu~(3 )→Eu~(2 )的还原可以通过不等价取代实现.掺杂Na~ 和K~ 荧光体发光强度增加相近的原因是Na~ 和K~ 与Eu~(2 )的半径之差接近,且与Sr~(2 )的半径相近,掺入后可以向Eu~(3 )提供格位.K~ 离子的半径大于Eu~(2 ),致使基质晶场强度明显增大,发射峰位明显红移.     

气体泄漏对全封闭组合电器局部放电影响的仿真分析

气体泄漏对气体绝缘全封闭组合电器(gas insulated substation,GIS)局部放电的影响有待研究,但缺少相关研究手段。为此,首先提出等效相对介电常数的概念,推导等效相对介电常数与气室压强、温度、分子数等的关系,从极化原理上分析其表征气体泄露程度的可行性;然后利用XFdtd三维电磁场仿真软件建立同轴波导结构自由金属微粒缺陷下的局部放电(partial discharge,PD)模型,仿真分析发生气体泄露后的局部放电情况;通过对特高频(ultra high frequency,UHF)电磁波时域信号与放电频谱的分析,探究气体泄漏的影响。仿真结果表明,基于等效相对介电常数气体泄漏对GIS局部放电影响的分析得以实现,同时揭示了脉冲宽度、主频、信号幅值等特征量的变化规律。     

氢化非晶碳膜导电机制的探索

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR -CVD)方法 ,以苯为气源 ,在不同基片温度下制备了氢化非晶碳膜 (a -C :H) ,对样品进行了伏安特性测试。考察了基片温度对样品电阻率与击穿场强的影响 ,结合薄膜含氢量、SEM、Raman散射等分析手段探索了a -C :H膜的导电机制     

金刚石膜和氢化非晶碳膜电阻率测量的对比研究

对金刚石膜和氢化非晶碳膜的电阻率测试方法进行了对比研究，即对金刚石膜采用“大”尺度电极，氢化非晶碳膜采用“大”尺度电极和小尺度电极测量I－V曲线进行对比分析和讨论，得出了有意义的结果。     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响

以高纯石墨作靶、CHF3／Ar作源气体，采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2．18)的氟化非晶碳(a—C：F)薄膜．薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征，有关数据显示，薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升，所沉积的a—C：F薄膜中存在着一定比例的苯环结构，改变射频功率可以改变薄膜中的F／C比值，调制薄膜中环式结构与链式结构的比例，从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能。     

吹气孔堵塞对RH循环流量的影响

根据相似原理,以某厂300 t RH为原型建立了1﹕4的水模型,集中研究了吹气孔堵塞对RH循环流量的影响。结果表明,吹气孔堵塞时,气量偏差对循环流量影响最大;当吹气孔对称堵塞时,吹气孔堵塞位置的连线与环流方向成0o时循环流量最小,呈90o时循环流量最大;当吹气孔集中堵塞时,随吹气孔堵塞个数的增加,气泡泵的作用机制由环状机制向簇群状机制转变,循环流量增加。     

气液混输管线气相流量瞬态变化特性实验研究

在大型多相流实验环道上进行了气体流量快速变化的瞬态特性实验。结果表明 ,气体流量突变产生沿管线衰减传播的压力波 ,它在分层流中的传播速度大于其在段塞流中的传播速度。气体流量突变后 ,不同流型下其压力变化趋势相同。在气体流量突然增加的过程中 ,出现压力过增量 ;在气体流量突然下降过程中 ,出现压力过降量。但是 ,压力在两种流型中的瞬态变化机理不同 ,分层流中压力的瞬态变化取决于气体的惯性和可压缩性 ;段塞流中压力的瞬态变化过程则取决于液塞的惯性和液膜区气体的可压缩性。在气体流量瞬态变化过程中还可能出现对应准稳态过程未出现的流型。当气体流量突然增加时 ,在分层流的瞬态变化过程中可能出现段塞流 ,在段塞流的瞬态变化过程中会出现冲击性增强的高频段塞流 ;当气体流量突然降低时 ,在段塞流的瞬态变化过程中则会出现短时间的分层流。     

基于H263/TMN8的前后景码率分配及控制

在H263ZI‘MN8的控制技术基础上,提出可控的前后景码率分配算法、前景区优先编码策略以及优化的量化编码次序．可以仅使用一个控制参数来控制前后景的码率分配,并且编码后码流仍符合标准I-t263码流．试验结果表明,该算法在低比特率的情况下视频图像的主观质量要优于TMN8,非常适合窄信道视频通信的应用．     

水量对流动电流混凝投药控制系统的影响

以仪征化纤股份公司给排水厂为例，系统研究了水量变化对流动电流混凝投药自控系统的影响，通过中试找出流动电流自控系统稳定工作的极限水量变化率，并探求水量与流动电流设定值的相关关系。试验结果表明：该厂流动电流自控系统稳定工作的极限水量变化率约为25％；在设计处理能力内，水量与流动电流设定值存在正相关关系，在同等出水水质要求下，水量越大，流动电流设定值越高；反之，水量越小，流动电流设定值越低，在此基础上，还提出了变水量条件下流动电流投药控制系统改进的建议。