L—B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件，通过对它的结构和电容－电压特性曲线的研究，发现ＬＢ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用ＣＵ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数。     

CMOS反相器在低电压低功能模拟系统中的应用研究

研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波经具有工作电压低、功耗极低、动态范围宽、元件新少等特点，同时提出了由ＣＭＯＳ反相器的能工作在±１Ｖ电源下阈值电压可调的神经元器件，文中所有的电路均经ＰＳＰＩＣＥ软件验证。     

CMOS反相器在低电压低功率模拟系统中的应用研究

研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压低功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波器，它具有工作电压低（±１Ｖ）、功耗极低、动态范围宽、元件数少（仅２个ＭＯＳ管）等特点，同时提出了由ＣＭＯＳ反相器构成的能工作在±１Ｖ电源下阈值电压可调的神经元器件，文中所有的电路均经ＰＳＰＩＣＥ软件验证．     

L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

MSOS电容器的研制及其C—V特性分析

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ。     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

MTPP—CeOx—SiO2催化NOx还原

在密闭循环反应器中，于２９０℃下研究了ＣＯ存在下催化剂ＭＴＰＰ－ＣｅＯｘ－ＳｉＯ２（Ｍ＝Ｃｏ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，Ｃｕ＾２＋）催化还原ＮＯ或Ｎ２Ｏ的反应。催化ＮＯ还原的活性顺序是ＮｉＴＰＰ＞ＣｏＴＴＰ＞ＣｕＴＰＰ，而Ｎ２Ｏ还原和ＮＯ深度还原为Ｎ２的顺序是ＮｉＴＰＰ＞ＣｕＴＰＰ＞ＣｏＴＰＰ．ＮＯｘ还原的催化特性和ＭＴＰＰ的电化学氧化机理有关（取决于中心金属或卟啉环被氧化的次序）。ＣＯ不仅还原ＮＯｘ而且     

MTPP－CeO_x－SiO_2催化NO_x还原

在密闭循环反应器中，于２９０℃下研究了ＣＯ存在下催化剂ＭＴＰＰ－ＣｅＯ＿ｘ－ＳｉＯ＿２（Ｍ＝Ｃｏ￣（２＋）、Ｎｉ￣（２＋）、Ｃｕ￣（２＋））催化还原ＮＯ或Ｎ＿２Ｏ的反应。催化ＮＯ还原的活性顺序是ＮｉＴＰＰ＞ＣｏＴＰＰ＞ＣｕＴＰＰ，而Ｎ＿２Ｏ还原和ＮＯ深度还原为Ｎ＿２的顺序是ＮｉＴＰＰ＞ＣｕＴＰＰ＞ＣｏＴＰＰ。ＮＯ＿ｘ还原的催化特性和ＭＴＰＰ的电化学氧化机理有关（取决于中心金属或卟啉环被氧化的次序）。ＣＯ不仅还原ＮＯ＿ｘ而且还促进载体Ｃｅ＿２Ｏ＿３物种的形成。探讨了ＮＯ催化还原的机理。     

C_3A 的 Al-O,Ca-O 键与水化活性关系的量子化学研究

通过量子化学的ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα计算方法，分别研究了Ｃ３Ａ分子结构中２种ＡｌＯ４四面体和３种ＣａＯｘ（ｘ＝６，６，９）多面体的价键特性与活性。原子净电荷、键强、电子态密度、ＥＬＵＭＯ以及ΔＥ（ＬＵＭＯ－ＨＯＭＯ）等的计算结果表明：与水反应时，多面体活性大小顺序为Ｃａ（４）Ｏ９＞Ｃａ（１）Ｏ６（或Ｃａ（３）Ｏ６）＞Ａｌ（１）Ｏ４＞Ａｌ（２）Ｏ４。Ｃ３Ａ具有高水化活性主要与弱的Ｃａ－Ｏ键和空洞缺陷有关。     

低压微网多逆变电源的综合控制策略设计

针对微电网通常是接入低压配电网的情况,分析了低压微电网输电线路与传统高压输电线路阻抗比的差异,对低压微网功率传输进行了理论修正.在此基础上采用不同的控制策略对低压微电网进行综合控制,联网模式下为了执行支撑本地电压和调节馈线潮流,微电源采用PQ控制策略;孤岛模式下为确保负荷能各自快速分担负载和电压频率稳定,微电源采用电压频率V/f下垂控制.为保证逆变器输出阻抗与线路阻抗相匹配,在逆变器控制策略中引入阻性虚拟阻抗,根据低压线路参数呈阻性的特点,对传统高压大电网下垂特性进行修正,通过旋转坐标正交变换矩阵,对电压频率V/f下垂控制进行了改进,使得传统的V/f下垂控制得以扩展应用于低压微网中.仿真验证分析,证明了低压微电网系统下设计的综合控制策略能够保证系统与运行的稳定性和可靠性.     

一种新型级联多电平逆变器SVPWM控制

H桥级联多电平逆变器调速系统中,由于电压矢量数目过多而带来参考矢量计算困难及电压矢量优化选择问题,在对多电平系统电压矢量的特点和规律进行深入分析的基础上,提出了一种新型的电压空间矢量控制算法。基于这种算法能够很容易确定参考电压矢量的位置和各矢量的作用时间,并且计算的复杂度不受逆变器电平数的影响,可以用在任何高电平级联型H桥逆变器中。通过五级H桥级联型逆变器驱动系统的仿真及实验验证了这种方法的有效性。     

三电平逆变器中点电位平衡电路的设计与仿真

多电平逆变器在中高压大功率场合得到了广泛的研究和应用 .二极管中点箝位三电平逆变器是一种简单实用的多电平逆变器 ,但是三电平逆变器直流侧中点电位偏移问题影响着逆变器及其电机调速系统的可靠性 .为此提出了一种用于三电平逆变器中点电位平衡的硬件电路 ,详细介绍了其工作原理以及参数设定 ,并用Matlab/Simulink仿真工具对系统进行了研究 ,给出了较好的仿真结果 .     

滤波电容额定电压的一种估算方法

为保证电压型逆变器用滤波器的工作安全,同时鉴于泵升电压的危害,本文以较复杂的逆变用双LC型输入滤波器为载体,介绍一种对脆弱元器件——电容的额定电压进行估算的方法,以免危险的发生。仿真结果表明,该方法确实可行。     

三相逆变电源在不平衡负载条件下的控制研究

三相输出电压对称是对三相逆变电源的重要要求之一,在三相逆变电源中,输出电压不对称主要是由于三相负载的不平衡引起的.本文基于对称分量法和叠加原理对三相逆变电源在不平衡负载下产生三相输出电压不对称的机理进行了系统的分析,得到了输出电压正、负、零序分量不同的补偿特性.设计了一个简单可行的同步正负序参考系控制器,有效地补偿了不平衡负载引起的逆变电源输出电压畸变,保证了逆变电源在任意不平衡负载下均能维持三相平衡的输出电压.论文最后通过Matlab仿真结果验证了理论分析和所提出的控制方法的正确性.     

电力系统静态电压稳定的三维分析与临界电压

从统一关联的角度,重新审视静态电压稳定的机理,并以图形的方式加以直观解释,获得静态电压稳定判据.通过三维图形分析,指出静态电压稳定是由电源侧特性与负荷侧特性共同决定的,各种二维平面分析可以统一到三维空间中.     

MLD模型下逆变电路改进型直接功率预测控制

建立了新型逆变电路精确的混合逻辑动态(MLD)模型,并将其作为预测模型,研究了新型逆变电路基于预测直接功率控制(P-DPC)的模型预测控制方法。为了达到航空电源电压输出要求和降低开关损耗,在原来的3+3电压矢量控制序列法的基础上扩充了零矢量进行了改进,形成了一种新的对称的4+4电压矢量序列法,通过对下一时刻输出电压有功和无功分量的预测,在最小化目标函数值的基础上求出每一个电压矢量的作用时间,完成电路的控制。该方法减小了输出电压THD,具有良好动静态特性有一个较为稳定的开关频率,仿真和实验验证了所提方法的可行性和有效性。     

一种改进的三电平逆变器空间电压矢量PWM控制技术

根据三电平逆变器空间电压矢量PWM控制原理,针对过调制问题,提出了一种改进的空间电压矢量PWM控制技术,并推导了三电平逆变器空间电压矢量在各个过调制区域内的等效作用时间算法.仿真实验结果表明该方法在过调制时能够保证线性调制关系,有效抑制谐波,提高电压利用率.     

基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究

通过对基于MOSFET管电压型逆变电路的试验，研究了在不同负栽情况下电子器件及电路的耦合作用对逆变电路输出电压和电流的的综合影响。在对MOSFET管开关特性研究的基础上对逆变电路建立了稳态和瞬态模型，通过仿真和大量实验提出了改进逆变电路的方案，并根据仿真和实验结果找出最佳实验值，抑制了逆变电路输出波形中的尖峰脉冲，改善了逆变电路的输出特性。     

三电平逆变器的点电压平衡控制

为解决电压型逆变器中点电压不平衡问题,分析了中点钳位式(NPC)三电平逆变器的基本原理,介绍了三电平逆变器的SVPWM算法.根据正负小矢量对中点电位的影响提出了两种平衡中点电位的控制策略,并通过设定电压误差滞环把两者结合起来.仿真结果表明,该方法能有效约束三电平逆变器的中点电压.