六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型，计算了不同漏源击穿电压下，各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例，分析了阻值随电压变化的原因。     

VDMOSFET特征导通电阻实用物理模型

较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

光敏电阻及其应用

光敏电阻是一种无极性的纯电阻,其阻值随入射光的强弱而改变。我们把电阻随入射光的强弱改变的现象称为半导体的光电效应。该文讲述的是可见光光敏电阻在各种实际电路的连接及原理。先是讲述了光敏电阻的构成、电阻变化原理、电阻的阻值变化特征等。并重点阐述了光敏电阻的应用,重点介绍的是其在照相机自动曝光控制电路中的应用、应急自动照明灯电路中的应用及其在火灾报警电路中的应用。     

YbBi_2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了YbBi2单晶的合成和电阻温度特性。实验发现YbBi2单晶具有金属特征;在1.8K以上没有表现出超导电性;其净电阻率之比高达380;电阻温度特性曲线表明:YbBi2单晶在55K左右发生了明显的相变。     

同轴传输线的电特性研究

探讨了在介质漏电情况下，同轴传输线中的电流分布，指出电流和电是随空间变化的，当介质的电导率为０时，ω＝０，传输线电流Ｉ为常量，并计算出无限长同轴传输线的电阻Ｒ＝（Ｒ１＋Ｒ２）／ω及有限长同轴传输线的电阻Ｒｔ，Ｒ称为同轴传输线的特征电阻。     

分抗在正弦电压源中的功率与电学性质

为得到分抗、分抗逼近电路在正弦电压源中的功率,从功率角度探究分抗的电学性质。给出了分抗在正弦电压源激励下的功率因数、有功功率等数学表达式;并与电阻、电容和电感比较,得到统一表达式。设计半阶感性与半阶容性Oldham分形链分抗逼近电路,计算并电路仿真验证阶频特征与F特征以及在正弦电压源激励下的有功功率。结果表明:容性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电容之间,感性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电感之间;电阻、电容、电感可看做分抗阶数延伸到整数阶的特殊情况。     

低压VDMOSFET特征导通电阻的研究

比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型．     

分抗在正弦电压源中的功率与电学性质研究

为得到分抗、分抗逼近电路在正弦电压源中的功率,从功率角度探究分抗的电学性质。给出了分抗在正弦电压源激励下的功率因数、有功功率等数学表达式;并与电阻、电容和电感比较,得到统一表达式。设计半阶感性与半阶容性Oldham分形链分抗逼近电路,计算并电路仿真验证阶频特征与F特征以及在正弦电压源激励下的有功功率。结果表明:容性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电容之间,感性分抗的功率因数、有功功率介于电阻与电感之间;电阻、电容、电感可看做分抗阶数延伸到整数阶的特殊情况。     

电阻梯形网络电路的计算机辅助分析

在介绍电阻梯形网络电传统分析方法的基础上分析其不足,并根据阻元件的线性特征,提出了一种新的算法。     

高压VDMOSFET的最佳设计

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,TOX与RonA的关系曲线.首次提出RonA与PW/PT有最佳比例关系.     

导电复合材料电击穿行为研究进展

介绍导电复合材料电击穿现象的概念和特征,详细阐述现有电击穿研究在临界击穿电流比例模型、电阻热松弛行为、临界击穿电阻与线性电阻的比值关系、临界击穿电场与线性电阻的比例关系、动态电击穿过程电阻与时间的依赖关系、电击穿时间与电流关系等方面的研究方法和成果.简要介绍电击穿机理的研究现状,并对导电复合材料电击穿现象中关键难点问题的研究内容和方法进行探讨和展望.     

VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线，首次提出最佳单胞尺寸与Tax有关。     

孤东油田低阻油层的特征

对孤东油田七区西馆陶组下段低电阻率油层特征进行了研究 ,分析了造成低电阻率油层的因素、测井参数特征及含水率的影响 ,探讨了该区低阻油层分布规律和开发过程中需要注意的问题。应用该研究成果在八区馆陶组下段发现了新的低电阻油层 ,使得该油区新增含油面积 0 .4km2 。低电阻油层是老油田增加新的储量的主要途径之一 ,而且为其他油田寻找同类型油藏探索了一条新的技术路线     

基于电极位移信号的点焊模糊推理系统模型

采集电阻点焊过程中的焊接电压、焊接电流和电极位移信号,提取过程信号特征,使用模糊推理工具,建立电阻点焊过程的喷溅识别系统,然后分别使用电极位移和动态电阻信号建立电阻点焊质量评估的模糊推理系统.研究结果表明,喷溅识别系统具有结构简单、识别准确度高的优点.根据喷溅识别结果分别使用相应的模糊推理系统模型,可对发生喷溅和未发生喷溅时的电阻点焊过程进行质量评估.     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3的磁电阻效应及输运特性

采用固相反应烧结法成功制备了钙钛矿La0.7Pb0.3MnO3单相多晶样品,利用超导量子干涉仪和直流四探针法主要研究了La0.7Pb0.3MnO3块体的磁电阻效应及输运特性.结果表明,此样品在居里点附近由铁磁向顺磁过渡,且表现出典型的团簇玻璃特征.磁电阻的极大值出现在居里温度附近.当H=0.5T时,磁电阻的极大值为6.8%,当H=1T时,磁电阻的极大值为12.4%.输运结果表明,T1区金属导电是由于电子散射造成的,T2区半导体特性是由于小极化子跃迁引起的.     

带有p型岛的超低导通电阻绝缘体上硅器件新结构

为了减小绝缘体上硅(SOI)器件的比导通电阻,提高器件的击穿电压,提出一种带有p型岛的SOI器件新结构.该结构的特征如下:首先,漂移区周围采用U型栅结构,在开启状态下,U型栅侧壁形成高密度电子积累层,提供了一个从源极到漏极低电阻电流路径,实现了超低比导通电阻;其次,在漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,大大提高了击穿电压;最后,在氧化槽中引入一个p型岛,该高掺杂p型岛使漂移区电场得到重新分配,提高了击穿电压,且p型岛的加入增大了漂移区浓度,使器件比导通电阻进一步降低.结果表明:在最高优值条件下,器件尺寸相同时,相比传统SOI结构,新结构的击穿电压提高了140%,比导通电阻降低了51.9%.     

热处理及厚度对Co90Fe10薄膜磁电阻的影响

利用电子束真空蒸发方法制备了不同厚度的Co90Fe10磁性薄膜,研究了热处理及厚度对薄膜磁电阻的影响。利用四探针法测量了薄膜的磁电阻,利用磁力显微镜观察了薄膜的磁畴结构。结果表明:热处理可以提高薄膜的磁电阻,尤其是厚度较小的样品,效果更加明显。对于厚度较大的薄膜,热处理可以改善磁织构,磁畴分布更加有序,出现了类巨磁电阻特征。     

流态化床电积锑动力学模型初探

本文从电极反应的双电展模型出发,得出溶液电阻及反应电阻是决定流态化床动力学特点的重要参数的结论,井提出利用极化曲线的导数的方法以判断电极过程的特征。     

基于小波的谐振接地系统故障选线的优化研究

由于谐振接地系统在电网中被广泛的应用,所以谐振接地系统单相接地故障选线一直以来是研究的热点。针对现有的谐振接地系统故障选线方法存在的不足,基于短时投入并联电阻,提高暂态特征分量的选线方法,提出了一种优化方案;即通过可控硅控制消弧线圈并联电阻,增强故障线路的特征信号,把提取的故障时的零序电流暂态信号进行小波变换,检测分解和重构后的信号的奇异性,从而确定故障线路。仿真结果表明了优化方案的准确性。