甲醇在纳米铂修饰的铂电极上的电化学氧化

利用循环伏安和交流阻抗技术,首次报道了甲醇在电沉积铂颗粒修饰的铂电极上的电化学氧化.结果显示,修饰铂纳米颗粒后,甲醇的氧化电流明显增加,在电极上的反应电阻明显减小.对谱图的进一步分析表明,甲醇氧化峰电流的增加并不只是由铂电极面积的增加造成的,铂纳米颗粒对甲醇的氧化有明显的催化作用.     

酸性介质中Te电沉积和阳极溶解过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中Te在Pt电极上电沉积和溶解过程.结果表明:Te的电沉积过程比较复杂,在不同电位区间,其电沉积可以是4-电子、1-电子或者2-电子过程;在较负电位下,Te可进一步还原成H2Te;本体Te阳极溶解过程先为4-电子,后为6-电子过程.本文从电极表面质量定量变化的角度提供了Te电沉积和溶解过程的新数据.     

溴离子在铂电极上的电化学反应

用电位扫描和环盘电极等方法研究酸性介质中溴离子在铂电极上的多步氧化反应行为,证实在１．１Ｖ电位处发生的反应是：Ｂｒ－－ｅＢｒａｄ,（１）Ｂｒａｄ＋ＢｒａｄＢｒ２（ａｑ）．（２）在电位１．５Ｖ处发生的反应是：Ｂｒ２（ａｑ）Ｂｒａｄ＋Ｂｒａｄ,（２′）Ｂｒａｄ＋Ｈ２Ｏ－ｅ＝ＨＯＢｒ＋Ｈ＋．（３）其中反应（１）具有典型的可逆性．实验测得Ｂｒ－离子的扩散系数为１．８×１０－５ｃｍ２·ｓ－１,反应（１）的标准速率常数为２．０×１０－３ｃｍ·ｓ－１．     

弱酸性KCl溶液中Zn_2_在铜电极上沉积机理的探讨

本文通过线性电位扫描、循环伏安、交流阻抗等实验方法对弱酸性氯化钾溶液中Zn~2+在铜电极上的沉积行为进行了研究,得到了动力学参数Tafel斜率bc=111mV,反应级数Z=0.95.由此认为Zn~2+在铜电极上的沉积机理是由两个连续的单电子步骤所组成,且反应的第一步是速度控制步骤.反应过程中生成吸附态的一价锌离子(Zn~+ads)中间体.     

硫脲的吸附行为及其对铜电沉积的影响

采用电化学及Ｘ射线衍射法研究了硫脲在铜电极表面的吸附作用及其对铜沉积织构的影响。结果表明：硫脲在铜阴极表面的吸附遵守Ｆｒｕｍｋｉｎ吸附等温式，促进铜电沉积（１１１）晶面的择优取向，而抑制（２２０）晶面的生长。     

电沉积纳米晶体电催化电极的制备及性能

利用恒电流电沉积的方法从含有糖精,温度为50～60 ℃,pH＜3的瓦特槽中用直流和脉冲的方式制备纳米晶体镍、镍-钴合金电催化析氢电极.X衍射、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析结果表明此类金属(Ni)或合金(Ni-Co)表现出很强的(111)织构;该晶体为纳米晶体,其中含有少量硫;由电沉积纳米晶体制备成的电极在1 mol*L-1硫酸中比常规的金属Ni或电沉积粗晶镍有较强的电催化活性、稳定性和耐蚀性.     

电沉积咖啡酸玻碳修饰电极对抗坏血酸的催化氧化

在pH=7.0的磷酸缓冲溶液中采用电沉积技术将咖啡酸修饰于玻碳电极表面制备了一层稳定的薄膜,该修饰电极制备简单,稳定性良好.用循环伏安法研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,其氧化峰电流与抗坏血酸的浓度和pH值有关,当pH值达到7.7时,抗坏血酸在修饰电极上的氧化峰电流最大,氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4.0×10-5～2.0×10-2mol/L范围成良好的线性关系,检测限为1.0×10-5mol/L,方法简单、快速、准确,可应用于抗坏血酸药片的检测.     

示波极谱滴定的研究 ⅩⅩⅩⅩ铂电极上铜的示波极谱滴定

在含有SCN~-离子的NH_3-NH_4Cl缓冲溶液或含有Cl~-离子的强酸性溶液中,Cu~(2 )在铂电极示波极谱图(dE/dt～ E)上有灵敏切口,可用来指示络合滴定及沉淀滴定的终点。用该法测定了铜铝合金中的铜,滴定结果符合容量分析的要求。改用d~2E/dt~2～E及d~3E/dt~3～E曲线上的切口时,灵敏度更高,较低含量的铜也可准确滴定。定性地比较了几种卤素离了对铜切口灵敏度的影响。     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

铂微电极上铜的电化学成核机理

用半径10μm 的铂微电极研究了铜的电化学成核机理.循环伏安实验表明:铜在铂上的电沉积明显分为两个单电子还原步骤,而铜在相同尺寸下的铜微电板上沉积是单步双电子还原反应.理论分析表明:在这两种基体上其成核行为的不同是由于其成核速度及扩散控制差异造成,恒电位阶跃法实验表明:铜在铂上的成核速度大于铜在铜上的成核速度.I-t 曲线的理论分析表明:在这两种基体上铜微品的生长受 Cu~(2+)的扩散所控制.其扩散系数由 I-t~(1/2) 之斜率求得.微电极实验操作简便。重现性优于常规法。理论分析简单,且能获得常规方法难于得到的结果.     

光亮Fe-Ni合金电沉积工艺的研究

介绍了一种新的电沉积光亮Ｆｅ－Ｎｉ合金的方法用这种方法在室温下电沉积出外观接近镜面的Ｆｅ－Ｎｉ合金镀层,其厚度可达３７μｍ经Ｘ－ｒａｙ衍射及等离子光谱分析证实,所获得的合金镀层为γ（Ｆｅ－Ｎｉ）合金相,镀层中含Ｆｅ和Ｎｉ的量分别为２３．５％～４５．７％和７６．２％～５３．８％,同时含有少量的Ｐ和Ｂ元素文中对电沉积的工艺条件、光亮剂ＨＢ、添加剂ＨＴ的作用和影响进行了分析和探讨图６,表２,参９     

非晶态Ni—Fe—P合金电沉积的研究

介绍了一种新的电沉积非晶态Ni—Fe—P合金的方法．用这种方法在室温下电沉积出的非晶态Ni－Fe—P合金镀层外观接近镜面,镀层厚度可达42μm．经X－ray衍射、扫描电子显微镜（SEM）及等离子光谱分析（ICP—AES）证实,所获得的Ni—Fe—P合金镀层为非晶态结构,镀层中主要成分Ni、Fe、P的含量分别为74％～83％、9％～24％和6％～10％,此外,还含有0．01％～0．14％B和C元素,这些元素的存在是导致非晶态Ni—Fe—P合金镀层产生的主要原因．文中对电沉积非晶态NI—Fe—P合金的工艺条件、添加剂HAT和光亮剂HAB1、HAB2的作用和影响进行了分析和探讨．图8,表1,参14     

镀液流速对复合电沉积的影响

通过对Ag-MoS_2复合镀层在氰化物镀液中电沉积的研究,定量测定了镀液流速、微粒在镀液巾的悬浮量以及阴极电流密度对MoS_2微粒与Ag共沉积的影响。发现复合镀层中MoS_2含量是镀液流速、微粒悬浮量及电流密度的函数,并由此提出了能比较满意地反映在该复合共沉积体系中微粒共沉积量与镀液流速、微粒悬浮量和电流密度间关系的数学模型。     

添加剂对高铋电解铜体系中铜沉积过程的影响

用稳态法研究了添加剂Ｃｌ－、ｇｌｕｅ、（ＮＨ２）２ＣＳ对高铋电解铜体系阴极铜沉积反应的影响。用ＡＡ、ＳＥＭ、ＸＲＤ等仪器研究了添加剂对阴极铜沉积的组成和晶面取向的影响。结果表明：Ｃｌ－对铜沉积反应起去极化作用。ｇｌｕｅ对铜沉积反应起强极化作用。（ＮＨ２）２ＣＳ能改变铜沉积过程的电化学反应机理,使铜沉积反应出现由扩散控制的极限电流。当Ｃｌ－、ｇｌｕｅ、（ＮＨ２）２ＣＳ共存于电解液中时,既对铜沉积反应起强极化作用,又使铜沉积过程的极限电流降低。以低电流密度（２００Ａ·ｍ－２）电解,添加剂存在时可使阴极铜沉积中铋含量从０．０１３％降至０．００２１％,但添加剂不影响铜沉积的晶面择优取向（２２０）。以高电流密度（１５００Ａ·ｍ－２）电解时,添加剂的存在,会改变铜沉积的晶面择优取向。     

锌／聚丙烯腈复合镀层的研究

通过金属锌的电沉积与丙烯腈（AN）电聚合的复合过程,获得有机大分子链掺杂的金属基复合镀层－锌／聚丙烯腈（PAN）复合镀层。考察了电沉积条件对电镀及电聚合过程的影响,并测定了复合镀层组成及性能。性能测试结果表明,复合镀层的胶接性能较纯锌镀层有显著提高。     

废铜口收硫酸铜工艺方法研究

设计直接加热铅反应器和简易焙烧炉，使生产设备投资大大降低．利用湿法和干法配合生产，便于提高产品的产量和质量．控制原材料质量和工艺条件能直接制造高纯度硫酸铜．该工艺投资少、见效快、效益高．