压力对锗的固化动力学的影响

锗是一种典型的共价型物质,研究其过冷与固化特性具有特别的意义.Devaud和Turnbull曾以B_2O_3作为助熔剂,研究了晶粒结构与过冷度的关系.当过冷度小于300K时,其晶粒尺寸大于100μm;随着过冷度的进一步增大,晶粒尺寸显著减小,在过冷度达到400K时,晶粒尺寸减小到10～20μm左右,但仍未形成非晶相.早在60年代初,人们就发现了锗在常温高压下能发生多种固态相变.但是,对液态锗在压力下固化后的微结构研究却未见报道.     

对解决我国锗工业原料问题的几点建议

目前我国建立与发展锗工业是刻不容缓的任务。要完成这个任务,首先就应该解决锗的原料来源问题。锗是一个既稀有又疏散的元素,因此原料问题比较严重。目前对解决我国锗工业原料问题大家有很多见解,存在一些不同的看法。我想在这个问题上是值得讨论的.锗的克拉克值据最近的数据为7×10~(-4)。已发现的具有工业价值的锗矿仅有三种:锗石、硫银锗矿和硫铜锗矿。这三种锗矿极端稀有,并且集中程度很低,甚至谈不上集中。因此很多专家都认为独立的锗矿并不是重要的制锗原料。目前     

锗对梨形四膜虫细胞和啤酒酵母菌生长的促进作用

锗的生物化学效应研究得很少,迄今尚未有人用实验来确定它是一个生命必需元素。在人参中它的含量可达250—320 ppm,有人认为锗是人参作为一种强有力的代谢促进营养剂的有效成分之一,因而日本科学家曾培养了含锗酵母和掺锗蜂蜜作为特殊的营养。我们对     

半导体材料硅的制备

硅是实用上十分重要的半导体材料。它的化合物遍布于自然界中,不象锗要考虑資源問題。硅之所以使人們感兴趣,主要还在于它有比較大的禁带寬度(硅的禁带寬度为1.21电子伏,锗为0.75电子伏),从而导致两个十分重要的結果。首先,由于硅有較大的禁带寬度,能在更高的溫度(>200℃)才变成本征性,因此硅半导体器件能在锗不能长期使用的溫度范围工作。其次,它的p-n結的反向电流比锗要低——低三个数量級,这一性貭在許多迴路应用中是很重要的。然而,提純硅却此提純锗困难得多。这是因为硅的熔点較高(锗的熔点是936℃,硅是1420℃),熔融时有高度的化学活泼性。硅中的某些杂貭有比較大的     

锗对尖刺拟菱形藻多列型生长和藻毒素产生的影响

研究了锗酸Ge（OH）_4对尖刺拟菱形藻多列型生长和软骨藻酸（Domoic acid）藻毒素生成的影响。结果表明,在一定浓度范围内锗酸可以抑制尖刺拟菱形藻的生长,其抑制效应随锗酸浓度的增大而增强。锗酸还可以抑制该藻细胞分泌软骨藻酸藻毒素。当Ge/Si为35时,抑制效率可达100％。在此结果基础上,就其作用机制进行了探讨。     

锗对尖刺拟菱形藻多列型生长和藻毒素产生的影响

研究了锗酸Ｇｅ（ＯＨ）４对尖刺拟菱形藻多列型生长和软骨藻酸藻毒素生成的影响。结果表明,在一定浓度范围内锗酸可以抑制尖刺拟菱形藻的生长,其抑制效应随锗酸浓度的增大而增强。     

钯锗薄膜中分形结构的研究

利用分形的概念,可以从新的角度去归纳认识一些物理现象和规律,从而大大推动材料科学研究的深入.本文利用透射电子显微镜(TEM)首次系统地对由化合物(PdGe和Pd_2Ge等)生成的把锗薄膜体系中分形结构进行了研究.有关钯锗薄膜体系中的分形结构还未见文献报道.     

CaO-SrO-SiO_2-GeO_2系统中环链结构转换的研究

前言 偏硅酸钙有硅灰石和假硅灰石两种结构,其中硅灰石为链状结构,假硅灰石为环状结构,转变温度为1250℃。 当用Sr~(2 )取代偏硅酸钙中的Ca~(2 )时,产生环状结构,与温度没有关系。 与此同时,用锗取代偏硅酸钙中的硅所生成的产物应如何呢?对硅进行全部取代生成的锗酸钙肯定是链状结构,与温度没有关系。但如果进行局部取代,并进一步对阴阳离子同时取     

从焦化工厂铵水中提锗

我国的焦化产品铵水中含有微量的锗。铵水是焦化工厂的大量产品,含锗量虽微,但原料为液体,提取比较容易,因此,研究从焦化工厂铵水中回收锗,具有重大的价值。     

锗-茜素络合剂极谱络合吸附波的研究

在研究了稀土、铟和镓与茜素络合剂的极谱络合吸附波之后,参阅等用光度法研究锗(Ⅳ)与茜素络合剂的相互作用的报道。我们对锗-茜素络合剂体系的极谱行为进行了研究。在氨性缓冲溶液中同时得到了三个单扫极谱络合吸附波,其中最灵敏的波     

中国煤中金属元素成矿区带

从煤中提取锗、镓等金属已经取得实质性进展,煤逐渐成为多种战略性金属矿产的主要来源,但对煤中金属元素矿产资源尚缺乏系统的矿床学理论支撑.本文在以往煤中金属元素矿产资源研究成果的基础上,结合野外实地调查,总结了煤中锗、镓、锂、稀土资源矿化特征,并以丰富的煤中金属高异常点、区域构造背景及演化、地层沉积环境特征、煤层煤质特征等为依据,将全国煤中锗、镓等金属元素矿产资源划分为7个成矿区带,进而讨论了各成矿区带地质特征,为煤中金属元素矿产资源研究提供地质理论依据.     

掺镱硅铌酸盐和锗碲酸盐玻璃光谱性质的成分依赖性

实验系统研究了硅铌酸盐,锗碲酸盐和碲酸盐玻璃成分对光谱性质的影响,结果表明,其变化规律与Ｎｄ＾３＋离子在相应基质中的变化规律相似,即在网络骨架结构为主的玻璃中,随着修饰体阳离子场强增加或高价阳离子的引入,稀土元素的格位扭曲加剧,非对称性上升,吸收截面和发射截面升高,这些玻璃有较高的发射截面,其值高于发展中的掺Ｙｂ＾３＋激光玻璃。     

碱金属氧化物对锗碲酸盐玻璃上转换发光性能的影响

研究了Yb³⁺/Er³⁺共掺锗碲酸盐玻璃在980 nmLD抽运下的上转换发光光谱, 发现随着碱金属离子半径的增大, 上转换发光强度明显增强. 基质玻璃的Raman光谱显示: 玻璃的最大声子能量并不随碱金属氧化物之间的取代而发生变化, 表明最大声子能量并不是锗碲玻璃上转换发光强度增大的原因. 从玻璃无辐射跃迁的角度分析表明: 最大能量声子密度的降低是影响Yb³⁺/Er³⁺共掺锗碲玻璃上转换发光强度增大的主要原因.     

GeC_n~±和Ge_2C_n~±锗碳二元团簇的产生、结构及性质

激光直接溅射样品产生了系列Ge2Cn和个别GeCn锗/碳二元团簇离子,Ge2Cn系列质谱峰的相对± 强度没有明显的强弱变化规律,而Ge2Cn系列具有一定的奇偶性.采用B3LYP方法对GeCn,GeCn,?±Ge2Cn和Ge2Cn进行构型优化,发现锗原子位于碳链一端和两端的直线构型最稳定.电子态、绝热电离±势、电子亲合势和键能变化值表明,GeCn中性分子在稳定性上存在奇弱偶强的变化规律,而Ge2Cn存在奇强偶弱的变化规律,两系列正负离子的奇偶性则不明显,产生奇偶性的根本原因是价层π电子数.理论计算与实验现象比较说明,在Ge2Cn的实际形成过程中动力学因素起了一定作用.±     

回归自然—人造岩石固化放射性废物

本文评述和研究了人造岩石固化放射性废物的特性、制备和性能,以及人造岩石固化放射性废物的发展前景,并简要介绍了我国人造岩石固化放射性废物的研究进展.     

科技传真

放射性废弃物 处理新工艺 日本日挥公司和日本化药公司最近联合开发出可以安全固化放射性废弃物的新技术——“超级水泥固化工艺”。 据介绍,目前低放射性废弃物的固化处理一般采用水泥、沥青或塑料,但使用这些方法固化不仅不能缩小废弃物的容积,还有可能从固化体中渗出水来,增加固化工艺的难度。     

GeC±n和Ge2C±n和锗碳二元团簇的产生、结构及性质

激光直接溅射样品产生了系列Ge2C±n(和个别GeC±n锗/碳二元团簇离子, Ge2C±n系列质谱峰的相对强度没有明显的强弱变化规律, 而Ge2C－n系列具有一定的奇偶性. 采用B3LYP方法对GeCn, GeC±n(, Ge2Cn和Ge2C±n(进行构型优化, 发现锗原子位于碳链一端和两端的直线构型最稳定. 电子态、绝热电离势、电子亲合势和键能变化值表明, GeCn中性分子在稳定性上存在奇弱偶强的变化规律, 而Ge2Cn存在奇强偶弱的变化规律, 两系列正负离子的奇偶性则不明显, 产生奇偶性的根本原因是价层(电子数. 理论计算与实验现象比较说明, 在Ge2C±n(的实际形成过程中动力学因素起了一定作用.     

晶体缺陷与金属强度学术讨论会

高等教育部直属高等院校校际“晶体缺陷与金属强度”学术讨论会于1964年11月30日至12月6日在南京召开,参加会议的有来自全国29个高等院校与科研机构的代表44名。会议收到论支53篇,宣读了37篇。从这些论文中可以看出过去几年内各高等院校在“晶体缺陷与金属强度”这个领域内的研究工作已有了很大发展,论文质量也有所提高。在晶体缺陷的实验观察方面,大部分论文是和位错的直接观察有关的,应用的方法有浸蚀法和X射线法;所研究的材料包括金属中的钼、锌、铝,半导体中的硅与锗,离子晶体氯化钠等。其中在发     

Ge-SiO_2纳米镶嵌薄膜的制备及光吸收特征

半导体-绝缘体纳米颗粒镶嵌复合膜是由半导体纳米颗粒镶嵌在不相溶的介质基体中而形成的薄膜.由于它兼具纳米颗粒与薄膜的双重特点,表现出许多独特的光学特性,展示出这种新型固体薄膜材料越来越广泛的应用前景,所以逐渐形成当前材料科学、凝聚态物理研究中值得重视的一个新领域.锗是应用较广泛,最重要的元素半导体材料之一,研究锗纳米颗粒镶嵌复合膜的制备工艺,微观结构以及物理性能之间的关系和规律,有助于指导我     

需要寻找新型半导体材料

世界上具有半导体性质的物质的种类非常多,但是已經在半导体技术上得到广泛应用的却只有极少数的几种。是不是說这极少数的几种半导体已经令人非常滿意了呢?不是的。例如制造晶体管时最常使用的锗,它就是一种希有元素,提取起来很是费事。又例如另一种在制造晶体管时大量使用的元素硅,它虽然到处都有,然而提純又很不容易。当然,锗和硅的性能都很好,但是在使用上都有一定的限制。由此可見,为了滿足今后对半导体材料愈来愈广的需要,我們必須侭可能地去探寻一些丰产的、易于提纯的、具有各种特殊性能的半导体材料。