不同能量的氦原子与氢的非对称同位素替代分子碰撞分波截面理论计算

用密耦方程(Close coupling equntion)研究和计算了氦与氢的非对称同位素替代分子HD碰撞．当入射氦原子能量分别为0．05、0．15eV和0．25ev时，考虑到非对称同位素替代时质心偏移量对势能函数的影响，计算了弹性碰撞激发00-00分波和非弹性碰撞激发00-01、00-02分波截面．     

He-HD(HT,DT)碰撞分波散射截面的计算

作者用Tang-Toennies势函数，研究了He-HD(HT，DT)碰撞体系；用量子力学方法，研究了上述体系的弹性非弹性激发。当入射氦原子能量为0．2eV时，采用密耦方法，计算了00-00，00-01，00-02，00-03，00-04及00-05分波截面。     

氖原子与氢的非对称同位素替代分子碰撞转动激发研究

采用Tang Toennies势模型,考虑到非对称同位素替代的质心偏移量对势函数的影响,当入射氖原子的能量分别为0 05eV,0 15eV,0 25eV时,用密耦方程计算氖原子与氢的非对称替代分子HD碰撞的微分截面.     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T．T（Tang—Toennies）势模型和密耦计算方法分别计算了入射原予的相对碰撞能量E=0．05eV,0．15eV,0．25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe—D2碰撞体系的00—00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原予与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律．结果表明：对00—00弹性碰撞,分波截面随量子数,的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原予的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化．     

惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞总截面的理论研究

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了能量E=0．05、0．10、0．15、0．20eV和0．25eV时惰性气体原子与H2(D2、T2)分子碰撞体系的碰撞总截面，得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系总截面随能量增加的变化规律。     

惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞微分截面研究

用Tang Toennies势模型和较高精确度的密耦(Close Coupling)近似方法,计算了E=0.05eV整簇惰性气体原子与氢(氘、氚)分子碰撞体系00 00弹性碰撞及00 02非弹性碰撞微分截面,得到了惰性气体原子与H2及其对称同位素替代碰撞体系微分截面的变化规律.结果表明,微分截面随体系的约化质量和角度的增加而变化.     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T.T(Tang-Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原子的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe-D2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原子与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.     

3He、 4He与H2 、D2、 T2碰撞(E=0.5 Ev)分波截面的理论研究

用密耦近似（Close—Coupling）方法和Tang—Toennies势模型计算了入射能量E=0．50eV情况下,氦原子的两种同位素（^3He、^4He）与H2及其同位素D2、T2替代碰撞体系的振转激发碰撞截面．通过分析各碰撞体系分波截面的差异,总结出在对称同位素替代情形下^3He、^4He与H2、D2、T2碰撞体系分波截面随量子数增加和体系约化质量的变化规律．结果表明,体系的约化质量变化给体系的碰撞截面带来不同程度的影响．     

He同位素与HCl碰撞分波截面的理论计算

采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论.     

全氟代蒽、菲、芘、并四苯、1,2苯并菲及三苯围苯的量子化学计算

采用密度泛函理论方法(DFT):BHLYP,B3LYP,BP86,BLYP,在全电子的双ξ基组加极化函数和弥散函数(DZP )基组下,计算了全氟代多环芳香族碳氢化合物:全氟代蒽(1-C14F10)、全氟代菲(2-C14F10)、全氟代芘(C16F10)、全氟代并四苯(1-C18F12)、全氟代1,2苯并菲(2-C18F12)及全氟代三苯围苯(3-C18F12)的总能量、优化几何构型、电子亲合势和谐振频率.在B3LYP水平上得到了可靠的绝热电子亲合势(EAad):1-C14F10为1.84 eV;2-C14F10为1.41 eV;C16F10为1.72 eV;1-C18F12为2.39 eV;2-C18为F121.83 eV(Ci)和1.88 eV(C2);3-C18F12为1.69 eV.     

氦-氢分子相互作用势对He-H2碰撞激发截面的影响

使用Tang-Toenn ies势模型的两种形式通过密耦近似方法计算了惰性气体He与H2碰撞的弹性和转动激发散射截面及微分散射截面,原子入射能量分别为0.05 eV~0.65 eV,对计算结果进行分析比较。     

Breathing "Trap" Mechanism for C60 Nanocage

A new trap mechanism has been proposed to generate H@C 60 . Buckyball excited by shaped laser pulse could have large Raman-active vibration mode A g (1), which enlarges and shrinks buckyball alternately, and raises and decreases the energy barrier repeatedly, forming a trap to capture the incoming H atom. In this trap mechanism, the A g (1) vibration mode is excited before the encapsulation process of H atom. Simulations of semiclassical electron-radiation-ion dynamics showed that the kinetic energy threshold for H atom in this mechanism was lowered from 17.51 eV to 10.51 eV, and successful encapsulation happened in the range from 10.51 eV to 15.55 eV.     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。     

等离子体噻吩聚合膜紫外吸收的讨论

从等离子体噻吩聚合膜的反射谱和透射谱,运用传递距阵方法计算得到膜的光学常数:折射率n_f和消光系数k_f(受测量仪器限制,反射谱和透射谱以能量(?)ω表示的频率宽度为0.4～4.0 eV)。等离子体噻吩聚合膜在这个频率宽度内,没有显示出对光的强吸收。由膜的折射率谱及塞尔迈耶公式,可推断在大于4.0 eV紫外区,等离子体噻吩聚合膜存在一定强度的吸收。并进一步利用复数介电函数的实部与虚部之间的 k-k关系,以振子模型进行外推,对等离子体噻吩聚合膜的紫外吸收进行讨论。     

金属／n型半导体（Au／n—GaN）肖特基势垒的研究

材料Au/nGaN在600度温度淬火后，利用电流－电压测量，XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒，电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1．24eV,1.03，理想因子为1．12的势垒最大高度为1．35eV，XPS数据表明：600度温度的淬火导致能带向上弯曲0．35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0．25eV，我们的结论可以用Cowley-Sze模型来解释，结合表明，在GaN表面有受主态密度。     

反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.