金属氧化物避雷器失效分析

针对MOA的研究,从内部因素和外部因素两个方面来分析其失效模式。其中,内部因素主要针对研究的是MOA压敏电阻失效机理,外部因素则研究的是环境条件对MOA所造成的影响。     

MOA避雷器失效模型研究

研究了氧化锌压敏电阻的失效模式和MOA避雷器的失效原因。从数学上讨论阀片串并联时电位分布不均匀问题,并完善了基波阻性电流的整个数学计算模型。从理论上考虑各干扰要素的补偿。提出了避雷器器寿命衰减率、衰减系数矩阵、破坏力度和破坏力函数等相关概念。在考虑了出现热崩溃的临界功率损耗的基础上,构建了避雷器寿命衰减模型,并提供了避雷器失效估计的假设检验方法。与工程上的失效检测模型做了对比。     

BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响

在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响．发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性．     

BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响

在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响。发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性。     

压敏电阻陶瓷材料的种类与特性分析

压敏电阻陶瓷材料在一定的电压范围内会出现优异的非线性欧姆特性,可以保障电力设备的运行安全与电子仪器的稳定运行,且造价低廉,制作方便,在电力、航空、航天、交通、通讯、国防等领域都得到了广泛应用。压敏电阻陶瓷材料的类型多种多样,不同类型的材料,特性也存在差异,该文主要就压敏电阻陶瓷材料的种类与特性进行分析。     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

三极环形压敏电阻α值自动测试仪的研究

设计了一种三极环形压敏电阻α值自动测试仪，详细介绍了它的测量原理、整体结构和硬件电路，运行表明，该测试仪的检测精度较高，性能稳定，解决了环形压敏电阻α值测试的技术问题。     

隆科电子(惠阳)有限公司

正隆科电子(惠阳)有限公司是一家专业从事SPD浪涌保护器专用氧化锌压敏电阻的研究开发与生产的高新科技型企业,坐落在广东省惠州市惠阳区秋长镇金秋大道,注册资金175万美元。公司拥有一流的科研、生产队伍和管理人才,拥有包括"一种平衡式浪涌保护组合器件专利"等在内的多项技术专利权,并拥有UL目击实验室(WTDP),采用先进的压敏电阻制造技术,全套进口的先进制造设备,结合一流的现代管理和独特的经营理念,成为国内外领先的SPD专用氧化锌压敏电阻生产制造商。现已先后通过了UL、     

不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响

分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。     

溶盐热解法制备ZnO压敏电阻

研究了溶盐热解法制备 Zn O压敏电阻的工艺流程 ,并以此制备出通流能力加倍的 Zn O压敏电阻器。通过粉体的 X射线衍射分析了煅烧温度对粉体的影响。瓷片的 SEM测试说明溶盐热解法比传统法制备的 Zn O压敏电阻瓷片晶粒均匀性好。     

SrTiO_3多功能陶瓷电容压敏电阻器的研制

陶瓷压敏电阻器是一种随外加电压不同而电阻呈现出显著变化的非线性电阻器,具有优良的电压非线性和电涌吸收特性。根据制造材料的不同,可把陶瓷压敏电阻分为三类:①金属氧化物(如ZnO,Fe_2O_3,SnO_2,TiO_2等)陶瓷压敏电阻;②非金属氧化物(如SiO_2)陶瓷压敏电阻;③化合物(如SrTiO_3)陶瓷压敏电阻。目前广泛使用的ZnO_2压敏电阻具有优良的非线性特性,在瞬态浪涌抑制技术中起着重要的作用,但其视在介电常数只有1000左右,介质损耗高达5％～10％;缺乏大的电容量,因此,作为电容器是不理想的。SrTiO_3复合功能元件是70年代末出现的一种新型电子元件,它具有对电压敏感的电阻和大的等效并联电容。在低电压时具有电容器功能,在高于某个阈值电压时,具有压敏电阻的功能,并比单独具有压敏特性的压敏电阻器的性能好,在自动控制、电子计算机领域及各类电子电器行业中有广泛的应用前景。由于SrTiO_3是一种新型元件,有关它的原理、工艺条件都很不成熟,国内外对它都还处于探讨摸索阶段。作者经过长时间摸索,做了大量的实验,经历了多次失败。终于烧制出了两种具有复合功能的陶瓷材料,并对材料做了扫描电镜分析。     

掺杂预合成添加剂对氧化锌压敏电阻性能影响

为了提高氧化锌(ZnO)压敏电阻的电学性能,采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO₄和Zn₂SiO₄,研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明:ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO₄和Zn₂SiO₄后,能够有效抑制ZnO晶粒变大,晶体结构变得致密均匀,致密性有所提高,有效提高压敏特性和通流能力.BiSbO₄和Zn₂SiO₄掺杂比例为3∶1的样品综合性能比较优异,样品的致密度为5.58 g·cm^-3,压敏电位梯度达到425 V·mm^-1,非线性系数为70,漏电流为1.2×10^-7 A·cm^-2,能量耐受能力达到334.21 J·cm^-3,残压比为2.5.     

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极 Ag含量对电性能的影响

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响．研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能．当内电极含Ag量为70％时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小．反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小．伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多层片式ZnO压敏电阻的电性能变差．     

MOV型SPD的实验室测试设备设计

针对压敏电阻测试,叙述了依据IEC标准通用的MOV测试设备设计原理,设备的性能与结构,以及其应用范围。     

Co2O3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响

运用传统工艺制备不同质量分数Co2O3掺杂的ZnO压敏电阻阀片.采用扫描电镜和X射线衍射仪对样品的显微结构进行分析，研究了Co2O3掺杂质量分数对ZnO压敏电阻显微结构的影响，讨论了其电学性能与Co2O3掺杂摩尔分数的关系.结果表明，随着Co2O3摩尔分数的增大，晶粒尺寸越来越小，衍射角变大，晶面间距减小；压敏电压升高...     

室温固相化学法制备ZnO压敏电阻用纳米粉体及其压敏特性的研究

采用室温固相化学法,并通过对反应物摩尔配比、球磨时间、前驱物洗涤方式等因素的控制,合成了掺杂ZnO纳米粉体.借助XRD,TEM,粒度分布测试等手段,对粉体的组成、形貌和粒度进行了表征,探讨了反应条件对粉体性能的影响.结果表明,在反应物配比为1.10,球磨时间为30min,采用含量为3%的PEG-2000作为表面改性剂的条件下,制备了粒径为20nm左右、形状为球状的掺杂ZnO粉体.将制备的粉体通过成型,在1080℃制备了电位梯度为791.64V/mm、非线性系数为24.36、漏电流为43μA的压敏电阻.借助XRD,SEM,电性能测试等手段,对ZnO压敏陶瓷的组成、结构及压敏电阻的性能进行了表征,探讨了工艺参数对压敏电阻性能的影响及其机理.     

简单湿化学方法制备ZnO压敏电阻的研究

采用无机可溶性盐类为原料，通过相对简单的化学共沉淀方法，制备了ZnO压敏电阻材料，与传统的制备方法相比，化学方法得到的压敏电阻具有更低的烧结温度，更优良的非线性和更高的电压梯度，是一种具有重要实用价值的压敏陶瓷制备新方法。同时，利用XRD和SEM分析技术，对其显微结构也进行了表征和讨论。     

压敏电阻非线性电输运理论研究进展

在对各种压敏电阻材料介绍的基础上 ,综述了非线性电输运理论研究的进展 ,特别涉及了三氧化钨和有机压敏材料等新体系的问题。     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉末

本文研究用湿化学法——ＮＨ＿３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料．用ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度、球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析、ＢＥＴ分析、粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态．压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻．     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉未

本文研究用湿化学法－ＮＨ３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料。用Ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度，球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析，ＢＥＴ分析，粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态。压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻。