厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

微波辐射法制备活性二氧化锡并催化合成乙酰水杨酸

利用微波辐射处理五水四氯化锡溶胶制备出活性二氧化锡,小试研究活性二氧化锡催化合成乙酰水杨酸.并研究了酯化反应的优化条件,结果表明微波辐射法制备的二氧化锡呈现出较高的催化活性和选择性,其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高,也明显高于一般普通二氧化锡催化产率;活性二氧化锡催化酯化反应的最佳时间为45min,最佳温度为85℃,乙酸酐与水杨酸的最佳物质的量比为21.活性二氧化锡催化剂安全无毒,克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等诸多缺点,因此,活性二氧化锡可望成为一种较好的能取代液体浓硫酸并对环境友好固体酸催化剂.     

分散剂对纳米相二氧化锡制备的影响

采用化学沉淀法 ,通过在不同阶段加入适量的分散剂 ,制备了纳米相二氧化锡 .以 PCS、TEM详细研究了二氧化锡胶体和粉体的粒子形貌、大小及分布 .结果表明 :二氧化锡胶体颗粒分散均匀 ,粒径约 3nm左右 ,分布范围窄 ;80℃烘干后粒径约 8nm左右 ;70 0℃煅烧后颗粒为球型 ,团聚体少 ,颗粒粒径小于 5 0 nm.最后 ,定性分析了分散剂在纳米相二氧化锡制备中的分散机理 .     

剑状微棒ZnO材料的水热合成与气敏性能研究

以氯化锌(ZnCl2)和25%浓度氨水为原料,CTAB表面活性剂存在时,利用水热法制备了剑状微棒ZnO材料.采用X射线衍射仪和透射电镜等测试手段,对其物相和结构进行了表征.结果表明:此粉体材料结晶良好,直径小于4μm,长度为35μm.利用该材料制成气敏元件,并用静态配气法测试了元件的气敏性能.研究发现:元件在200℃工作温度下,对丙酮气体有很好的灵敏度和选择性及较好的响应恢复特性.并对气敏机理进行了探讨.     

一种1Cr18Ni9不锈钢基片PTC厚膜电路的实现方法

为了将PTC(positive temperature coefficieat)电子浆料以厚膜电路的形式制备在不锈钢基片上,并把不锈钢本体作为散热器,引出电极利用PTC效应制成可控电热元件.方法:提出基于1Cr18Ni 9不锈钢基片的PTC厚膜电路的组成结构,并根据1Cr18Ni 9的膨胀系数和电路元件的电气特性实现了厚膜电路PTC电子浆料的应用设计技术.结果显示以PTC厚膜电路材料组成的可控电热元件,其功率密度高达200 W/cm2;其电阻膜层的表面加热速度可达200-300℃/s;其使用寿命达到1 万小时以上.可见与传统的电热合金材料、陶瓷基片加热器以及元件组合的加热器相比,本实现技术电路具有功率密度大、响应速度快、加热温度可控等优点.     

SnO2/NaY光催化剂的制备

用二氯化锡和NaY沸石为原料,经浸渍、焙烧等工序制备SnO2/NaY光催化剂,通过X射线粉末衍射、透射电镜和紫外可见漫反射光谱表征显示:尺寸在20～60二氧化锡纳米棒在NaY沸石表面上形成;以紫外光为光源,对甲基橙溶液进行光催化降解以检验其光催化性能,结果表明:该催化剂具有紫外光催化活性.     

二氧化锡材料对异丙醇的敏感特性研究

基于纳米材料SnO_2的气敏元件对大多数的挥发性气体具有敏感性,以SnO_2为基料制备了旁热式异丙醇气敏元件.对比了纯SnO_2气体元件和掺杂ZnO气体元件对异丙醇的气敏特性,通过控制变量法,选择在相同的烧结温度或工作温度下进行测试.结果表明:在烧结温度为400℃,工作温度为300℃的条件下,掺杂为1%ZnO的SnO_2气敏元件对异丙醇气体的气敏特性较好.讨论了SnO_2材料对异丙醇的敏感机理.     

二氧化锡纳米粉催化生成乙酰水杨酸

利用水热法处理五水四氯化锡溶胶制备二氧化锡纳米粉,试验纳米二氧化锡纳米粉催化合成乙酰水杨酸的研究,并研究了酯化反应的优化条件,结果表明：纳米二氧化锡呈现出较高的催化活性,其催化合成乙酰水杨酸产率比以浓硫酸为催化剂的产率高,也明显高于普通的二氧化锡的产率,且纳米二氧化锡催化剂安全无毒,克服了浓硫酸的强腐蚀性、强氧化性、难于与产品分离、对环境污染大等缺点,纳米二氧化锡可望成为一种较好的能取代浓硫酸且对环境友好的催化剂。     

掺锡α—氧化铁纳米晶粉体的制备及其气敏特性的研究

以尿素水解法制得平均粒径为２７．７ｎｍ，比表面为６０．２ｍ＾２／ｇ的掺锡的α－氧化铁粉体。以该粉体气敏料制成的元件在最佳加热电流条件下对乙炔，异丁烷，氢 氧化碳，氨气等气体的气敏特性测试结果表明，掺锡有不同程度的增感作用且降低了元件的最佳加热电流，缩短了响应－恢复时间。     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

SnO2薄膜元件的制备及其气敏特性研究

采用溶胶一凝胶法,以氯化锡（ＳｎＣｌ２。）和无水乙醇为反应起始物,经过加热回流、热处理等工艺．制备出了掺硅和锑的氧化锡（ＳｎＯ２）气敏薄膜,并制成了气敏元件．元件性能测试表明．材料对Ｈ２具有较高的灵敏度和选择性、较好的响应一恢复特性和稳定性．     

以硅胶为模板制备二氧化锡纳米粒子

用硅胶、二氯化锡为原料，经浸渍、焙烧后在硅胶里形成二氧化锡纳米粒子，在室温下，用40％HF酸将硅胶溶解，可获得尺寸为10nm的二氧化锡纳米粒子。     

掺锡α-氧化铁纳米晶粉体的制备及其气敏特性的研究①

以尿素水解法制得平均粒径为２７．７ｎｍ，比表面为６０．２ｍ２／ｇ的掺锡的α－氧化铁粉体，以该粉体为气敏材料制成的元件在最佳加热电流条件下对乙炔、异丁烷、氢气、一氧化碳、氨气等气体的气敏特性测试结果表明，掺锡有不同程度的增感作用，且降低了元件的最佳加热电流，缩短了响应－恢复时间，同时，从电导－温度曲线与比表面值，初步探讨了该材料的气敏机理为表面电阻控制型。     

Ba-Y-Cu氧化物超导体的研制

本文报道 Ba-Y-Cu-O 体系超导材料研究的初步结果.采用适当的配比和制备工艺,该系列材料的起始转变温度可达118K,零电阻温度为91K.样品由 Y、Ba 和 Cu 氧化物进行固相反应制备.各元素氧化物粉末按一定配比研磨均匀后,分别在950℃和1000℃固相反应和烧结24小时,最后制成直径10mm、厚2～3mm 的片状样品.样品呈黑色.     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

银氧化锡触点材料的水热制备及组织分析

利用水热法制备AgSnO2粉体,压制烧结后制得AgSnO2块体样品. 对AgSnO2粉体样品进行X射线衍射、扫描电镜和能谱分析,结果表明:通过在溶液体系中实现银和二氧化锡的共沉积,水热法能制得颗粒细小均匀的球形AgSnO2复合粉体. 块体样品X射线衍射谱表明,水热法制备的AgSnO2粉体由于改变了Ag和SnO2的结合状态,烧结时二氧化锡晶体在(110)晶面上表现出一定的择优取向. 对块体样品的显微组织分析表明,AgSnO2块体样品能够克服氧化物的聚集,二氧化锡颗粒在银基体中均匀弥散分布.     

二氧化锡气敏元件的机理及其敏感特性

本文对敏感元件在现代科技中的重要地位作了简单的介绍,着重分析了二氧化锡气敏元件的气敏机理和性能测试,对采矿、化工及其他工业企业中治理环境污染,保证安全生产和提高人民群众的健康水平都有一定的实用价值.     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

纳米SnO/Ti电极电催化还原KBO2制备KBH4

先在乙二醇中电解锡片, 制备得到锡醇盐配合物, 再将电解液水解后凝胶, 在钛丝表面通过提拉法涂抹、 300 ℃煅烧2 h制备得到纳米SnO/Ti电极.
在0.3～1.2 mol/L KOH+02～0.8 mol/L KBO₂的溶液中测试SnO/Ti电极的催化还原性能,  研究影响电解还原KBO₂的主要因素, 并通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征SnO/Ti电极和KBH4的结构. 结果表明, 纳米SnO/Ti电极表面颗粒分散均匀, 修饰电极催化性能较好, 放电电流增大, 产率和电流效率分别为16.9%和29.2%.