受体分子侧基对非富勒烯受体和聚合物给体界面处激子解离速率的影响

以非富勒烯为受体的有机太阳能电池中,给体和受体分子可同时吸收可见光并各自产生光诱导的激子,这些激子的解离是决定太阳能电池效率的关键因素之一.因此,选取HXSC12分子为电子给体,6种具有不同侧基的1,8-萘酰亚胺小分子作为电子受体,利用Marcus公式和电子结构计算研究了给体和受体分子上激子在其构成界面上的解离过程,着重分析了受体分子侧基对两种激子的解离速率的影响.结果发现,给体和受体分子的吸收光频率互补,且对于效率较高的体系组合中两种分子上的激子解离速率基本具有相同量级,表明给体和受体在收集太阳能方面具有同等重要的作用.在受体中引入吸电子侧基后,可使得受体吸光强度增加,同时增加了给体-受体界面上激子解离的耦合强度和驱动力从而明显提高激子解离速率;而引入给电子侧基后,受体吸光强度明显降低,也降低了激子解离的耦合强度,导致激子解离速率降低.该计算结果与实验观测一致,可为制备高效的有机太阳能电池提供新思路.     

氢原子掠散射氧化NiAl(110)面负离子形成

对于掠入射条件下原子从绝缘体表面散射,散射粒子束中高比例的负离子产额被观测到.Demkov模型定量解释了在低速负离子形成阈值附近的负离子产额的速度依赖关系,由于该模型未考虑任何电子损失行为,导致在较高速度时,不能解释形成负离子产额的下降趋势.提出了改进模型,考虑了电子隧穿通过排斥库伦位垒的量子隧穿机制,以及表面激子形成的贡献,能够描述氢负离子在氧化NiAl(110)表面的电子脱附行为,在整个速度范围内计算结果与实验数据符合较好.     

低能质子对乙炔分子电子激发效应的研究

探索低能离子特别是质子碰撞对有机分子的电子激发效应对理解低能离子对生物有机体的辐照损伤效应是非常重要的.本文采用第一性原理分子动力学方法模拟低能质子与乙炔分子之间碰撞的动力学过程,研究由于低能质子碰撞导致的乙炔分子的电子激发效应,碰撞过程中质子的能量损失以及靶分子价带上的激发电子的数目,揭示了电子激发效应是电子能量损失的主要机制,证明了关于电子阻止本领的传统线性理论模型不能很好地描述低能离子穿透分子靶时的电子能损,并且阐明了其中的原因.     

纳米分子器件的递归格林函数方法的研究

利用递归格林函数方法,对4,4,吡啶分子的量子传导特性进行了理论研究,得出了入射电子通过纳米分子桥的电子传输谱.结果显示透射电子传输峰值的出现是传导电子与分子轨道能级谐振的结果.     

NO脉冲流光放电激发解离截面的理论计算

将NO脉冲流光放电的2个主要激发解离通道作为主要研究对象,依据不同电子激发温度下电子能量分布函数和电子激发态的碰撞激发函数,积分计算了脉冲流光放电下NO的2个主要激发解离通道的激发碰撞截面,并依据激发碰撞几率函数归一的原理,研究了NO 2个主要激发解离通道的竞争过程.N原子和N+特征谱线荧光辐射强度随电子激发温度变化的计算结果与本研究小组的实验结果符合得很好,验证了理论处理的合理性,也为NO分解过程研究提供了理论依据.     

CF2自由基电子激发态解离通道的静力学分析

本文根据原子分子反应静力学的基本原理,利用对称性关联的方向性原则,研究了三原子CF2体系的可能解离通道.在轨道和自旋规则限制下,得到了母体自由基特定电子态与解离碎片电子态之间的对应关系,并具体给出了CF2自由基在不同电子态下可能的解离通道.     

一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型

分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.     

芳香卤代物光致亲核取代反应的MO控制因素

用光致亲核取代反应选择并合成了若干有代表性的底物芳香化合物，并计算参加反应的各底物的ＨＯＭＯ与ＬＵＭＯ轨道能级，阐述了光照条件下电子转移的制约因素。实验结果表明，在光诱导下烯醇负离子向卤代芳烃的电子转移过程是整个Ｓ＿ＲＮ１（单电子转移的单分子亲核取代反应）机理的关键，烯醇负离子的ＬＵＭＯ轨道能级愈高愈有利于反应的进行，而芳环的ＬＵＭＯ轨道能级愈低则更有利于反应的进行，当两轨道能级差大约为０７β时，反应很容易进行，且产率很高，而当两轨道能级差小于０．２β时，则反应不能发生。     

电子捕获解离条件下N-乙酰甘氨酸N—Cɑ 键断裂机理

质谱分析技术已广泛应用于蛋白质组学的分析、鉴定等工作中.近年来,由于自由基解离在蛋白质结构鉴定中可提供额外的特征碎片以及特殊信息等优势,自由基多肽离子解离分析也逐渐引起人们的广泛关注.因此,深入理解质谱测试条件下自由基诱导解离机制,对进一步发展蛋白质测序策略以及领悟生命过程都有十分重要的意义.采用基于有限温度密度泛函理论的第一性原理分子动力学方法模拟研究了N-乙酰甘氨酸自由基在电子捕获解离质谱条件下的裂解过程.模拟结果显示,仅分子中的氮原子接受质子的动力学轨迹中有共价键的断裂,其中,90.5%的轨迹中观察到键长较长的肽键断裂,而另外9.5%的轨迹中则观察到了自由基诱导N—C_ɑ键均裂.进一步分析显示,该解离过程为动力学控制.希望本研究结果能够为人们认识电子捕获解离条件下多肽自由基的解离过程提供帮助.     

典型轴手性D分子F被H取代的衍生物结构特性的理论研究

使用密度泛函理论的b3lyp方法,在b3lyp/6-31+g(d,p)理论水平上对D分子手性对映体D1的F被H取代的几种衍生物结构、红外振动频率、分子前线轨道进行了理论研究.结果表明:它们的解离产物及手型转变机制会不同;三种衍生物分子的HOMO和LUMO轨道,主要来源于骨架C原子p电子的贡献,F原子的p电子和手性C原子所在环上的H的s电子对前线分子轨道有很小的贡献.     

电子陷阱对卤化银微晶感光过程的影响

根据成核-生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用,着重于介绍如何优化电子陷阱密度和深度来降低复合以及成核点数目,从而达到提高潜影形成效率的目的.     

密封式中子管中电子电流形成过程

分析中子管中电子电流的形成过程．对于Philip型中子管,D 离子轰击靶产生的二次电子直射进入加速区,形成的电子电流仅是总电子电流的一部分．为完整地解释电子电流的形成,必须考虑到二次电子在加速电极内壁上的散射和新产生的二次电子进入加速区形成电子流的因素．     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

电子束直接熔化技术中的粉末状态分析

在电子束直接熔化金属粉末技术中,为了避免真空室抽气瞬间的气流和电子束对金属粉末的作用力改变粉末的堆放状态,建立了金属粉末受力模型,并对金属粉末的受力进行计算和分析。理论分析与实验结果表明,在抽气口位置粉末容易被气流抽走,工作台不能与抽气口在同一水平高度。0.5mA以上的电子束束流引起的压力会推开气雾化不锈钢粉末,该现象的主要解决途径为降低电子束束流、提高粉末致密度和选用摩擦因数大的金属粉末。此外,利用电子束对金属粉末预热,提高其相互间的粘结力也是解决方法之一。     

电子相互作用对准一维有机铁磁体的铁磁基态的影响

提出了一种基于极化子的准一维有机高聚物铁磁体模型．在这种模型中，依靠极化子而不是有机自由基来提供未配对电子．利用 Ｐｅｉｅｒｌｓ Ｈｕｂｂａｒｄ 哈密顿量，考虑强电声耦合，允许完全的格子松驰过程，建立了一套自洽迭代方程，计算了格点上的电子相互作用和格点间的电子相互作用对有机铁磁体的铁磁基态的影响     

铁对厌氧氨氧化过程及其微生物群落的影响

从电子传递机制、微生物活动和影响因子等角度出发,综述铁对厌氧氨氧化过程的影响。结果表明,不同价态的铁作为电子受体或电子供体生成厌氧氨氧化底物促进反应,且产生铁氨氧化(Feammox)、硝酸盐依赖型亚铁氧化反应(nitrate-dependent ferrous iron oxidation,NAFO)等不同反应。同时铁元素对厌氧氨氧化过程中功能微生物富集、血红素含量提升及颗粒化过程均有促进作用,从而明显提升对厌氧氨氧化工艺的处理效果。并总结了最佳的铁投加状态,铁元素加强厌氧氨氧化过程中的最适温度、pH值,为后续的铁元素加强厌氧氨氧化过程的研究提供参考。     

Field electron emission of diamond films on nanocrystalline diamond coating by CVD method

Generally, nucleation and growth of diamond were difficult on substrates without being pretreated when diamond films were prepared with the chemical vapor deposition (CVD) method. To improve nucleation, two methods were adopted; one is mechanically treating sur-faces of substrates with superhard particles, the other is introducing substrate bias to the substrates. However, these two processes were difficult to bring about industri-alization owing to their complicated procedures and the diffic…     

用EGSnrc程序包对单能电子实验过程影响因素的研究

本文运用蒙特卡罗程序EGSinpRZ和EGSnrcMP模拟了不同能量的单能电子入射过程中与AL吸收物质的作用,得到了该过程产生的并且进入了灵敏区的轫致辐射光子和散射电子平均能量以及他们在相应情况下的百分比,结合两种计算方法(全峰面积法TPA和半峰面积法SPA)讨论了轫致辐射和散射对测量结果的影响;研究了实验所用放射源与其包装材料产生的轫致辐射光子对测量的影响;同时用EGSnrcMP程序模拟了吸收曲线,并与实验吸收曲线相比较,讨论了环境本底对计数的影响.     

宽电子束聚焦的变分理论

假定空间静电电位φ的磁感应强度矢量(?)在实验室坐标系中的分布是已知的,利用变分方法研究了正交和非正交两种曲线局部坐标基下宽电子束聚焦的普遍理论.将变分原理下的细电子束聚焦推广到宽电子束聚焦,证明了其结果与用电动力学方法研究宽电子束聚焦的一致性。     

固体中氢,氘负离子的形成和电荷交换截面的测量

用电荷交换的观点,分析在束箔离子相互作用中的负离子形成过程.导出了负离子产额与电荷交换截面的关系为:φ~-=σ_(?)~2/(3σ_i~2).证明φ~-与入射核子速度有关,与停留时间无关.报告了在不同入射速度下,H~ ,D~ ,H_2~ ,D_2~ 和H_e~ 等种离子在碳膜中产生的H~-,D~-或H_e~-的测量结果.由此得到电子损失截面σ_l和电子浮获截面σ_c的观测值.