电极材料对BST薄膜介电性能的影响

BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料。就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述，包括电极材料的种类，电极对薄膜微观结构、介电参数及稳定性等方面的影响，分析与电极相关的薄膜缺陷和可靠性现象，并对未来的发展作简要的描述。     

MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.     

化学计量对Ba1-xSrxTiO3薄膜介电性能的影响

采用脉冲激光沉积法，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3薄膜，通过改变Sr化学计量，研究了其介电性质．实验结果发现：随着Sr化学计量的增加，薄膜的介电系数明显增大，而损耗仍然保持在较低的水平．研究表明：薄膜介电系数的增大是由于薄膜中颗粒尺寸的减小，导致了居里温度的降低．另外，C-V特性研究发现：随着Sr化学计量的增加，薄膜的电容调谐度也有所提高．     

PVP在室温以上的介电性能研究

通过在40℃(160℃,63.1Hz(4MHz范围内测量PVP的介电松弛谱,发现了PVP的介电松弛中含有α松弛,(松弛和γ松弛三种极化过程,其中α松弛归因于聚合物的玻璃化转变,(松弛归因于聚合物的侧基运动,γ松弛归因于聚合物的链段局域运动; 而介电损耗低频处有直流电导的贡献.     

BaTiO3铁电玻璃陶瓷结构和介电性能的研究

采用溶胶－凝胶工艺制备ＢａＴｉＯ３铁电玻璃陶瓷，选择材料组成成份分别Ｂａ－Ｔｉ－Ｓｉ－Ｏ和ＢａＴｉ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ。利用ＸＲＤ分析了上述两体系的均匀凝胶在热处理后的结晶结构。借助ＳＥＭ观察了微晶形貌。最后测试了这种玻璃陶瓷在不同的温度和频率下人的介电常数和损耗，结果表明此类材料具有良好的介电性能。     

离子注入聚合物薄膜电导机理的研究

在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作用下离子注入聚合物的电导公式。并以不同As~+注入剂量的聚酯(PET)薄膜,在经过不同百分比的拉伸后,研究了电导的场强曲线、温度曲线以及颗粒间距离对电导的影响。实验结果证实了理论分析。     

铅酸钡导电陶瓷的电性能研究

制得铅酸钡（ＢａＰｂＯ３）导电陶瓷,它具有象金属一样的导电性,而且还具有正温度系数（ＰＴＣ）特性． 本文主要研究ＢａＰｂＯ３ 导电陶瓷的导电性和导电机制     

陶瓷－聚丙烯复合薄膜的介电性能

研究了陶瓷介电常数、陶瓷加入量和陶瓷－聚丙稀复合薄膜介电性能间的关系，给出适合本陶瓷－聚丙烯复合系统的介电常数公式．提出的陶瓷颗粒包覆方法可有效提高复合膜的力学性能，使陶瓷粉加入量由４０％提高到５６％（ｖｏｌ％）．陶瓷颗粒包覆后，采用轧膜工艺制备出厚度为１００μｍ、力学性能优良、介电常数大于２０、介电损耗小于５０×１０－４、容量变化率小于４％的复合膜．还对包覆和未包覆陶瓷－聚丙烯复合膜的显微结构进行了研究．     

自支撑聚苯胺导电膜的电化学合成及性能

研究了以不锈钢为电极、高氯酸为掺杂剂、水为溶剂，将苯胺（Ａｎ）直接聚合成具有较好导电性能（电导率为６．６７ｓ·ｃｍ－１）和机械性能（抗张强度为０．３４Ｎ·ｍｍ－２，断裂伸长率为１２．６％）的聚苯胺（ＰＡｎ）自支撑膜的电化学方法，并探讨了电化学聚合反应条件对ＰＡｎ膜性能的影响，同时借助ＳＥＭ、ＩＲ、ＥＳＲ等手段表征了所得的聚合物膜。     

Xe^＋离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱研究

分析了Xe~+离子注入聚合物Q膜的拉曼光谱,对原始Q膜的拉曼谱线进行了指定.实验结果表明,随离子注入量的增加,其分子结构的特征谱线逐渐消失,当注入剂量达1×10~(17)Xe~+/cm~2时,注入层中原始膜的全部谱线消失,只在～1550cm~(-1)处出现宽的拉曼峰,说明注入层的分子结构遭到破坏,出现类似非晶碳的结构,注入层的电导率增加与其结构变化密切相关.     

离子注入聚醚砜膜的光电特性研究

用15keV的N+或Ar+注入聚醚砜（PolyetherSulfone简称PES）薄膜,在D＝3×10（16）ions／cm2时,纯PES膜表面电导率提高了五个数量级,掺碘PES膜表面电导率提高了四个数量级。在D＝3×10(16)ions／cm2时,离子注入PES膜的表面电导率已达到半导体水平且在大气中非常稳定。离子注入引起PES膜先吸收率显著增加。     

金属离子注入纳米结构和特性

材料中纳米弥散相的形成对材料强化有着非常重要的作用,离子注入技术在材料表面容易形成这种结构.透射电子显微镜观察表明,经过Ti注入的钢,表面形成了直径为10～30nm丝状的FeTi和FeTi2相,其长度为150～320nm, 当束流密度分别为25～50μA*cm-2时,弥散相的密度分别为1.2×1011和6.5×1010 cm-2,其平均直径则分别为10和18nm. 扫描电子显微镜观察C+Ti样品表明, 注入后表面形成的抗腐蚀钝化层也为丝状纳米结构, 细丝直径25～60nm,长度100～200nm,密度约2.2×109 cm-2.这种致密的结构具有很强的抗磨损特性和抗腐蚀特性.抗磨损特性提高了8倍.电化学测量结果表明,随注量的增加,腐蚀电流密度Jp明显下降,用3×1017 cm-2注量的Ti注入H13钢Jp比未经注入之值降低到0.125%～0.050%; W注入聚脂膜(PET)形成了10～20nm W的析出相,这种相的析出使PET表面硬度增加,抗磨损和抗腐蚀特性增强,并使之形成了优良的导电层.     

MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究.材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017 cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.     

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441．6nm光激发有Er^3 较强的1．54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。     

低温下聚合物电介质中的空间电荷及其对介电性能的影响

聚合物电介质材料在低温(接近或低于液氮沸点)下比室温下能俘获更多由电极注入的带电粒子并形成空间电菏,将影响聚合物电介质在低温下的介电性能.本文用电声脉冲法和热刺激电流法(TSC)测量了空间电荷的分布及陷阱能级,表明该现象与聚合物电介质中存在的浅能级局部态有关.本文的研究为选用低温电气绝缘聚合物材料提供了新的依椐.     

MeV高能B离子注入Si的退火

报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p~+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义.     

La离子注入H13钢氧化层结构分析

研究了Ｌａ离子注入Ｈ１３钢的抗氧化特性，运用扫描电子显微镜（ＳＥＭ），背散射能谱（ＲＢＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对离子注入生成的表面优化层的结构进行了分析，探讨了抗氧化机理，实验结果说明Ｌａ注入Ｈ１３钢能够得到表面改性的良好效果。     

Ti/Ni/La离子注入电极的贮氢性能研究(英)

用离子注入的新方法制备了贮氢合金材料．将Ni和La离子依次注入Ti基体中,形成Ti／Ni／La离子注入电极．研究了Ti／Ni／La电极的贮氨性能以及La的注量对这些性能的影响．用俄歇电子能谱（AFS）测量了各种元素在电极表面的摩尔分数随深度的分布．Ti／Ni／La电极表现出良好的贮氢性能并且容易活化,其贮氢性能与注入La的注量有关．