圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.     

T型量子线的电子结构计算

在周期性边界条件下，利用平面波展开计算了Ｔ型量子线的电子结构，通过构造能级的拟合公式，由小数目平面波展开得到的能量值求得原来只能借助大数目平面波展开才能得到的能量值，避免了大型矩阵的角化，并给出了计算实例。     

InAs/InP椭圆形量子线的电子和空穴基态能量

在椭圆坐标系中采用有效质量近似和对角化方法研究了椭圆形量子线中电子和空穴的基态能量.考虑电子和空穴在材料中的质量失配以及空穴有效质量的各向异性,计算了无磁场时及存在磁场时电子和空穴的基态能量随偏心率ξ0及参数a的变化情况.结果表明,参数a一定时,粒子的基态能量随着椭圆截面偏心率ξ0的增大而减小;椭圆的偏心率ξ0一定时,粒子的基态能量随着参数a的增大而减小;磁场对空穴的约束作用较电子弱.     

磁场对CaN/AlxCa1-xN抛物量子阱中电子态能量的影响

采用变分法,研究了外界磁场对抛物量子阱中基态能量的影响．并给出抛物量子阱CaN／AlxCa1-xN中的数值结果．研究结果表明,基态能量对磁场强度的变化很敏感,并随着外磁场的增加而增加;磁场对基态能量的贡献随着阱宽的增大而增大．     

磁场下椭圆形量子线中电子与空穴的基态能量

采用单电子近似方法求解薛定谔方程,研究了椭圆形量子线中电子和空穴的基态能量及其受磁场的影响.详细描述了能量哈密顿算符在原子单位与国际单位之间的换算及处理粒子有效质量失配及空穴有效质量各向异性的一种方法,数值结果表明,磁场的约束使得粒子的基态能量增加,粒子的基态能量随着椭圆坐标中的参数的增大而减小.本文所用的方法可推广到其他类似物理模型的薛定谔方程的求解中.     

HgS/CdS/HgS球状纳米系统中电子能量与寿命的探讨

建立了球状HgS／Cd6／HgS纳米系统中电子状态满足的方程，找出并分析了相应态中电子的能级和寿命随系统几何尺寸的变化规律。     

半导体量子阱中电子朗道能级的共振分裂和钉扎行为

本文采用改进的Ｗｉｇｎｅｒ－Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ微扰理论，研究了束缚于半导体量子阱中电子共振谱的分裂．考虑到晶格振动的各种光学极化模，解释了电子共振谱在横光学声子频率附近的这种“奇异”的分裂和钉扎行为．计算了跃迁频率对磁场强度的依赖性．理论结果和他人的实验数据进行了比较．最后指出，这种共振分裂和钉扎行为是量子阱中电子和界面声子相互作用的结果．     

现代多粒子物理学：原子气、量子点和量子流体

本书是作者多年来在意大利特伦多大学讲授多体系统理论的讲义基础发展而成的一本教科书。大部分内容是描写诸如各种维数的电子气、强磁场中的量子阱、液氦和核物质等均匀系统，但也有相当多的篇幅研究有限系统。对于世界各地实验室近年来实现的系统给予了特别的关注，其中包括金属团簇、量子点和磁陷阱中冷原子及稀少原子的凝聚等。     

磁场对抛物量子线中强耦合极化子基态能量的影响

本文研究磁场对抛物量子线中强耦合磁极化子基态能量的影响．采用Tcbda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中磁极化子的基态能量E0随约束强度ω0、回旋频率ωc的增大而增大．     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系,在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明,基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV,这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多,并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法,研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量,电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势,在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上,给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明,随着量子线半径的增大,基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小,回旋共振频率也随之减小．该结果对以前的研究结果有所改进     

量子线中强耦合磁极化子的性质

采用变分法研究了量子阱线中强耦合磁极化子的旋共振频率．对于不同的限制强度计算了磁极化子在基态和激发态的结合能，最后得到旋共振频率随磁场增强而增大的结果．     

自旋对量子线中弱耦合磁极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了量子线中弱耦合磁极化子的性质。得到了考虑自旋影响时量子线中弱耦合磁极化子的基态能量,并进行了数值计算。结果表明：考虑自旋影响时,量子线中磁极化子的基态能量分裂成两个分支。磁极化子基态能量随量子线束缚强度的增大而增大,随耦合强度的增大而减小。自旋对磁极化子基态能量的影响不能忽略。     

InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

采用有效质量理论６带模型,研究量子结构变化对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性。说明量子线结构比量子阱结构提高量子激光器光学性能。     

强磁场对中心放置正电荷的GaAs量子环能量的影响

 利用B样条技术研究强磁场中GaAs量子环的能量和量子尺寸效应。计算结果表明: 强磁场下 （B>3T）, 量子环的基态能量E1和库仑能的绝对值EC随着磁场强度B的增大而增大。对应不同角动量（m=-1,-2,-3）,E1-B曲线的间距被放置在中心的正电荷的库仑场拉宽; 基态能量E1随量子环半径r0的变化曲线出现一个极小值位置r00,r00随着B的增加而减小。在不同磁场下的E1-r0曲线的间距被放置在中心的正电荷的库仑场拉近, 库仑能的绝对值EC随着r0的增大而线性减小; 基态能量E1随着谐振子势ω0的增大而增大。库仑场使不同角动量(m=-1,-2,-3）下的E1-ω0曲线出现交叉现象,能级次序发生了变化。库仑能的绝对值EC随ω0的增加而非线性减小。     

量子线中强耦合磁极化子的温度关系

采用Ｐｅｋａｒ变分法研究了量子阱线中强耦合磁极化子回旋共振频率随温度变化的关系，对于不同的限制强度，计算了磁极化子在基态和激发态的结合能随温度上升而下降的规律，回旋共振频率随温度上升而增大。     

类锂等电子系列离子2s电子能量解析值与量子数亏损规律的研究

根ＭｏｒｓｅＰＭ等人提出的解析波函数，设计了一个优化了的Ｆｏｒｔｒａｎ计算机程序，得到了类锂等电子系列离子２ｓ电子的能量解析值及其量子数亏损，所得２ｓ的能量解析值及其量子数亏损，所得２ｓ电子能量值和量子数亏损与实验值符合较好，此外对量子数亏损的规律性作了深入细致的讨论．该文提供的类理等电子系列离子高离化态２ｓ电子的能量值可供从事天体物理和实验室等离子体研究的光谱学工作者参考和进行检验．     

有限厚势垒量子阱中杂质态结合能

利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系,且与无限厚势垒情形进行比较.结果表明,有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间阱宽时,这两种情形的杂质态结合能差别最大,在宽阱时,差别最小.此外,还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响.     

电磁场辐照下量子线的两能级电子波函数

从理论上研究了在横向极化的外电磁场辐照下量子线的电子态．使用量子光学中两能级原子与电磁场相互作用的半经典方法,得到了在自由电子和弱场假设下两能级电子与场相互作用的波函数表达式．此波函数包含了外场的频率和强度以及量子线的几何参量,由此可研究决定系统与时间有关的输运性质．     

量子阱中屏蔽激子的束缚能

用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能．屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的．