0.4～2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7 MeV串列加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面.结果表明,对于质子在轻核Al上的散射截面,可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1.5 MeV,质子能量大于该值时,出现连续的非卢瑟福散射共振区.     

核Drell-Yan过程中的能量损失效应

核Drell-Yan过程中的能量损失效应是不同于束缚核子部分子分布函数核效应的另外一种核效应.用G.T.Garvey和T.C.Peng提出的处理能量损失的方法分别计算了入射质子束能量Ebeam为120GeV,50GeV的(p+W)/(p+D)的Drell-Yan微分截面比,对核Drell-Yan过程中的能量损失值与入射夸克在A核中的平均路径长度A的关系进行了讨论,提出用低能量的质子束、对核子数A为不同值的多种核子进行实验来进一步研究能量损失效应的建议.     

用背散射进行物质分析

用离子加速器的离子束进行物质分析是近十年来发展起来的,它是物质分析中的有效手段,包括背散射(RBS)、质子荧光分析(PIXE)和核反应三种方法。它们各有特点,互相补充,所谓背散射就是能量为1～3MeV的~4He离子束或能量为几百keV的质子束打到靶上,入射离子和靶原子核发生库仑相互作用,部分入射离子发生大角度散射的现象。用金-硅面垒半导体探测器可测得此背散射离子能谱。     

Geant4模拟半导体器件的单粒子效应

利用Monte Carlo软件Geant4模拟了质子和中子在半导体静态随机存储器模型中的输运过程。根据入射粒子的能量选择不同的物理模型,并采用强迫碰撞方法,模拟了高能质子和中子与硅原子的相互作用及其次级反应过程,给出了0.1~2 GeV超高能质子、中子和14 MeV中子辐照器件时存储单元灵敏区内的能量沉积,并根据具体器件的临界能量,得到了器件在不同能量的高能质子和中子辐照下引起的单粒子翻转截面和多位翻转截面,计算结果与文献资料结果符合较好。     

质子与原子核碰撞J/ψ产生过程中的能量损失效应

在考虑初态部分子分布函数核效应、入射质子的能量损失效应,以及末态粲夸克对能量损失效应的基础上,对质子-原子核碰撞J/ψ产生过程的微分截面比RW/Be(xF)进行了领头阶的唯象分析,并与E866实验数据中代表J/ψ粒子在靶核外产生的实验数据进行比较,确定了粲夸克对的能量损失值(0.69±0.23)Ge V/fm.研究结果表明:当J/ψ粒子在靶核外形成时,末态粲夸克对的能量损失效应是影响J/ψ粒子产额压低的主要核效应;当xF较大时,初态入射质子的能量损失效应也是不可忽略的.     

高能质子核反应截面的Monte Carlo计算

根据高能质子核反应的核内级联模型,采用Monte Carlo方法对高能质子入射靶核的核反应过程进行了模拟计算。碰撞进入靶核内的质子初始位置由随机抽样得到,而初始的能量和动量通过守恒定律计算得出;靶核内的核子数密度采用均匀分布近似;被碰核子的初始动量从Fermi分布中随机抽样得到,被碰核子的初始运动方向从各向同性分布中抽样;核子-核子碰撞动力学采用相对论下的两体碰撞近似。编程计算了高能质子核反应截面、次级粒子能谱等数据,并与相关结果进行了对比分析。     

用中子飞行时间分析氢同位素深度分布

论述了一种注入或者吸附在材料中的氚和氘的深度分布的测量方法.样品为氚(钛)靶和氘(钛)靶.用2MeV入射质子束,T(p,n)反应研究氚的深度分布;用1MeV入射氘束,D(d,n)反应研究氘的深度分布.用标准的飞行时间方法测量中子能谱。由中子能量确定起反应的质子或氘核的能量。进而得出氚或者氘在钛层中的深度分布.本方法的灵敏度可达0.1at.％.对氚(钛)靶,当靶厚为5mg/cm~2时,深度分辩好于0.5mg/cm~2.     

~(56)Fe+p散裂核反应中的正电子放射核产生

利用现有GSI-FRS实验测量的300、500、750、1000和1500 MeV/u 56Fe+p散裂反应产物的结果,分析了正电子放射核在散裂反应中产额随入射能量的变化关系.对正电子放射核的半衰期按照时间量级分类统计表明,半衰期在分钟以上的正电子放射核的总截面的总截面随系统能量在50~70mb之间,所有产生的正电子放射核的截面随反应系统能量变化较小,保持在103mb附近.对一些正电子放射核的截面分析表明它们随入射能量指数变化.这对于当前质子和重离子治疗中利用正电子放射核进行实时正电子监测成像研究具有意义.     

核Drell—Yan过程中的能量损失效应

核Drell-Yan过程中的能量损失效应是不同于束缚核子部分子分布函数核效应的另外一种核效应。用G．T．Garvey和T．C．Peng提出的处理能量损失的方法分别计算了入射质子束能量E_(beam)为120 GeV,50 GeV的(p W)/(p D)的Drell-Yan微分截面比,对核Drell-Yan过程中的能量损失值与入射夸克在A核中的平均路径长度〈L〉_A的关系进行了讨论,提出用低能量的质子束、对核子数A为不同值的多种核子进行实验来进一步研究能量损失效应的建议。     

飞秒激光与双层靶相互作用靶背质子加速实验研究

研究了飞秒激光与10μm的Cu和5μm的C8H8构成的双层薄膜靶相互作用中在靶背法线方向质子的能量分布.采用CR39固体核径迹探测器和Thomson磁谱仪相结合测量质子能谱.实验结果表明:质子沿着靶背法线方向发射;随着质子能量的增加,质子数减少;质子在一定能量处出现截断,截止能是1179 keV.     

质子对碲锌镉辐照损伤的SRIM模拟

模拟计算质子对CdZnTe的辐照损伤. 先计算质子在CdZnTe中的电离损伤和位移损伤, 再计算不同能量和入射角的质子辐照CdZnTe产生的空位数, 最后计算不同能量和入射角的质子辐照不同厚度CdZnTe靶的溅射产额. 结果表明: 电离损伤远大于位移损伤; CdZnTe内因质子辐照产生的空位数随质子能量的增大而增加, 当质子入射角大于60°时, 产生的空位数明显减少; CdZnTe低于半导体硅和金刚石的抗辐照性能; 溅射产额与空位数相差较大, 溅射产额随质子能量的增大先增大后减小, 随质子入射角的增大而增大, 随CdZnTe靶厚度的增大整体趋于增大.     

核Drell-Yan比值与入射强子的能量转移

一般的ＥＭＣ 模型都高估了核ＤｒｅｌｌＹａｎ 比值,部分子演化模型也存在此问题．针对这种情况,考虑到核ＤｒｅｌｌＹａｎ 过程中入射强子的能量转移,并结合部分子演化模型,重新预见核ＤｒｅｌｌＹａｎ 比值,效果明显改变．     

氢分子离子和质子在碳膜中的能量损失测量

利用高分辨原子碰撞装置,直接测量氢分子离子和质子束流的人射能量、通过碳膜之后的透射能量分布和库仑爆作碎片的能谱。由此确定透射H_2~+及其库仑爆作碎片的能量损失△E_p和△E_M和H~+的能量损失△E_A。质于的能损率测量结果与前人推算结果一致。而H_2~+的质子碎片能损率为H~+的两倍以上.结果表明,在相同核子速度和靶厚度下,△E_r最小,△E_M为△E_A的2—3倍。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

高能夸克在核环境中的能量损失

利用夸克能量损失公式和从轻子-原子核深度非弹性散射实验数据得到的束缚核子中的部分子分布函数,计算了FNAL E866 800 GeV的质子打击不同原子核的Drell-Yan过程截面比,发现考虑能量损失的计算结果与FNAL E866实验数据符合甚好.建议在利用核Drell-Yan过程实验数据抽取束缚核子内部分子分布函数时考虑能量损失效应.     

球形电磁波集中器内的光线跟踪研究

利用几何光学理论,引入了光线在超介质材料中的哈密顿量,通过求解光线运动方程,获得了光线在三维球形电磁波集中器内的传输轨迹,比较直观地解释了光线在超介质材料,尤其是负折射率材料中的传播过程.计算表明,只有在器件实际尺寸范围内的入射光线会受到影响.当包裹层内介电常数和磁导率为正时,只有在转换区域范围以内的入射光线进入被包裹核内;当包裹层为负折射率材料时,在器件实际尺寸范围内的入射光线都会进入被包裹核,并且随着压缩率的增加,核内的光线逐渐向中心轴线处靠近,实际光线占据的区域向中心轴缩小,核内其他区域由入射波的激发光线占据,并且在器件内部形成循环回路,此部分光线对器件外的光线传输无影响.给出了光线在超介质材料器件中传播轨迹的定量结果,对理解超介质材料中的电磁波传播行为有重要的参考意义.     

1MAS NMR spectra of kao linite/formamide intercalation compound

The high spinning speed 1H magic angle spinning nuclear magnetic resonance (1H MAS NMR) technique was employed to distinguish the two groups of surface hydroxyls of kaolinite and investigate the intercalation mechanism of kaolinite/formamide compound. The proton chemical shifts of the inner hydroxyl and inner surface hydroxyl of kaolinte are in the range of δ-1.3-0.9 and δ 2.4-3.0 respectively. After formamide intercalation three proton peaks were detected. The proton peak of the inner surface hydroxyls of the intercalation compound shifts to high-field with δ 2.3-2.7, which is assigned to the formation of the hydrogen bond between the inner surface hydroxyl and formamide carbonyl group. Whereas, the proton peak of the inner hydroxyl shifts to δ-0.3 toward low-field, that is attributed to van der Waal's effect between the inner hydroxyl proton and the amino group proton of the formamide which may be keyed into the ditrigonal hole of the kaolinite. The third peak, additional proton peak, is in the range of δ5.4-5.6, that is ascribed to the hydrogen bond formation between the amino group proton of formimide and SiO4 tetrahedral oxygen of the kaolinite.     

中高温质子导体的结构及性能研究进展

中高温钙钛矿型质子导体具有较好的性能与应用前景.介绍了钙钛矿型质子导体的结构、性质和导电机理,概述了目前研究较多的几类质子导体,比较了各类质子导体的化学稳定性、强度及导电性能,叙述了质子导体的各种制备方法及表征手段,分析了不同组成对钙钛矿型氧化物质子导电性及稳定性的影响,说明提高材料性能的方法.阐述了国内外关于质子导体的最新研究成果,指出目前研究的重点为改进传统质子导体,开发新型质子导体,改进质子导体的制备工艺,以拓宽材料的工作温度,提高材料化学稳定性及电导率.