强磁场下中子星外壳层的电子俘获

 以核素⁵⁶Co和⁵⁹Fe为例,讨论了强磁场中子星外壳层电子俘获.结果表明,绝大部分中子星表面的磁场范围10⁴~10⁹T,磁场对电子俘获率的影响很小.对于一些磁场范围为10⁹~10¹⁴T的超磁星,磁场可使电子俘获率大大降低,甚至可以降低3个量级.     

Au离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了Au33+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10)-1nln'l'(n=4~6,n'=4~15)的双电子复合(DR)过程。分析考虑了双激发态j=4d94f15p级联辐射退激到末态f=4d94fn'l'(n'=9,12.l'=0,2),可知DAC效应对DR速率系数有不可忽略的影响。研究分析了4d电子激发到不同壳层的DR速率系数以及在综合了分析得到对Au33+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数。     

强磁场下中子星外壳层的Gamow-Teller跃迁电子俘获

以核素^55Co和^54Mn为例．讨论了强磁场下的中子星外壳层Gamow—Teller跃迁（G-T）电子俘获率．结果表明,对于大部分中子星,表面磁场（10^4～10^9T）对Cr-T跃迁电子俘获率的影响很小,对于超磁中子星．表面磁场（10^9～10^13T）使GT跃迁电子俘获率降低大约2—3个数量级．     

双原子分子的一个势能函数

一、引言双原子分子的振动光谱带可以很准确的用下式表示 T=w_(v+1/2)-w_x_e(v+1/2)~2+W_ey_e(v+1/2)~3十…(1)式中的W,x_e都是正数,而y。则或是正数或是负数(只有个别分子的x_是负数)。自双原子分子的红外光谱的实验数据可以描绘出它的势能曲线。这势能曲线具有这些特性:(1)核间距γ趋于∞时,势能趋于有限数值;(2)r趋于零时,势能趋于∞;(3)     

MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.     

双电子体系(H_2O)_(12)~(2-)的结构及额外电子定位研究

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-UBS)方法研究了水分子团簇(H_2O)_(12)~(2-)双电子体系的结构、稳定性及电场诱导下的额外电子定位。计算显示(H_2O)_(12)~(2-)的两种结构(1和2)都以单态为稳定态,其中2是独特的开壳型单态双自由基,其两个自由基电子(HOMO(α)和(β))分居于分子的两端。在外电场(0.0033≤Fz≤0.0256 au)的诱导下,一端的自由基电子可以迁移到另一电子一端而不明显改变体系的单态双自由基特征。     

邻香兰素与乙二胺双希夫碱的晶体结构

邻香兰素与乙二胺双希夫碱的晶体属单斜晶系,空间群Pc,a=9.418(2)×10~(-1)nm,b=6.278(1)×10~(-1)nm,c=14.495(4)×10~(-1)nm,β=93.35(2)°,V=856(0)×(10~(-1)nm)~2,Z=2。最后的一致性因子R=0.063,R_w=0.061。     

类氢硅离子双电子复合的理论研究

基于准相对论多组态Hartree Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算结果表明:在研究的电子温度范围内,复合通道为2pnp→2pn′l′的复合占优势,在电子温度Te=0 07keV时,总复合系数达到共振峰αDR=1 41×10-11cm3·s-1.     

中子星壳层中强磁场与β衰变

 基于原子核壳层模型,分析了在强磁场作用下中子星壳层中的β衰变率,并以反应⁶³Co(β^-)⁶³Ni为例作详细计算.结果表明:弱磁场对中子星壳层中的β衰变几乎没有影响,强磁场(B>10⁸T)使β衰变率显著增大;同时在相同的磁场强度下,基态的β衰变比激发态的β衰变所受影响更大.这些结论对进一步研究中子星晚期演化和双中子星系统快中子俘获过程的核合成是有意义的.     

强磁场对Cu-20%Fe合金沉积处理的影响

研究了强磁场对Cu-20%Fe(质量分数)合金沉积处理时微观组织和基体固溶度的影响.结果表明:随沉积处理时施加强磁场磁感应强度的增加,Cu-Fe合金的Fe枝晶球化略有增加,且分布更均匀;对Cu基体的高倍SEM分析发现,随磁感应强度增加,基体中析出的Fe原子增加,表明强磁场可以促进过饱和Cu基体中Fe原子的析出;对不同强磁场下Cu-20%Fe合金沉积处理后的样品中基体固溶度的EDS分析表明,在10T强磁场下500℃沉积处理时基体的固溶度最低,这是由于强磁场降低扩散原子激活能,促进Fe原子的析出,与沉积温度引起的Fe原子扩散溶解共同作用的结果.     

在均匀强磁场中氢原子能级的计算

根据简并态微扰理论导出了在均匀强磁场中氢原子能级计算公式.该公式表明,只需给出量子数,可用简单的代数方法计算出相应的氢原子能级.本文应用该公式计算了在强磁场中(10≤B≤104T)氢原子n=4激发态的能级,并给出n=4的能级图.计算结果表明在强磁场中,氢原子的库仑场的对称性遭到破坏,n=4的能级简并几乎被全部解除.     

乙二醇双硬脂酸酯双磺酸钠的合成及结构表征

运用两步法与正交试验法得出乙二醇双硬脂酸酯双磺酸钠合成的优化反应条件.磺化的工艺条件:n(硬脂酸):n(氯磺酸)=1:1.1,磺化温度90℃,时间7h;酯化反应较佳的工艺条件为:n(中间体):n(乙二醇)=2.5:1.0,酯化温度130℃,时间10h.中间体α-磺酸硬脂酸和目标产物乙二醇双硬脂酸酯双磺酸钠,均由红外光谱印证结构.     

外磁场作用下双粒子体系的能级研究①

通过精确求解和微扰理论的方法给出了外磁场作用下双粒子体系的能级分布,研究结果表明在弱磁场条件下,总自旋S为守恒量,s_1和s_2则不守恒;在强磁场条件下,s_(1z),s_(2z),S_z均为守恒量;在一般情况下,仅S_z为守恒量,s_(1z),s_(2z)及S~2均不守恒,S_z相同而S不同的状态有可能发生耦合而形成能量本征态;在强磁场极限和弱磁场(以至无磁场)极限,均出现能级对S_z的简并。     

~(201)Pb经电子俘获衰变的反冲子体~(201)Tl氧化态的研究

描述了母体~(201)Pb原子在不同介质和化学环境,经电子俘获衰变后生成的反冲子体~(201)T1原子的化学价态。结果表明,~(201)Pb在所选择的化学环境中衰变生成的子体~(201)T1主要以~(201)T1~+态存在。     

W~(40+)离子双电子复合速率系数的理论研究

利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细研究了类硒W40+离子从基组态3s23p63d104s24p4俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s24p4)-1 nln′l′(n=4~6,n′=4~100)的双电子复合(DR)过程.通过对不同壳层电子激发的DR速率系数的比较,得到了主要的电子激发DR通道,并且发现由4p电子激发的DR速率系数对总DR速率系数有重要贡献.在1~5×104 eV温度范围内,计算得到了n′=4~16的DR速率系数,并外推到n′=100,进而得到总DR速率系数.给出了Δn=0,1,2三类芯激发对总DR速率系数的贡献,发现对总DR速率系数的主要贡献来自于Δn=0,1的芯激发.对总DR速率系数和辐射复合(RR)以及三体复合(TBR)速率系数进行了比较,发现DR速率系数在研究的温度范围内远大于TBR和RR速率系数.为了方便应用,对总DR速率系数进行了参数拟合.     

工频磁场对离体细胞胞浆钙离子浓度的影响

研究了50 Hz工频均匀强磁场(0.097 T)对人低分化胃腺癌细胞株-SNU细胞和人淋巴细胞胞浆钙离子浓度的影响.将体外培养的SNU细胞和人淋巴细胞,施加50 Hz工频均匀强磁场(0.097 T),处理不同时间后,应用共聚焦显微镜检测胞浆内钙离子浓度.实验表明,给予工频均匀强磁场处理后,SNU细胞和人淋巴细胞胞浆内钙离子浓度均升高.     

双二茂铁甲基丙基甲烷的晶体和分子结构

双二茂铁甲基丙基甲烷[(C_5H_5FeC_5H_4)_2C(CH_3)C_3H_7]为紫红色棱柱状晶体,熔点104.5～105.5℃,属单斜晶系P~2 1/n空间群。晶胞参数为:a=6.937(8),b=10.867(2),c=19.546(10)(?),β=100.52(6)°;V=2012.7(?)~3;Z=4;D_c=1.459g/cm~3。在CAD4-四园衍射仪上,用MoKa射线收集数据;在PDP—11/34电子计算机上,用MULTAN-78直接法程序求解晶体结构。最后偏离因子R=0.036,R_w=0.052。对分子的几何结构及其在晶体中的排列情况作了讨论。     

ECE不可逆电极过程中热力学和动力学参数的测定-均相催化作用的应用

双葱酮的电化学还原是一个ECE过程.本文通过均相氧化还原催化作用研究此体系,以醌类作催化剂.测定了在DMF溶剂中氧化还原对A/A~7的标准电位E_(AA~7)~O=-1.166伏(相对于饱和甘汞电极),电子转移的速度常数k_(S,AA~7)~O=4.1×10~(-2)厘米·秒~(-1),构型转变速度常数k_(AD)~-=1.8×10~6秒~(-1),确定了电子转移过程A e→A~7是双葸酮还原反应的速度控制步骤.还测定了溶液电子交换反应的标准速度常数logk_s~(sol)=7.04,并确定了在均相催化反应中,歧化机理是主要的.     

双二茂铁甲基丙基甲烷的晶体和分子结构

双二茂铁甲基丙基甲烷[(C_5H_5FeC_5H_4)_2C(CH_3)C_3H_7]为紫红色棱柱状晶体,熔点104.5～105.5℃,属单斜晶系P~21/n空间群。晶胞参数为:a=6.937(8),b=10.867(2),c=19.546(10)(?),β=100.52(6)°;V=2012.7(?)~3;Z=4;D_c=1.459g/cm~3。在CAD4-四园衍射仪上,用MoKa射线收集数据;在PDP—11/34电子计算机上,用MULTAN-78直接法程序求解晶体结构。最后偏离因子R=0.036,R_w=0.052。对分子的几何结构及其在晶体中的排列情况作了讨论。     

类氖氙离子基态的双电子复合过程研究

使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01EI≤kTe≤10EI(EI=3332eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态,对总DR速率系数的贡献略大于90％,其中最主要的贡献来自(2s2p)73l3l′,(2s2p)73l4l′组态,占总速率系数的70％以上。对于通过(2s2p)73ln′l′类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复合过程,l′>8的贡献可以忽略,n′>12的贡献满足n′-3组态-组态外推法则。