LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。     

ZnO纳米线阵列的生长机制

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0．3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．     

环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.     

RTA工艺对HfO_2/Si界面电学特性的影响

为进一步优化HfO_2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO_2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO_2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO_2/Si结构MOS器件的电学特性。     

高性能Pd栅氢敏MOS管的研制

采用Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si复合栅MIS结构,通过对设计及关键工艺的改进,研制了灵敏度高(120℃,1000ppmH_2中,阈值电压的改变可达520mV),响应、恢复时间短(120℃,1000ppmH_2,响应、恢复时间分别为10秒和25秒)的Pd栅氢敏管。比较了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构和Pd/SiO_2/Si结构对恢复时间的影响,解释了Pd/Si_3N_4/SiO_2/Si结构可有效缩短恢复时间的原因。     

脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究

利用脉冲激光沉积技术在高电导P-Si和绝缘体Si O2上沉积了Mg O非晶薄膜,并对Si O2上的Mg O薄膜进行了透过率及XRD表征。构造了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管结构P-Si/Mg O/Ag,测量了其C-F曲线,计算得到K-ω曲线,通过拟合计算得到Mg O的介电常数和等效厚度,与Si O2的等效厚度进行对比发现,非晶Mg O作为高K值绝缘栅介质材料优于Si O2。     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

压力对金属化合物Mg_2Si光学性能影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg_2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0～40GPa高压作用下Mg_2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg_2Si的电子结构并改变其光学性能。     

二维α In2Se3的物理性质及其应用

二维（2D）材料是一类具有原子级别厚度的层状材料,其物理性质包括了绝缘、超导、金属、光电、压电、铁电和磁性等.α In2Se3是一种特殊的2D材料,因其面内 面外耦合室温铁电性的发现掀起了科研人员对它的新一轮研究热潮.α In2Se3作为铁电体本身具有压电性和铁电性,另外,α In2Se3还具有良好的光电响应,故2D α In2Se3在微型压电马达、非易失性铁电存储器、光电探测器等领域有丰富的应用价值.该文首先回顾了2D α In2Se3材料物理性质研究的相关背景,并针对α In2Se3在技术应用上较为重要的光电性、压电性以及铁电性做了详细介绍,最后总结了2D α In2Se3的研究和应用进展.     

γ-Y2Si2O7陶瓷材料介电性能研究

以溶胶-凝胶法制备的纳米SiO2颗粒和微米Y2O3为原料,在高能行星磨上球磨混合粉末(摩尔比2:1),冷压成型后烧结,制备出纯相γ-Y2Si2O7.借助X射线衍射、扫描电镜、能谱等方法研究了该材料的低温烧结行为.结果表明,该材料能够在1350℃下低温烧结出纯相γ-Y2Si2O7.用谐振腔法在X波段测试了γ-Y2Si2O7的介电性能.结果表明,该材料具有良好、稳定的介电性能.     

杂交水稻不育系V_(20)居间分生组织无丝分裂的研究

本文对杂交水稻不育系V_(20)。居间分生组织的细胞分裂进行了活体切片和石蜡切片观察。通过观察发现不育系V_(20)居间分生组织在拔节抽穗时节问的伸长是以无丝分裂的方式进行细胞增殖的。在同一节间基部的分生组织中可看到其无丝分裂有直裂分裂(横缢),出芽繁殖和类似碎裂的核分裂三种类型。分裂的部位主要在穗节下的第1—2节,分裂的细胞多集中在居问分生组织区的表皮下6—11层薄壁细胞和各个维管束之间的薄壁细胞,旗叶的分生细胞多集中在叶鞘基部,对这种无丝分裂的细胞形态结构特点,分裂时期、部位和如何克服不育系包颈现象(又称包胎)提高制种产量进行了初步的分析和讨论。     

滴定法快速测定工业废料中SiO_2、Fe_2O_3、Al_2O_3、CaO、MgO含量的方法

本文针对用氢氧化钠和银坩埚处理试样制备试样溶液的方法进而用滴定法测定Si O2、Fe2O3、Al2O3、Ca O、Mg O的研究。通过对钢渣、尾矿试样的测定,总结出测定常见工业废料中Si O2、Fe2O3、Al2O3、Ca O、Mg O含量的普适方法。该方法具有准确度高、易操作、设备简单等优点。通过实验原理、步骤和结果的探讨,为实验室测定Si O2、Fe2O3、Al2O3、Ca O、Mg O提供了一个快速、方便、易于推广的方法。     

喷丸强化对不同组织状态60Si2Mn钢多冲疲劳抗力的影响

将60Si2Mn弹簧钢经不同奥氏体化温度淬火后低温回火,对喷丸强化后的残余奥氏体进行了测定,对多冲疲劳抗力指标进行了喷丸前后的对比,提出了60Si2Mn钢经1000℃加热淬火+250℃回火+喷丸处理后的试样,其多冲疲劳寿命与不喷丸相比可提高约3倍.冲击断口的扫描电镜观察表明,片状马氏体和板条马氏体混合组织的断口属韧窝型,具有较多的撕裂棱,说明60Si2Mn钢具有较好的塑性,这与微观断裂机制密切相关.     

[Si, N, C, O]2+异构体结构与振动频率

采用密度泛函和耦合簇方法对最稳定的2种[Si,N,C,O12+异构体结构与振动频率进行了计算研究,并预示了它们的成键情况.优化得到了这2种异构体之间转化的过渡态,内禀反应坐标计算证明这2种异构体通过过渡态的异构化过程是一个直接的Si转移反应.异构体的热力学稳定性和异构化势垒证明在相关的质谱实验中产生的应该是线型异构体SiNCO2+.     

60Si2MnRE钢中夹杂物、微观组织和本质晶粒度的研究

采用金相和探针等实验方法，研究了60Si2Mn钢和添加稀土后的60Si2MnRE钢的夹杂物、微观组织和本质晶粒度，发现稀土加入钢中不仅能脱硫，而且能显著改变硫化物夹杂的形态与分布，从而有利于提高钢的韧性。     

由Si_2W_(18)多酸构筑的过渡金属铜-有机配合物的合成及晶体结构

利用水热技术合成了以Si2W18型杂多硅钨酸盐为基本建筑单元、过渡金属铜化合物修饰的新型多金属氧酸盐,通过元素分析和TG分析,确定其化学式为:[{CuⅠ(imi)2(H2O)Cu0.5Ⅱ(imi)2}{CuⅠ(imi)2}{Cu0.5Ⅱ(imi)2}(H2Si2W18O62)]·4H2O(1),利用IR和X-射线单晶衍...     

CMAS组分对EB-PVD热障涂层微结构退化的影响

该文对典型Ca/Si原子比为0.33、0.73、1.78的CMAS (主要组分为CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2)腐蚀的氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)热障涂层(TBCs)的微观结构特征进行了详细的对比研究.研究发现:当Ca/Si原子比为0.33时,沿着整个被腐蚀的YSZ涂层会有ZrSiO_4形成,YSZ陶瓷层上部区域原始的"羽毛状"柱状晶转变成相互连接的颗粒状结构,陶瓷层中部和下部区域仍为柱状晶结构,在颗粒状晶粒间隙和柱状晶晶粒间隙都有CMAS渗入.当Ca/Si原子比增加到0.73时, YSZ上部柱状晶退化成晶粒,下部柱状晶"羽毛状"结构退化,柱状晶上有明显的腐蚀坑,整个YSZ晶粒之间充满了非晶态的CMAS,而且在YSZ的顶部有部分m-ZrO_2出现,在YSZ/Al_2O_3界面处还有硅酸锆(ZrSiO_4)、钙长石(CaAl_2Si_2O_8)和尖晶石(MgAl_2O_4)形成.当Ca/Si原子比增加到1.78时,柱状晶转变成等轴晶,非晶的CMAS和MgAl_2O_4填充在晶粒间隙,并伴随有t-ZrO_2到m-ZrO_2的相转变.结果表明,Ca/Si原子比含量高的CMAS对YSZ涂层具有更大的破坏性.     

几种稀土金属间化合物的配制及结构测定

用高频熔炼的方法配制了三个稀土金属间化合物即 (K ,M ,N) .采用X射线衍射法测定了它们的晶体结构 ,结果表明 :K(NdAl1 .75Si0 .2 5)属于立方晶系 ,点阵参数a =7.986× 10 - 1 0 m ;化合物M(NdAl2 Si2 )和N(NdAl1 .2 5Si0 .75)是六方晶系 ,其点阵参数分别为a =4.2 3× 10 - 1 0 m、c =6.71× 10 - 1 0 m ,N和a =4.2 76× 10 - 1 0 m、c =4.2 0 4× 10 - 1 0 m .     

饱食后的水螅经创伤及修复后体细胞有丝分裂频率的研究

分别将饱食后12h、24h、36h的水螅于胃腔中部横切：1)检查了下段横切面一定重量组织内有丝分裂处于中期的细胞数目;2)经12h、24h、36h修复后检查了上段一定重量愈合组织内有丝分裂处于中期的细胞数目．结果表明：1)水螅在饱食12h、24h、36h后,同一单位重量组织内有丝分裂处于中期的细胞数目以饱食24h时为最高;2)其创伤面经12h、24h、36h修复后,同一单位重量组织内有丝分裂处于中期的细胞数目以修复36h为最高;3)修复后愈合组织内有丝分裂处于中期的细胞数目均相应地高于横切后即时检查的数目．     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.