GaP:V~(3 )自旋允许谱的精细结构的研究

在GaP :V3 晶体中 ,对 3 A2  3 T1(F) ,3 A2  3 T1(P)以及3 A2  3 T2 (F) 3组自旋允许跃迁均已在实验中测得了它们的精细结构 .同时考虑静电、晶场和自旋 轨道耦合作用 ,计算了GaP :V3 的旋轨耦合分裂 ,理论计算与实验符合很好 .此外 ,还对这 3组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别 ,结果表明 ,3 A2 3 T1(P)跃迁的 3条 13874,13890和 13946cm-1分别对应E′ T′2 ,T1′ 和A′;3 A2  3 T1(F)跃迁的 3条锐线86 97,8711和 876 0cm-1分别对应A′ T′2 ,E′ 和T1′;而3 A2  3 T2 (F)跃迁的 3条锐线 6 382 ,6 397和6 399cm-1则分别对应T′2 ,T1′ 和E′.     

Al2O3：Ni^2＋晶体的自旋哈密顿参量和光谱精细结构

本文用完全对角化方法计算了Ａｌ２Ｏ３：Ｎｉ＾２＋的光谱精细结构的ＥＰＲ参量，得到了与实验相符合的结果。同时，本文首次考虑了自旋－自旋相互作用对Ｎｉ＾２＋离子的ＥＰＲ参量和光谱精细结构的影响。     

YAG:Fe2+自旋允许谱的研究

关于硅酸盐石榴石（YAG）中Fe^2＋离子的自旋允许谱始终存在着分歧.我们重新研究了这一课题,得出的谱带指定为7950cm^-1B3→A,5951cm^-1A→A,4400cm^-1B2→A,1332cm^-1 B1→A.计算结果与实验测得的谱带相符合,但其状态指定与前人均不相同.     

石榴子石中Fe(2+)自旋允许谱的理论研究

在晶场理论的基础上,用一种改进的方法进行了研究,得出的谱带指定为7950cm~(-1)B_3→A,5951cm~(-1)A→A,4400cm~(-1)B_2→A,1332cm~(-1)B_1→A。     

GaP:V3+自旋允许谱的精细结构的研究

在GaPV     

关于一价原子谱线精细结构能级修正项的表述与推证

本文依据相对论量子力学理论,对一价原子谱线精细结构能级修正项的某些表述提出不同的看法。另外,着重指出目前通行的对自旋—轨道耦合能的传统推导在概念和逻辑上存在的原则性错误。最后,提出一个新的基本公式,解决了半经典推导过程所发生的困难问题。     

在Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合相互作用下二端双通道中的局域自旋极化研究

研究二端双通道结构中同时存在Rashba和Dresselhaus两种自旋轨道耦合相互作用情况下的电子局域自旋极化.本结构中所产生的局域自旋极化是由量子干涉效应和自旋轨道耦合共同导致的,因此可以通过调节结构参数和门电压的大小来改变局域自旋极化的大小.在适当选取某些参数的情况下.局域自旋极化可以达到0.33,可以用于自旋过滤器和信息储存器件.     

自洽平均值近似方法用于碱金属原子精细结构的研究

采用自洽平均值近似法和Hellmann-Fevnman(HF)定理求解定态含电子自旋轨道耦合项碱金属原子的本征能量,并将自洽平均值近似法推广到含1/r2微扰项的碱金属原子模型。由于电子自旋轨道耦合,原子的每一简并能级发生劈裂。     

自旋轨道耦合串联双量子点系统的电流有限频率噪声谱

文章基于粒子数分辨的量子主方程,研究了串联耦合双量子点中,自旋轨道耦合依赖的电流有限频率噪声谱.研究发现,在电流有限频率噪声谱上,其峰、谷的存在起源于串联耦合双量子点的量子相干性,而峰、谷的位置取决于其约化密度矩阵非对角元相应的能量本征值之差.其中,谷对应于非对角元相应的能量本征值之差简并度为2的情形,而峰则对应于简并...     

正交电场作用型自旋场效应管的自旋极化控制

研究了电场调控型自旋场效应管的量子输运过程.该场效应管主要由双正交电场和Rashba自旋轨道耦合共同调制.运用散射矩阵方法并结合介观体系的相关输运理论,揭示了自旋场效应管在各参数调控下的自旋量子输运过程,其自旋输运规律可由相关理论给予解释.数值计算表明,与平行电场相比,对于自旋轨道耦合型自旋场效应管的量子输运,垂直电场的调制能够导致更加明显的自旋翻转.     

自旋轨道耦合因子对多重态能级次序的影响

利用微扰方法计算出两个价电子自旋轨道相互作用的能级精细结构，对给定电子组态，经过LS耦合所形成的多重态能级的讨论，得出能级次序由耦合因子A(LS)决定，并对He原子Is^2p态能级次序作说明．     

MgO：Fe^3＋晶体四角占位的局域畸变

建立了ＭｇＯ：Ｆｅ３＋晶体中的四角对称由荷补偿占位的局域结构与零场分裂参量的关系，从而从电子顺磁共振实验数据导出了结构信息．     

ZnWo4：Cr^3＋的吸收光谱研究

本文通过对ZnWo4:Cr^3 晶体的光学吸收谱的观测资料^[1]的分析，假定Cr^3 杂质的有效晶场的八面体结构的变形后的D4晶场。采用Oh点群表象准对角型简化强场方案，导出了d^3-D4强场能量矩阵。首次计算了ZnWo4:Cr^3 的自旋允许谱精细结构。理论计算结果与实验吻合较好。     

KMgF3：Mn^2＋晶体自旋晶格—耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下，建立了轴对称（三角和四角）晶场中3d^5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式，进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44，并将上述公式应用于KMgF3：Mn^2 晶体，在不引入调节参量的情况下，得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好。     

强调制的自旋透射结构研究

由于在低维纳米尺度的体系中,自旋在一些性能上比电荷更优越,例如低能耗,退相干时间长等,由此利用自旋自由度来设计电子器件成为当前研究热点之一.其中许多工作集中到利用外电场经由Rashba自旋轨道耦合来控制半导体装置中的电流调制上.     

自旋轨道耦合系统中的电流导致的自旋极化

研究了二维Rashba自旋轨道耦合电子系统中的电流导致的自旋极化。对于δ函数形式的短程电子杂质散射,得出了和文献一致的结果。在远处杂质散射下,自旋极化将会强烈地依赖于电子密度,这个结果完全不同于短程势散射的情况。并且随着杂质距离的变大,自旋极化增强。在这种散射势的情况下,不再能够通过测量纵向电导和磁化强度的方法来确定样品的 Rashba 自旋轨道耦合系数。     

介观环中有Dresselhause自旋-轨道耦合效应的持续自旋流

在介观半导体环中,自旋-轨道耦合的存在直接影响持续自旋流的流动.作为自旋分裂的结果,持续自旋流并不与电荷流成一定的比例.我们研究有Dresselhaus自旋-轨道相互作用存在的介观半导体环中持续自旋流的性质.     

CH3I分子的光吸收谱的多参考组态计算

采用完全活化空间多组态自洽场方法优化了CH3I分子基态的几何结构,根据二阶自旋-轨道多参考组态相互作用理论计算了CH3I分子的势能曲线,并计算了该分子较低几个激发态的垂直激发能、CH3I分子的吸收谱.讨论了温度对吸收谱的影响,并估计了激发态碘原子I#(2P1/2)的量子产额,结果表明实验测量值与理论计算值吻合得很好.     

C-F键核自旋耦合常数的理论研究

本文利用自然杂化轨道以从头算级别的理论方法，选择较小基组STO-3G，在此水平上对28个分子进行构型优化，频率分析，并在相同水平上研究了这些分子的C-F键核自旋耦合常数，由此拟合出一个基于STO-3G基组水平上的计算核自旋耦合常数的公式，并选用4种化合物进行检验，理论计算值较好地与文献值相符合。因此可采用此公式对其它分子体系的核自旋耦合常数进行预测，该方法有一定可操作性和可信度，对NMR的量子化学研究有一定参考意义。