反应溅射生长的 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格结构的 TEM 观察

自1983年 Tiedje 和 Abeles 等人报导了非晶态半导体超晶格以来,非晶态半导体超晶格以它特殊的性质和潜在的应用前景(如太阳能电池,TFT 等)越来越引起人们的注意。由于非晶态长程无序,因而非晶态超晶格不像晶态超晶格那样在界面处要求严格的晶格匹配。人们已经用辉光放电法生长了 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格(?)~2,但是这种方法     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

溅射法制备a-Si:H/a—SiY:H超晶格的量子尺寸效应

本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。     

半导体超晶格及其应用

半导体超晶格是凝聚态物理的前沿领域之一.对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来做了简单的回顾与展望,并介绍了它的若干应用.     

饱和非线性超晶格中带隙孤子的特性研究

利用光谱重构法求解了聚焦饱和非线性超晶格半无穷带隙中的基模孤子,并研究了饱和程度和超晶格势场的相对强度对孤子的功率、稳定性的影响。研究结果表明：对于给定相对强度的超晶格势场,当饱和程度较低时,孤子在高功率区域不稳定,并且孤子的稳定范围随着饱和程度的增大而变宽;当饱和程度较高时,孤子功率随传播常数增大快速增大,但孤子是稳定的。此外,对于给定的低饱和程度,孤子的稳定范围随着超晶格中低频格子相对强度的增大而变宽。     

Si—nipi超晶格亚带结构的研究

本文采用各项异性有效质量近似,加入局域密度泛函近似下的交换关联项,自治地计算了Si—nipi在室温时亚带结构随自由载流子浓度的变化规律.结果表明,超晶格的有效带隙随自由载流子浓度的增加而变宽.这个结论与绝对零度时是一致的.     

a-Si:H/a-Si_(1-X)C_X:H 超晶格的光学性质

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si_(1-x)C_x∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测(?)发现:(Si—C)键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.     

用溅射法和辉光放电法制出a-Si:H/a-C:H和a-Si:H/a-SiC:H膜超晶格结构

非晶态半导体“超晶格”是近两年多来研制成功的,为寻求新的半导体材料和器件结构闯出了一个新的领域,因而受到了广泛重视,我们已制出了多种非晶态超晶格膜,对这些材料来说,在国内还是首次。     

a—Si：H/a—SiN_x：H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大.     

AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．     

InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应

建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明，ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应，通过人工控制其平面内晶格常数（可由选择不同的衬底来实现），可使其成为Ⅰ型，Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋－轨道分裂的耦合，而流体静压和界面电荷的作用则相对很小．本文对以ＧａＡｓ为衬底情况下的计算结果与Ｘ射线光发射实验数据相一致。     

掺杂超晶格电子结构的模型研究

本文利用两种极限下的模型近似,详细描述了沿(100)、(110)和(111)方向调制生长的Si—nipi掺杂超晶格中低亚带结构和费米能级的情况。给出了(?)(-(?))》(?)和(?)(-(?))《(?)的假设(?).这类材料的电子和空穴亚带能量随掺杂浓度、掺杂层厚度及自由载流子浓度变化的普遍规律.并将两种模型下的结果进行了深入比较。     

导电性聚酰胺／聚苯胺共混物的研究

通过化学方法制备了导电聚苯胺包覆的共聚聚酰胺微粒（ＰＡ／ＰＡＮＩ－ＨＣｌ）,运用傅里叶变换红外（ＦＴＩＲ）光谱和紫外／可见（ＵＶ／Ｖｉｓ）光谱表征了其结构．电导率测试表明,ＰＡ／ＰＡＮＩ－ＨＣｌ的电导率服从逾渗规律,逾渗阈值为１７％．由于共聚聚酰胺（ＰＡ）的熔点低,ＰＡ／ＰＡＮＩ－ＨＣｌ在１３０℃时有良好的热塑性,可制成导电性共混高分子材料,但热处理却使电导率下降了１～２个数量级．对ＰＡ／ＰＡＮＩ－ＨＣｌ脱掺杂得到的ＰＡ／ＰＡＮＩＥＢ,在间甲酚中有良好的溶解性,而且当聚苯胺含量低于１０％时,能全部溶解于间甲酚．     

导电复合材料磺化聚苯乙炔/多壁碳纳米管研究

将磺化聚苯乙炔（SPPA）与多壁碳纳米管（MWNT）超声共混制备得到SPPA/MWNT复合材料,用四探针、X光电子能谱、紫外 可见 近红外光谱、X射线衍射和场发射扫描电镜等方法对复合材料进行研究.结果显示：MWNT与SPPA之间存在较强的相互作用;SPPA/MWNT 复合材料导电特性具有低临界阈值和电阻负温度系数（NTC）等现象.表明在复合材料中SPPA与MWNT相互作用发生电荷转移,使MWNT周围的SPPA具有较高的电导率,这种具有较高电导率的SPPA彼此之间可相互接触形成导电通路.     

混凝土电导率与应变关系的实验研究

采用直流电路法,对石墨混凝土试件在单次及反复荷载作用全过程中的导电及受力性能进行了测定·结果表明:用直流电路测量混凝土的电导率简单稳定;测出的电导率 应变关系和应力 应变关系具有明显的对应性,电导率变化与应力变化几乎同步,应力变化幅度较小时电导率变化幅度也较小,但电导率峰值出现在应力峰值附近,有53%出现在应力峰值之前,27%同时出现,20%在后;电导率 应变全过程曲线离散性较小,各曲线上升段的倾角范围在74 1°～86 6°之间·电导率的变化可以本征地反映混凝土的损伤·     

不同热处理条件下的Ag/Ni超晶格薄膜层状结构的X射线衍射研究

用Ｘ射线衍射法,对经不同条件热处理后的Ａｇ／Ｎｉ超晶格薄膜的结构进行研究．结果表明,未经热处理的超晶格膜显示良好的人工双元素层调制周期性,且存在［１１１］晶向垂直于膜面的织构．升温时的应变弛豫使超晶格膜的晶格沿垂直于膜面方向发生轻微收缩,直至达平衡态．热处理形成新晶粒,其取向不再严格有序,减弱了薄膜的［１１１］织构．加热所激发的原子长程扩散导致一些元素层厚度减小并趋于消失,而另外的元素层厚度增大,从而使人工调制周期性逐渐被破坏;原始态超晶格膜元素层的厚度越大,则周期结构的热稳定性相应也越高,这部分归因于原子扩散长度与元素层厚度成正比关系