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提出一种表面爬行波新概念,并运用此概念,研究介质覆盖导电曲表面上非镜面波的散射特性、覆盖介质的电磁参数和涂层厚度变化时覆盖介质对表面爬行波散射抑制作用的变化趋势。 相似文献
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有本征函数法推导了在平面波照射下有耗介质覆盖金属圆柱体的散射场表式,以及在小介质厚度、大电尺寸条件下表面阻抗近似表达式,分析了总场分布情况、总雷达散射载段和表面表面抗之间的关系。2 相似文献
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电磁混合介质覆盖对行波散射的抑制 总被引:3,自引:0,他引:3
该文应用极化电磁流的概念分析电磁混合介质覆盖体的散射,研究介质的电磁特性与行波散射之间的内在关系。计算表明薄层的有耗磁介质覆盖对行波散射有较好的抑制作用。 相似文献
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该文用渐近解析方法求解四层平面介质光波导问题,它将特征方程以一个小参量的级数展开,从而得到传播常数的一阶至三阶近似解.这一方法本身可达任意精度,然而数值结果表明:简单的二阶近似解的精度对晶体型光纤偏振器消光比的计算已经足够了. 相似文献
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基于极坐标系下稳态不可压缩黏性流动的Navier-Stokes(N-S)方程,建立了完全四阶精度紧致差分格式,并对圆柱绕流问题进行了数值模拟分析.研究结果表明,该数值格式能够清楚地模拟出圆柱绕流流场特征,可以看到有2个对称且方向相反的旋涡在圆柱形桥墩后方形成. 相似文献
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把Sinclair关于理想导体目标的经典电磁相似理论推广到目标包含有耗材料的电磁系统,建立了有耗目标严格的电磁相似理论.文中以涂覆吸波材料的矩形导电平板为例,研究了缩比模型中的有耗吸波材料在不满足物理相似条件时目标雷达截面RCS的缩比关系. 相似文献
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本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同长度、结深及掺杂的轻掺杂漏区的LDD MOSFET表面横向电场,并可计算常规MOSFET和缓交漏MOSFET的表面横向电场.用该模型算得结果与用FD-MINIMOS进行数值计算得到的结果相符.基于该模型算得的电场结果,可计算衬底电流,并进而计算击穿电压.该模型可十分简便地确定LDDMOSFET的最佳几何参数的掺杂参数,为LDD MOSFET的设计提供便利的工具和快速的参数提取方法. 相似文献
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损耗媒质中的复射线场 总被引:3,自引:0,他引:3
将损耗媒质中的复射线场视为波动方程的一个高频渐近解,详细讨论了这种场的属性,并耗情形作了对比.结果表明,损耗媒质中的复射线场仍能有效地表示高斯波束,在无耗情形下与无发展的复射线处理方法可以推广到损耗媒质情况,用该方法计算了具有吸波材料涂层的金属平板的雷达截面(RCS),理论计算与实验结果吻合很好,表明复射线理论的这一推广是可行的. 相似文献
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本文研究了入射电磁波从半空间通过小孔耦合入有耗导电空腔内的问题.分析了谐振条件和可能的简并情况.讨论了腔内最大可能谐振场的计算方法和降低措施.给出了计算实例. 相似文献
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WIENER-HOPF法求解平面周期开槽结构的表面阻抗 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对平面周期开槽结构上电磁波的传播特性作了分析,指出这类问题常要简化成第三类边值问题,其关键是确定表面阻抗.当开槽结构周期不太大和槽壁很薄时,可以参照平面波反射定义等效表面阻抗,从而可以近似按照均匀阻抗条件来处理周期开槽结构问题.本文采用的数学方法是将周期开槽结构表面上电场法向分量展成Fourier积分,根据边界条件建立函数方程.用Wiener-Hopf法求得了二次场和反射系数,从而求得表面阻抗. 相似文献
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涂层碳纤维的抗拉强度与断裂特性 总被引:3,自引:0,他引:3
利用化学气相沉积法在碳纤维表面获得SiC、C+SiC、Si、C-Si梯度等涂层的基础上,研究了涂层对碳纤维强度的影响,分析了涂层及碳纤维原丝的相结构,观察了涂层碳纤维的拉伸断口形貌,并进一步探索了涂层碳纤维的断裂过程与断裂方式,实验结果表明:不同涂层碳纤维的强度各异,且其断口形貌与断裂方式也不尽相同. 相似文献
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采用商用计算流体动力学软件,对汽轮机低压缸末二级流场进行了全三维粘性数值模拟.计算结果表明,动静叶间的级间配合不尽合理,且末级根部反动度偏大,引起了较大的激波损失.通过优化设计最终使得二级总效率提高了0.3%. 相似文献