CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

MoSi2与B4C反应合成复合材料的显微结构及力学性能研究

研究了在热压过程中ＭｏＳｉ与Ｂ４Ｃ反应合成的硅化物与硼化物复合 显微结构及力学性能。结果表明,得到的复合材料以ＭｏＳｉ２,Ｍｏ２Ｂ５为主要组成相。复合材料的力学性能较纯ＭｏＳｉ２有较大改进。当Ｂ４Ｃ添加量ｗ＝１０％时,σｂ及ＫＩＣ均达到最大值,分别为３８０ＭＰａ和３．９ＭＰａ．ｍ＾１／２复合材料的硬度值则随添加量增加而增加。     

TiSiW12O40／TiO2的合成,表征及催化活性

本文报道了非均相固载型杂多酸盐催化剂ＴｉＳｉＷ１２Ｏ４０／ＴｉＯ２的制备方法，并用ＩＲ、ＸＲＤ谱对该催化剂进行了表征，研究了该催化剂的催化活性，实验表明，在以苯为带水剂时，催化剂的用量为反应的液的０．５％，醇酸摩尔比为１．２０：１，酯化反应时间为２ｈ，乙酸正丁酯的收率达７６．８％，超过硫酸、磷钨酸催化水平。     

高抗裂性高强度纯镍铸铁焊条的研究

本文主要研究了Ｃ、Ｙ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｒｅ－Ｍｇ、Ｓｉ－Ｃａ对纯镍铸铁焊条冷焊时焊缝抗热型性的影响规律及其机理．在最大限度提高焊缝金属抗裂性，保持或改善接头加工性能的前提下，探讨了石墨球化剂Ｒｅ－Ｍｇ和细化晶位元素Ｔｉ对焊缝金属机械性能的影响．得到了抗裂性优良、加工性良好，机械性能较高的纯镍铸铁焊条．     

硫酸中Ti／RuO2阳极性能研究

本文用ＳＥＭ观察了Ｔｉ／ＲｕＯ２电极的表现形貌，考察了该电极在２．５Ｍ Ｈ２ＳＯ４中不同温度下的使用寿命，测定了不同温度下的极化曲线，并求出其动力学参数ａ、ｂ、ｉ。     

Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的，界面清晰，与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构，同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明，该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大，晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

用SEM考察合成条件对TS—2分子筛晶体形貌的影响

以扫描电镜方法（ＳＥＭ）系统地考察了不同合成条件下ＴＳ－２分子筛的晶体形貌。结果表明：在ＴＳ－２分子筛合成过程中，模板剂用量增加使得分子筛结晶度提高；增加Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比使分子筛晶体粒径增大，但过高的Ｈ２Ｏ／ＳｉＯ２比导致结晶纯度下降；Ｓｉ／Ｔｉ比提高会减少晶体中杂晶数量，晶体形状更加规整、均匀；调高胶液ｐＨ值时，分子筛晶粒增大，但结晶纯度下降。     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

热历史对Sialon／SiC（p）复合陶瓷的相稳定性及力学的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－ＳＡｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差异，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性，原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化。     

机械通气治疗ALI/ARDS的研究

研究了旨在导找ＡＬＩ／ＡＲＤＳ最佳机械通气时机。将９４例ＡＬＩ／ＡＲＤＳ患者分为３组,Ａ组ＰａＯ２／ＦｉＯ２０１６０２６．６７ｋＰａ,Ｂ组２６．６７ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ２≤３３．３３ｋＰａ,Ｃ组３３．３３ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ≤４０．００ｋＰａ,分别予机械通气,比较３组间ＶＴ、ＰＥＥＰ、ＰＩＰ、Ｐｐｌａｔ、ＰａＯ２、ＰａＣＯ２、Ｐａ、ＨＲ、ＭＶ时间、存活出率、死亡率差异性。用Ｘ＾２、ｔ检验进     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

基于MEMS的压电厚膜谐振梁能量收集器的研究

在谐振梁能量收集器中PZT膜材料的制备起着至关重要的作用,复合结构的锆钛酸铅(PZT)厚膜采用溶胶-凝胶方法旋涂在硅基的Au/Cr/SiO2/Si结构衬底的制备方法,主要因为溶胶-凝胶制备方法简单,成本低适合于集成制作.改进PZT组分和和0-3混合法及复合结构的Au/Cr/SiO2/Si衬底,使制备的PZT厚膜避免了厚...     

硼离子注入对硅基Si3N4薄膜驻极体性质的影响及力学性能的改善

利用硼离子B⁺注入方法来改善Si₃N₄薄膜的力学性质,并就B⁺注入对Si₃N₄薄膜驻极体性质的影响进行了较为系统的研究.实验结果表明,B⁺注入能够有效地降低薄膜的内应力,而对薄膜的驻极体性质有不利的影响;用化学表面修正能够在一定程度上提高材料的抗恶劣环境能力。     

电压对氮掺杂TiO_2/Ti光催化剂在可见光下催化性能的影响

为拓展TiO2对可见光的响应范围,采用先恒流再恒压的阳极氧化法制备了TiO2/Ti光催化剂,并运用等离子体基离子注入(PBII)技术对TiO2/Ti光催化剂进行了氮的掺杂改性研究。通过SEM和XRD对不同电压下制备的氮掺杂TiO2/Ti光催化剂进行了分析。结果表明,TiO2氧化膜粗糙多孔,主要是由锐钛矿相和金红石相组成,其最佳的制备电压为160V,离子注入条件为-30kV,4×105N.cm-2。氮元素主要以三种形态存在于TiO2的薄膜上,即原子β-N、分子γ-N和O-Ti-N。在可见光的照射下与未掺杂的TiO2/Ti光催化剂相比,氮掺杂的TiO2/Ti光催化剂表现出较好的光催化活性,其对罗丹明B的去除效率提高了12%。     

溶胶-凝胶法制备的BaTiO3薄膜表面态

用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在SiO₂/Si(111)基片上生长了钙钛矿结构BaTiO₃薄膜.用X射线光电子能谱技术(XPS)和角分辨X射线光电子能谱技术(ARXPS)研究了薄膜的表面化学态以及最顶层的原子种类和分布状况,结果显示在热处理过程中薄膜表面形成一层富含BaO的非计量钛氧化物层,并且钡-钛原子浓度比随着探测深度的增大而逐渐减小.     

纳米颗粒Ti3Si新相的制备与结构研究

利用机械合金化方法制备Ti-Si合金时,发现样品经历了固溶→非晶→晶化的过程.X射线衍射表明,晶化后的样品为首次发现的新相.利用计算机进行模拟并经理论计算证明,确认该新相是具有面心立方结构的金属间化合物TiSi,并给出了其结构示意图.     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

杂多钨酸盐K_n[MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)]·xH_2O的氧化还原性质研究

通过极谱和循环伏安法,结合紫外光谱和X射线光电子能谱研究了过渡元素K（?）〔MW_(11)O_(39)Ni(H_2O)〕·xH_2O(M=Si、Ti、Ga、Zr)在溶液中的氧化还原性质,提出了它们的还原机理,杂多阴离子的极谱半波电位顺序为Zr>Ti>Ga>Si,发现杂多阴离子的E_(1/2)与M元素的电负性有线性关系.