聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制

一种聚酰亚胺薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功，这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽〉８００μｍ，栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ２＋Ｓｉ３Ｎ４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上，本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计；工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。     

碱—表面活性剂—聚合物三元复合驱油体系的流变行为及影响因素

研究碱－表面活性剂－聚合物（ＡＳＰ）复合驱油体系的流变行为以及盐类型、碱、表面活性剂的加入对ＡＳＰ复合体系流变性的影响。     

热历史对Sialon／SiC_（p）复合陶瓷的相稳定性及力学性能的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性（ＫＩＣ），原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化．相对而言，Ｙｂ２Ｏ３可有效稳定α相，因此Ｙｂ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中含有许多等轴状α晶粒，高硬度是此种材料力学性能的显著特征．     

热历史对Sialon／SiC（p）复合陶瓷的相稳定性及力学的影响

研究热处理对致密Ｌｎ－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）复合陶瓷中α相稳定性的影响及由此引起的显微结构调控和力学性能变化，其中Ｌｎ＝Ｎｄ和Ｙｂ．Ｎｄ－ＳＡｉａｌｏｎ／ＳｉＣ（ｐ）中，α相热稳定性差异，几乎全部相变为β相，而大量长柱状β晶粒的存在并未明显改善材料的断裂韧性，原因在于长时间热处理导致晶粒相互聚集粗化。     

星网络的最优边容错图的结构

若图Ｇ中去掉任何Ｋ条边后所得的图含有生成了图同构于Ｇ０，则称Ｇ关于Ｇ０是Ｋ边容错图，记为Ｋ－ＥＦＴ（Ｇ０）图且边数尽可能小，则称Ｇ为最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｇ０）图，设Ｓｎ表示ｎ点星，若一个最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｓｎ）图的最大度尽可能小，则称为（Ｋ，ｎ）一极图，本文对于所有的Ｋ和ｎ，表征了最优Ｋ－ＥＦＴ（Ｓｎ）图和（ｋ，ｎ）－极图的结构。     

基于铁电薄膜HfO2的双阈值 负电容独立栅FinFET器件

将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势     

呋喃甲酰基吡唑啉酮Schiff碱及其金属配合物的研究

首次合成了双１－苯基－３－甲基－４－（ａ－呋喃甲酰基）吡唑啉酮－５缩乙二胺Ｓｃｈｉｆｆ碱（Ｈ２ＰＭａＦＰｅｎ），并用此试剂与过渡金属离子反应，合成了四种Ｓｃｈｉｆｆ碱配合物Ｍ（ＰＭａＦＰｅｎ），其中Ｍ２＋为Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｃｏ２＋、Ｃｄ２＋。通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热－热重分析、磁化率和摩尔电导测定等分析测试方法，研究了该试剂及配合物的组成结构和性质。     

结构矩阵近环的极大左理想

文中先构造近环Ｎｏ上全阵近环Ｍｎ（Ｎａ）的一类子环－结构矩阵近环，用Ｓ（Ｂ，Ｎｏ）表示，然后利用同态来刻划出Ｓ（Ｂ，Ｎｏ）的极大左理想。     

3—（二甲氨基）丙胺催化下的Knoevenagel缩合反应

在３－（二甲氨基）丙胺（ＤＰＡ）催化下，对硝基苯磺酰基乙腈与芳香醛发生Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ缩合反应，生成２－（４－硝基苯磺酰基）肉桂腈类化合物，产率８３％－９８％，用元素分析，ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ和ＭＳ等方法对产物进行结构鉴定，确证得到了上述结构的化合物。     

异丙苯在不同硅含量SAPO—5分子筛上的裂化反应特征

在ＥＳＲ－ＧＣ－Ｃｏｍｐｕｔｅｒ联机的动态装置下，用固定床微型英催化反应器，研究不同硅含量ＳＡＰＯ－５（２２），ＳＡＰＯ－５（１９），ＳＡＰＯ－５（５）及ＡｌＰＯ４－５和ＨＹ分子筛是丙苯裂化反应的催化活性，ＥＳＲ幅值特征。     

选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究

主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.     

OA系统公文流转模块的设计和实现

在给出工作流联盟对工作流的标准定义的同时对工作流进行详细的介绍.分析了B-S结构的特点及相对C-S结构的优点,并对基于工作流和B-S结构的OA公文流转模块的设计和实现进行了讨论.在讨论过程中对设计和实现过程中的结构设计、数据库设计、公文的保存和公文流转流程的实现等关键问题进行了详细讨论.     

具有位移感知功能的超磁致伸缩微位移执行器的研究

采用新型的功能材料——超磁致伸缩材料作为微位移器件,研制了一种具有位移感知功能的超磁致伸缩微位移执行器,并建立了其微位移闭环控制系统.提出了一种高分辨率、无摩擦、传感/位移传递一体化的圆形膜片式柔性结构,作为超磁致伸缩微位移执行器的微位移传递和感知机构.应用薄板弯曲理论得出了相应的挠度、应变变化率的解析表达式及分布曲线,确定了微位移感知传感器的分布形式,实现了执行器的微位移感知功能.同时,对研制的具有位移感知功能的超磁致伸缩微位移执行器及其微位移闭环控制系统进行实验研究,结果表明:执行器的微位移感知灵敏度和系统的微位移闭环控制精度较高.     

基于显微图像的动物纤维鉴别技术

羊绒与细羊毛的主要辨识依据是两者的表皮鳞片模式.该领域内常用的一项技术是分析纤维的SEM图像,通过鳞片边缘高度来区分两类纤维,但其成本高昂,且有8%的误差.该文提出区分两类纤维的新方法,首先将显微摄像系统获取的纤维图像处理成单像素宽度的二值骨架图,通过该二值骨架图提取纤维鳞片的4个相对形状参数,构建贝叶斯 分类模型.数值实验表明,尽管该模型是基于光学显微镜的,但其分类性能却相似于基于扣描电镜的模型,对羊绒与细羊毛(70S)的正确识别率达到90%.     

用于蓝牙接收通道的CMOS限幅放大器和功率指示计

介绍一种分段线性对数放大器,它可以作为蓝牙接收通道的限幅放大器和功率指示计.电路用0.35 μmCMOS工艺集成在单片蓝牙射频收发芯片中.测试结果显示,在40 dB的输入动态范围下,功率指示计非线性误差仅为0.5 dB.     

基于混沌的模拟电路故障诊断方法

针对模拟电路故障诊断的神经网络方法中,网络易陷入局部极小、收敛速度慢等缺点,网络结构、权值难以确定等难题,提出一种利用混沌优化神经网络的模拟电路故障诊断新方法.该方法中,将混沌变量引入神经网络结构的优化搜索,使得神经网络的隐层节点数以及所有权参数处于混沌状态中,从而整个网络结构呈现为动态变化.然后从动态的神经网络结构中,根据性能指标来寻找一个全局最优或近似于全局最优的网络结构.最后利用优化的神经网络对模拟电路进行故障定位.利用该方法对模拟电路进行实例仿真,结果表明该算法可以有效、可靠地运用于模拟电路故障诊断中.     

用Logistic方程拟合番茄(Lycopersion)产量累积曲线的研究

本文对44个番茄品种(或F_1)的产量累积曲线与产量构成曲线分别用Logistic方程与其微分方程进行了拟合,拟合的精确性用相关指数R、R_1度量。用Logistic方程拟合番茄产量累积曲线其相关指数(R)在0.99035742—0.99934475之间,用其微分方程拟合的产量构成曲线,其相关指数(R_2)在0.72469047—0.98656061之间。本文对这两种方法拟合的结果进行了比较。本文还给出了这44个番茄品种(或F_1)的t_(A/2)值,并提出t_(A/2)值可作为番茄熟期的指标。     

混沌直扩信号检测的最大Lyapunov指数方法

混沌直扩信号是一类兼有混沌信号和直扩信号优点的扩频通信信号,但带来优点的同时也使得传统直扩信号的检测方法不再适用于混沌直扩信号. 该文针对复杂环境下非合作混沌直扩信号检测的问题,分析传统直扩信号检测方法. 通过考察混沌特性判别混沌信号的方法,提出先通过C-C方法确定重要参数,以小数据量法计算接收信号的最大Lyapunov指数,实现对混沌直扩信号的检测. 验证了该方法在高斯噪声、衰落信道、多径信道、不同扩频比等条件下的适用性.     

二维正方晶格各向异性光子晶体缺陷模的计算

选择单个模式(TM模),用FDTD方法计算了二维正方晶格各向异性碲圆柱光子晶体的单点缺陷模与多点缺陷模,获得完全禁带中缺陷模频率与点缺陷半径、多点缺陷模半径之间的变化关系,并从理论上给予了解释.     

一种基于SOM和层次凝聚的中文文本聚类方法

研究了一种基于SOM（self-organizing map）和层次聚集的中文文本聚类方法，按照提出的中文聚类模型，该方法首先对文档集向量化，文档向量矩阵通过SOM训练映射到虚拟的二维空间，形成初步聚类；然后对虚拟坐标集进行二次聚类，与直接聚类方法相比，该方法提高了聚类的效果，减少了计算时间，通过数值实验对比表明该方法对中文文本聚类具有有效性。