硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式,从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释,并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法.最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象.     

垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础，利用想邻布洛赫线间的静磁作用能，改进圆柱形梗磁畴的畴壁能公式，公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数c。由一个典型样品得到的参数c，用于其它几个样品计算时，所得数据都与实验数据符合较好。从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性，并首次提出垂布洛赫线元模型，从而首次热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象。     

硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线空间静磁相互作用的关系

研究石榴石泡膜在直流偏磁场作用下布各赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响。一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；     

锆钛酸铅铁电薄膜畴壁导电的相场理论研究

铁电材料中的畴壁因具有不同于电畴内部的能量及极化分布情况而具有特殊的电磁性能.随着电镜技术的发展,铁电薄膜畴壁的导电性日益受到广大科研工作者的关注.畴壁导电是指在绝缘的铁电体材料中,在一定条件下畴壁充当导体传导电流.此传导电流不同于畴结构发生翻转时产生的位移电流.目前越来越多的实验已经探测到多种铁电材料畴壁中的传导电流,但其导电机理在理论上一直没有达成共识.该文采用相场理论模拟二维铁电薄膜的畴壁,通过在薄膜表面施加均匀电场,构造180°畴壁,然后在畴壁处加载局部电压,从理论上研究畴壁的导电性.结果发现:由于电场的施加,畴壁处电势比畴内电势高,载流子聚集在畴壁处;在畴壁处加载局部电压得到电流,畴壁处的电流值随着加载的局部电压值增大而增大.     

电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟

运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.     

混合单分子膜中二维微晶畴的制备及表征

利用混合ＬＢ技术，在脂肪酸与５，１０，１５－三苯基－２０（４－ｄｌ－α－苯丙氨酰氨基）苯基卟啉混合单分子膜内制备了二维微晶畴结构，原子力显微术观测表明，对于长链脂肪酸的情况，膜中形成了处于液态凝聚相的脂肪酸的微晶畴结构；而在短链脂肪酸的情况下，膜中出现的则是处于液态扩张相的ＴＰＰＰ的微晶畴结构。     

五磷酸镨晶体中缺陷的X形貌研究

首次报导了五磷酸镨晶体中的缺陷的Ｘ表貌研究结果，这些缺陷是铁弹畴，反相畴界，生长层和生长区界面，探讨了它们的成因及其克服办法。     

晶格驰豫对Ni3Al的反相畴界能计算的影响

采用改进分析型嵌入原子法(MAEAM)计算了具有L12结构的金属间化合物Ni3Al的由反相畴界引起的多层驰豫及反相畴界能.计算结果表明,Ni3Al中{111}晶面的弛豫要比{001}和{011}两个晶面大几个数量级,可以认为弛豫主要表现在(111)方向;计算了Ni3Al中{001}、{110}和{111}三种反相畴界能...     

不同电场对BaTiO_3纳米纤维畴变和形貌的影响

采用溶胶-凝胶与静电纺丝技术相结合的方法,通过调节针尖与极板间的纺丝距离,得到了不同形貌的BaTiO_3纳米纤维.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段研究BaTiO_3纳米纤维微观结构随纺丝距离的变化规律,发现纺丝距离为12 cm,退火温度为800℃时,制备出BaTiO_3纳米纤维具有尺寸细小、结晶充分、形貌优良的特点.文中利用压电力显微镜(PFM)对单根BaTiO_3纳米纤维的表面微区进行表征,研究其在不同电场下的形貌改变及畴态演变,结果表明低电压下纤维易发生90°畴变而高电压下则发生180°畴变,利用形貌图可以对纤维表面的电致裂纹现象进行解释.此外,给出了另外两种纤维顶端位移高度随外加电压的变化关系图,发现矫顽电压+4 V附近,纵向尺寸增速减慢,这也与畴变演化现象中的实验规律一致.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

少年长跑运动员最大吸氧量通气无氧阈及生理参数的观察

本文通过连续递增负荷的踏车运动，报告了少年长跑运动员的最大吸氧量、通气无氧阈及相关生理参数，从数学、最大吸氧量百分利用率、绝对和相对有氧代谢能力三个指标探讨了男、女最大吸氧量、无氧阈指标的差异特征。     

任意形状凸域保角映射成半平面域的方法

给出了任意形状凸域保角映射成半平面域的解析方法，通过算例证实了本方法的精确性和简便性，为工程中常用齿形零件应力和位移的精确求解奠定了基础。     

单位圆盘上全纯逆紧映射的像区域

假设f是单位圆盘D上的全纯逆紧映射,使用初等的复分析方法证明:像区域f(D)是单连区域,然后建立一个充分必要条件,在这个条件下,f(D)是一个星形区域(或一个凸区域).     

拟共形映射与John域

本文证明了有界一致域必定是John域和John域的拟共不变性.     

一种新的二维散射场远区时域信号实时获取方法

采用时域有限差分法求解散射问题时,时域信号的计算是在散射体近区内进行的,计算远区散射场通常有两种办法,一种是在频域内进行,另一种是在时域内进行.由于二维时域Green函数含有关于时间的积分,因而相对于三维问题,远区时域信号反而更难求解.文中通过把等效激励源位置进行量化,综合排列激励时序,从而把所有激励源关于时间的积分转化为一个矩阵向量乘积运算,大幅度减少了计算时间.同时,采用半解析的方法,精确地算出了其中的反常积分值.最终,实时、快速和精确地获取了二维散射场远区时域信号.     

基于跨领域迁移的AM-AdpGRU金融文本分类

针对当前基于深度学习的金融文本分类模型严重依赖于标记数据的问题，提出了一种基于跨领域迁移的AM-AdpGRU金融文本分类模型，通过学习相关领域数据的分类准则将其迁移到目标领域数据。AM-AdpGRU模型首先利用深度网络自适应来克服源领域和目标域之间数据分布差异导致的迁移损失，使得即使数据分布发生变化时模型也无需重构；然后利用注意力机制建立了目标域对源领域的特征选择机制，使得模型对源领域的注意力可以集中在与目标域相似性更高的部分。在公开的跨域情感评论Amazon数据集和SemEval-2017的Microblog金融数据集上进行了实验，将AM-AdpGRU模型与其他方法进行比较，结果表明AM-AdpGRU模型的分类平均准确性相对于其他模型有了显着提升。     

关于两个Diophantine方程的求解

对于部分无平方因子整数D,其二次域Q(D~(1/2))是Euclid域,那么它所对应的Euclid整环中算术基本定理成立。利用二次Euclid域的整除理论讨论了不定方程x~2±3=4y5,x,y∈Z的整数解情况,并得到了其所有整数解,即证明了不定方程x~2+3=4y~5,x,y∈Z仅有整数解(x,y)=(±1,1),而不定方程x~2-3=4y~5,x,y∈Z无整数解。     

利用对称性计算积分域有方向性的积分

利用积分域的对称性研究了积分计算的简化问题．针对积分域由对称的两部分组成且有方向性,及积分域具有轮换对称性的两种情形,给出了积分计算的简化公式,统一了已有的相关简化运算的形式．     

铁电开关的尺寸效应

将Orihara-ishibashi铁电体统计理论用于三维立方铁电体,求出立方铁电畴反转过程中的反转体积比Q(t)和与开关电流相关的反转速率dQ/dt的表达式,并对不同系统尺寸作了数值计算.结果表明,开关电流随系统尺寸l变小而下降,在一定尺寸范围内(l<0.75),开关时间也随l减小而下降。