取代基对苯并噻唑性质的调控作用

研究了2-巯基苯并噻唑(MBT)和2-氨基苯并噻唑(ABT)的紫外吸收光谱、荧光光谱,探讨了取代基-SH和-NH2对苯并噻唑性质的调控作用.结果表明:在苯并噻唑的邻位上引入-SH和-NH2,对苯并噻唑的光谱性质、配位性质均有很强的调控作用.进一步考察溶剂极性、溶液pH值和金属离子对MBT和ABT紫外光谱和荧光光谱的影响,发现随溶剂极性增大,MBT的最大吸收波长基本不变,但其吸收强度明显增强;而ABT的吸收光谱峰位发生了显著的红移并且峰值增大;金属离子对MBT、ABT的紫外光谱、荧光光谱产生一定影响.     

二茂铁卟啉化合物的合成及其取代基效应

设计合成含有不同取代基的二茂铁卟啉化合物， 用核磁共振氢谱、 紫外-可见光谱和红外光谱表征其结构， 并讨论取代基效应对二茂铁卟啉的荧光、 电化学、 Raman光谱的影响和变化规律. 实验结果表明：  给电子取代基使卟啉荧光光谱红移， 量子产率增大， 对Raman光谱的苯环振动影响较大； 连接给电子取代基的卟啉更易失去电子而被氧化， 连接吸电子取代基的结果相反. 因此通过改变卟啉周边的取代基可调控二茂铁卟啉的光谱和电化学性能.     

α(β)-四取代苯氧基酞菁的合成、表征和光谱性质

以3-硝基邻苯二腈和4-硝基邻苯二腈为原料分别合成了α(β)-四苯氧基酞菁锌,通过红外光谱和紫外可见光谱表征了其结构,并讨论了取代基的位置对酞菁紫外可见光谱和荧光光谱的影响.     

苯乙烯菁染料的合成及光谱性质

合成了3种未见献报道的苯乙烯菁染料，用元素分析、红外光谱、紫外可见光谱和核磁共振谱对其结构进行了表征。根据紫外可见光谱和荧光光谱的数据，分析了不同取代基对其光谱性质的影响。     

几种甲基/苯基聚硅烷的光谱性能

为了改善聚硅烷的发光性能,找到紫外区上聚硅烷吸收光和发射光的规律以及与其结构的关系,用二甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷和甲基苯基二氯硅烷合成了几种不同组成及结构的甲基/苯基共聚物聚硅烷,并研究了其红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)、荧光光谱(FL)性质.探讨了聚硅烷组成和结构对紫外光谱和荧光光谱性质的影响.研究发现,随着取代基中苯基的含量逐渐增加,其紫外吸收光谱和荧光发射光谱峰位置都呈波长逐渐增加的红移趋势.聚硅烷链的侧链组成对光谱性能起决定性影响,增加侧链中苯基的含量可以增加主链电子离域范围,从而使聚硅烷的紫外吸收和荧光发射光谱峰向长波移动.     

CTV衍生物合成及光谱性质研究

合成了一系列碗状CTV衍生物,用紫外和荧光光谱考察了它们的光谱特征.结果表明:随烷基碳原子数增加,CTV衍生物成笼和脱烷基反应的产率都降低;CTV和羟基CTV的荧光及紫外吸收比乙基CTV、丙基CTV明显红移;另外,羟基CTV的紫外荧光光谱随溶剂极性增大出现显著红移,而烷基取代CTV的光谱变化不明显.     

连有亚胺基芴类衍生物的合成及光谱性能研究

通过2,7-二溴芴酮与相应的苯胺衍生物反应,合成了一系列新型的连有亚胺基的芴类衍生物:2,7-二溴-9-亚苯胺基芴(NBFA),2,7-二溴-9-亚(4-氯-苯胺)基芴(CNBFA),2,7-二溴-9-亚(4-甲基-苯胺)基芴(NBFMA),其结构经核磁共振谱、红外光谱和质谱表征.对所合成目标化合物的紫外及荧光光谱进行了研究,它们的紫外及荧光峰在弱极性溶剂中和随着芳环上取代基给电子能力的增加而发生了红移.     

溶剂效应对中氮茚荧光性质的影响

合成了一系列中氮茚化合物，比较了它们在不同有机溶剂中紫外光谱和荧光光谱的变化情况，探索了化合物的微观结构与其光学性能之间的某些关系，结果表明溶剂极性对该类化合物吸收光谱的影响不明显，但对化合物的Stokes位移、荧光强度以及荧光量子效率的影响都较大，中氮茚化合物分子的荧光特性首先取决于它自身的分子结构，特别是各种能增强系间穿越过程的取代基的存在，而外界因素，如介质，温度、压力、浓度、酸度等对试剂荧光特性也有很大影响．     

4-芳亚甲基2-苯基-1H-咪唑-5(4H)-酮类衍生物光谱特性的研究

比较了一系列4-芳亚甲基-2-苯基-1H-咪唑-5（4H）-酮类化合物在不同有机溶剂中紫外光谱和荧光光谱的变化,探索了其结构与光学性能之间的某些关系.通过实验发现,目标化合物4-芳亚甲基芳环取代基的不同对其紫外光谱、荧光发射光谱及荧光量子产率有一定的影响.     

4H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑的合成及其荧光性质

合成了一系列4H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑类化合物,测量了它们乙醇溶液的紫外／可见吸收光谱和荧光光谱并计算出各自的荧光量子效率．对化合物(5a-5m)的吸收光谱和荧光光谱进行了比较分析,发现化合物(5a-5m)在200～400nm范围内,都有3或3个以上较强的π→π^a电子跃迁紫外吸收峰,化合物(5b,5c,5i)在360～440nm区域有较强的荧光发射峰和较高的荧光量子效率;研究了化合物(5a-5m)分子中不同取代基对荧光光谱和荧光量子效率的影响,认为4H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑环上的-CN和-CO2Et具有较好的荧光助色作用,而-COPh、-COMe则对分子的荧光具有猝灭作用,发现荧光量子效率较好的化合物(5b,5e,5i)可进一步修饰成为探针化合物或用于与DNA等生物大分子相互作用机理的研究．     

缺项算子矩阵的左谱

设A∈B(ye),B∈B(k),C∈(B)((k),(ye))给定,对X∈B((ye),(k))定义Mx=(AXCB)ye( )k→ye( )(k).在一定条件下刻画集合∩X∈B((k),(ye))σl(Mx)和∩X∈B((k),(ye))σl(Mx),其中σl(T)和σr(T)分别表示算子T的左谱和右谱.利用了算子矩阵的分块技巧和算子分块的几何结构.在C是闭值域的条件下,完全刻画了∩X∈B((k),(ye))σl(Mx)和∩X∈B((k),(ye))σl(Mx).此刻画在缺项算子矩阵的谱的研究中是新的结果,应用该刻画可以得到若干已知结论.     

3，5，6-三氯吡啶-2-酚的合成与波谱特征

以CuCl Cu作催化剂 ,采用三氯乙酰氯与丙烯腈加成 ,在常压条件下合成了较高收率的 3,5 ,6 三氯吡啶 2 酚 .研究了催化剂种类对合成收率的影响 ,并通过实验确定了合成工艺条件 :M(CuCl Cu) =4 5g·mol- 1 ,M(NB) =1 34g·mol- 1 ,摩尔比n(AN) n(TCAO) =1 2 ,反应时间 1 7h ,反应温度 1 6 0℃ .3,5 ,6 三氯吡啶 2 酚的红外光谱和质谱完全表明了其结构特征     

氧缺位对纳米SnO2喇曼谱及超精细参数的影响

采用溶胶－凝胶技术制备了ＳｎＯ２纳米微粉，测定晶粒尺寸在３～１５ｎｍ范围内ＳｎＯ２的喇曼光谱，并由穆斯堡尔谱给出其表面相与晶体相的超精细参数．此外还测定了氧缺位对分别在真空与氧气氛下退火的试样的喇曼谱的影响，并从超精细参数的变化给予解释．     

紫外光固化聚氨酯丙烯酸酯的二维红外光谱

通过二维相关光谱分析方法,对PUA(聚氨酯丙烯酸酯)树脂的紫外光固化过程中羰基区和不饱和双键区的谱带变化规律进行了研究。在含有以IPD I(异佛尔酮二异氰酸酯)/PCDL 5652(聚碳酸酯二醇)/HEA(丙烯酸乙酯)/HDDA(己二醇二丙烯酸酯)型PUA树脂和HDDA、TM P-TA(三羟甲基丙烷三丙烯酸酯)、NVP(N-乙烯基吡咯烷酮)的紫外固化配方中,NVP羰基伸缩振动位于1 705 cm-1附近,TM PTA中的羰基在1 725 cm-1附近,HDDA和PUA上HEA片段的羰基伸缩振动都发生在1 715 cm-1附近。随着紫外固化过程中双键的交联,丙烯酸酯官能团上的羰基发生蓝移,逐渐变化为高频率1 735 cm-1和1 740 cm-1附近的羰基。和不饱和双键关联的羰基偶极矩变化的次序为:1 705 cm-1>1 725 cm-1>1 715 cm-1;对应的双键反应活性次序为:NVP>TM PTA>HDDA~HEA。表明在该紫外固化体系中,不同反应官能团之间的相对活性可以通过二维相关光谱由与之关联的羰基偶极矩的变化次序来对比。     

凝胶-燃烧法合成 Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ 蓝色长余辉发光材料

采用凝胶-燃烧法合成了Sr2MgSi2O7:Eu2+0.02,Dy3+0.04蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征. 结果表明:Sr2MgSi2O7:Eu2+0.02,Dy3+0.04的晶体结构为四方晶系. 激发光谱为一宽带,最大激发峰位于402 nm处,次激发峰位于415 nm处,与高温固相法和溶胶-凝胶法相比,出现了明显的红移现象;发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于468 nm附近,是典型的Eu2+的4f5d→4f跃迁导致的. 与传统高温固相法相比,凝胶-燃烧法具有离子分散均匀、合成温度低、操作简单等优点,所得样品余辉时间长,可达5 h以上.同时探讨了多种工艺条件对其发光性能的影响.     

Sr_2SiO_4:Eu~(2+)发光材料的燃烧法制备及其光谱特性

采用燃烧法制备Sr2SiO4:Eu2+发光材料。采用X线衍射仪、扫描电镜和荧光光度计对样品的晶体结构、微观形貌和光谱特性进行表征。研究结果表明:退火后样品的晶体结构属于正交晶系的α′-Sr2SiO4,掺杂Eu2+对晶体结构没有影响。荧光光谱测试表明:Sr2SiO4:Eu2+材料的激发和发射光谱均为宽带谱,激发和发射主峰分别为335 nm和493 nm,分别对应于Eu2+的4f7→4f65d1和4f65d1→4f7跃迁。随着点火温度的增加,激发和发射光谱强度均呈先增后降的变化。点火温度750℃时材料的激发和发射峰强度最大。随着Eu2+掺杂量的增加,Sr2SiO4:Eu2+材料的激发和发射强度均先增大,在掺杂0.01 mol Eu2+时达到最高值,而后随着Eu2+掺杂量的增大,激发和发射峰强度减小。制备的Sr2SiO4:Eu2发光材料有望用于白光LED领域。     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

纳米CeO2键弛豫动力学的计量拉曼谱分析

纳米CeO₂的原子结构变化和键弛豫作用决定了其应用领域.从化学键弛豫及振动的角度出发,利用声子计量谱学技术,探讨拉曼光谱压强效应背后的物理机制.应用键弛豫理论,对纳米CeO₂的拉曼光谱压强效应进行定量分析;建立声子谱与压强的函数关系,求取体模量和压缩系数;阐述纳米CeO₂拉曼频移蓝移的物理起因,即压强增大促使CeO₂键长收缩、键能增强,引起拉曼谱发生蓝移现象.     

YAG:Fe2+自旋允许谱的研究

关于硅酸盐石榴石（YAG）中Fe^2＋离子的自旋允许谱始终存在着分歧.我们重新研究了这一课题,得出的谱带指定为7950cm^-1B3→A,5951cm^-1A→A,4400cm^-1B2→A,1332cm^-1 B1→A.计算结果与实验测得的谱带相符合,但其状态指定与前人均不相同.     

旋转机械故障诊断的11/2维循环谱分析方法

首先介绍了谱相干及高阶循环累积量谱的定义,说明了高阶循环累积量谱具有的抑噪和相位保留的能力.但由于高阶循环累积量谱分析需要更长的时间序列,因此本文从循环谱相干定义出发,提出了利用1 1/2维循环谱区分线性与非线性特征的方法.指出1 1/2维循环谱分析方法,不仅保留了高阶循环累积量谱的抑制噪声、提取非线性耦合特征和分离循环平稳分量与平稳分量的能力,而且减少了所需时间序列长度,提高了监测的实时性,最后以非线性平方相位耦合信号和轴承故障信号为例进行了仿真验证.